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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2023-02-28
16:00
東京 東京工科大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
微細素子静電強結合のための原子層堆積TiO2膜の研究
高田文洋水柿義直島田 宏電通大CPM2022-106
微細電子デバイスを静電容量を介して強く結合する際には、誘電層に比誘電率が高い材料が必要となる。本研究では、高誘電率材料の... [more] CPM2022-106
pp.78-81
ED, THz
(共催)
2018-12-18
09:00
宮城 東北大・通研 [招待講演]InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化
遠藤 聡渡邊一世山下良美笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大)・三村高志NICTED2018-62
我々は,電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系,Sb系及びGaN系HEMTを作製し,これらのHEMTの特性を... [more] ED2018-62
pp.35-38
SCE 2016-04-20
17:00
東京 機械振興会館 微小Alトンネル接合列内での接合特性の均一性向上を目指したSiO援用Dolan法の提案と評価
徳山貴斗島田 宏・○水柿義直電通大SCE2016-10
2層レジストで形成されるレジスト架橋構造と斜め蒸着を用いるDolan法は,微小トンネル接合の作製方法として広く利用されて... [more] SCE2016-10
pp.55-60
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-07-10
15:20
東京 早稲田大学 パルス電析法を用いたFePtナノドットアレイの高保磁力化の検討
西家大貴ヴォダルツ ジギー謝 承達齋藤 学阿部純也早大)・Giovanni Zangariバージニア大)・本間敬之早大MR2015-13
我々は電気化学的手法とリソグラフィ技術を組み合わせたビットパターンドメディア(BPM)形成手法を検討してきた.本研究では... [more] MR2015-13
pp.25-29
ED 2015-04-17
10:55
宮城 東北大通研ナノスピン実験施設 微小Alトンネル接合列内での接合特性の均一性向上を目指したSiO援用Dolan法の提案と評価
徳山貴斗島田 宏・○水柿義直電通大/CREST JSTED2015-13
2層レジストで形成されるレジスト架橋構造と斜め蒸着を用いるDolan法は,微小トンネル接合の作製方法として広く利用されて... [more] ED2015-13
pp.65-70
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-07-17
13:25
東京 東京工業大学 電析初期過程の解析に基づく超高記録密度ナノドットアレイの形成及び高保磁力化
萩原弘規ヴォダルツ ジギー大谷智博西家大貴早大)・Giovanni Zangariヴァージニア大)・本間敬之早大MR2014-9
我々は,電気化学的手法である電解析出法とリソグラフィ技術を組み合わせ,次世代型の磁気記録媒体として期待されるビットパター... [more] MR2014-9
pp.7-10
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
12:05
北海道 北海道大学百年記念会館 ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス
須田隆太郎伊藤光樹森原康平豊中貴大滝川主喜白樫淳一東京農工大ED2013-149 SDM2013-164
ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用することで,強磁性単電子トランジスタ(Ferromagneti... [more] ED2013-149 SDM2013-164
pp.95-100
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-11-15
13:25
東京 早稲田大学 電気化学的手法による超高記録密度強磁性ナノドットアレイの形成及び析出挙動の解析
ヴォダルツ ジギー間庭佑太萩原弘規大谷智博西家大貴早大)・Giovanni Zangariヴァージニア大)・本間敬之早大MR2013-20
電解析出法とリソグラフィによりhcp-Co80-Pt20及びL10-Fe-Ptの薄膜とナノドットアレイをhcp-Ru(0... [more] MR2013-20
pp.7-10
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
14:15
東京 中央大学 電気化学的手法により形成した超高記録密度強磁性ナノドットアレイの初期析出過程の解析及び特性評価
ヴォダルツ ジギー間庭佑太萩原弘規本間敬之早大MR2013-8
我々は,電気化学的手法である電解析出法とリソグラフィ技術を用いて,ビットパターンメディア(BPM)への応用を目的とした強... [more] MR2013-8
