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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2014-07-10 16:00 |
長野 | 信州大学繊維学部 | 長鎖アルキルを置換したナフタレンジイミド誘導体蒸着膜のトランジスタ特性 ○岩崎一晃・横田洋一郎（信州大）・小熊尚実・平田直毅（大日精化工業）・市川 結（信州大）  OME2014-33 |
媒に可溶な長鎖アルキルを有するナフタレンジイミド誘導体NTCDI-Cnを酸化膜付シリコン基板上に真空蒸着により成膜し、さ... [more] | OME2014-33 pp.31-32 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 15:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 高速なフレキソ印刷技術を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製 ○樋口健太郎（名大）・中嶋勇太・外村卓也・武居正史（バンドー化学）・岸本 茂（名大）・畑 克彦（バンドー化学）・大野雄高（名大） ED2013-135 SDM2013-150 |
高速な印刷法であるフレキソ印刷技術とカーボンナノチューブ転写技術を組み合わせ、高移動度なカーボンナノチューブ薄膜トランジ... [more] | ED2013-135 SDM2013-150 pp.19-24 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 12:10 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関 ○今田忠紘・吉川俊英（富士通研）・Daniel Piedra・Tomas Palacios（マサチューセッツ工科大） ED2013-117 MW2013-182 |
窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：High Electron Mobility Transist... [more] | ED2013-117 MW2013-182 pp.41-45 |
| ED | 2013-12-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研 | 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2013-92 |
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして，ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある．本研究においては... [more] | ED2013-92 pp.13-17 |
| SDM | 2013-12-13 16:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2013-131 |
強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデルを用いて，長方形断... [more] | SDM2013-131 pp.91-96 |
| ED | 2013-08-09 09:00 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス ○藤野舜也・水野雄太・高岡和央・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-44 |
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製... [more] | ED2013-44 pp.33-36 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） ED2012-126 MW2012-156 |
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] | ED2012-126 MW2012-156 pp.75-78 |
| SDM | 2012-12-07 10:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 ○村田耕司・森根達也・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構） SDM2012-117 |
Si (Silicon) に比べ，放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は，次世... [more] | SDM2012-117 pp.13-18 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Improved current stability in multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs ○Kota Ohi・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.） |
We have proposed and characterized a multi-mesa-channel (MMC... [more] | |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2012-01-20 14:20 |
愛知 | 名古屋大学 | 紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子と正孔の移動度 ○渡邉悠介・村本裕二・清水教之（名城大） OME2011-75 |
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起される... [more] | OME2011-75 pp.35-39 |
| ED | 2011-07-30 12:05 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 ○佐藤 純・町田史晴・原 紳介・藤代博記（東京理科大） ED2011-53 |
テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして，高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注... [more] | ED2011-53 pp.79-84 |
| IPSJ-CN, LOIS (連催) |
2011-05-19 14:00 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センタ | 人物移動手段の推定における携帯端末の地磁気データの有効性に関する検討 ○上原聡介・伊藤智則（早大）・吉井英樹（ソフトバンクテレコム）・鶴丸和宏・小松尚久（早大） LOIS2011-5 |
本稿では，携帯端末の搭載機能として標準採用されつつある三軸地磁気センサ（電子コンパス機能を含む）から取得できる地磁気デー... [more] | LOIS2011-5 pp.33-38 |
| OME, SDM (共催) |
2011-04-15 10:40 |
佐賀 | 産総研九州センター | オキサジアゾール骨格を有する高移動度n型有機半導体の分子設計 ○江良正直（佐賀大）・徳久博昭（JSR） SDM2011-3 OME2011-3 |
８種のオキサジアゾール誘導体を合成し、その電子移動度をTime-of-Flight法で測定した。その結果、電子受容基を付... [more] | SDM2011-3 OME2011-3 pp.9-12 |
| SDM | 2010-10-22 11:10 |
宮城 | 東北大学 | 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価 ○藤井俊太朗・黒木伸一郎・小谷光司（東北大） SDM2010-162 |
連続発振レーザー結晶化によって形成したpoly-Si膜中には引っ張り歪が発生する。面内方向のX線回折測定から、表面側では... [more] | SDM2010-162 pp.41-44 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2009-183 MW2009-166 |
ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは... [more] | ED2009-183 MW2009-166 pp.49-53 |
| ED | 2009-11-30 09:25 |
大阪 | 大阪科学技術センター | プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析 ○窪田健太郎・佐野栄一（北大）・メチアニ ヤーヤ ムバラク・尾辻泰一（東北大） ED2009-167 |
光波と電波の中間周波数領域であるサブミリ波領域、いわゆるテラヘルツ波領域は、医療やセキュリティー検出器としての応用が期待... [more] | ED2009-167 pp.41-45 |
| MW (ワークショップ) |
2009-08-20 - 2009-08-21 |
海外 | KMUTNB, Bangkok, Thailand | DC I-V characteristics of cryogenically-cooled GaN HEMT amplifier employing blue-light illumination ○Yasunori Suzuki・Shoichi Narahashi（DOCOMO）・Toshio Nojima（Hokudai） |
This paper experimentally investigates a 2-GHz band cryogeni... [more] | |
| SDM | 2009-06-19 13:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-33 |
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] | SDM2009-33 pp.39-44 |
| OME, EID (共催) |
2009-03-06 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | デバイスシミュレーターを用いた有機半導体中の電気伝導式の導出 ○服部励治・李 相根（九大） EID2008-89 OME2008-100 |
有機半導体中の電流－電圧特性に関わる理論式をショットキー障壁接合での拡散モデルに基づく電荷注入式とプール・フレンケル移動... [more] | EID2008-89 OME2008-100 pp.33-36 |
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