pp.13-17
IT, ISEC, WBS
(共催)
2013-03-08
11:45
大阪 関西学院大学 大阪梅田キャンパス レジスト倒壊パターンを用いたナノ人工物メトリクス
松本 勉花木健太鈴木僚介関口大樹横浜国大)・法元盛久大八木康之大日本印刷)・成瀬 誠NICT)・竪 直也大津元一東大IT2012-96 ISEC2012-114 WBS2012-82
人工物の個体に固有の物理的特徴を活用する人工物メトリクスは,物理的特徴の測定がその形成に比べて高精度で行えることを利用し... [more] IT2012-96 ISEC2012-114 WBS2012-82
pp.217-222
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
09:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御
伊藤光樹秋元俊介白樫淳一東京農工大ED2011-151 SDM2011-168
我々は,直列に接続された複数のナノギャップに対して,電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション(アクティベーション)を... [more] ED2011-151 SDM2011-168
pp.53-58
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
15:40
沖縄 沖縄県青年会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化
上野俊介友田悠介久米 彌花田道庸滝谷和聡白樫淳一東京農工大ED2009-202 SDM2009-199
プレナー型ナノスケールトンネルデバイスの簡便な作製手法である,電界放射電流によって誘起・発現されるエレクトロマイグレーシ... [more] ED2009-202 SDM2009-199
pp.35-39
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-29
14:25
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ
池田直樹津谷大樹杉本喜正小出康夫物質・材料研究機構)・三浦篤志井上大介野村壮士藤川久喜佐藤和夫豊田中研PN2009-59 OPE2009-197 LQE2009-179
本研究では、表面プラズモン共鳴を利用したカラーフィルタの開発を目的とし、高いプラズマ周波数を有し比較的微細加工が容易なア... [more] PN2009-59 OPE2009-197 LQE2009-179
pp.129-132
EMCJ 2010-01-22
09:05
沖縄 琉球大学50周年記念館 電子ビーム静電偏向システムの低ノイズ方式設計
李 ウェン幕内雅巳今川健吾日立)・高橋弘之大南祐介郡司康弘日立ハイテクノロジーズEMCJ2009-111
電子やイオン等の荷電粒子ビームを用いた半導体製造・検査・計測装置および電子顕微鏡等の分析装置では,高速・高精度なビーム偏... [more] EMCJ2009-111
pp.75-80
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-11-13
13:45
東京 早稲田大学 1 Tbit/in2級微細磁性ドットアレイの形状が磁気特性、記録特性に及ぼす影響
有明 順近藤祐治秋田県産技総研センター)・石尾俊二秋田大)・本多直樹東北工大MR2009-30
1 Tbit/in2級のビットパターン媒体(BPM)作製のための作製プロセスや媒体設計上の課題抽出のため,微細磁性ドット... [more] MR2009-30
pp.7-12
ED 2009-10-15
13:55
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 静電レンズ一体型FEAの試作と評価
田上智也小池昭文高木康男静岡大)・長尾昌善吉田知也金丸正剛産総研)・根尾陽一郎青木 徹三村秀典静岡大ED2009-117
我々はフィールドエミッタアレイ(FEA)を用いたマイクロサイズの電子線顕微鏡の実現を目指している.この実現の為にはFEA... [more] ED2009-117
pp.7-10
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
15:40
北海道 北海道大学 Field Emitter Arrayの高機能化とその応用
根尾陽一郎武田匡史田上智也堀江 瞬青木 徹三村秀典静岡大)・吉田知也長尾昌善金丸正剛産総研ED2008-228 SDM2008-220
我々は電界放射微小電子源(Field Emission Array: FEA)に従来にない構造の集束電極を付加することで... [more] ED2008-228 SDM2008-220
pp.23-27
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:00
北海道 北海道大学 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製
友田悠介久米 彌花田道庸高橋佳祐白樫淳一東京農工大ED2008-232 SDM2008-224
単電子トランジスタに代表されるナノスケールデバイスの作製技術として、エレクトロマイグレーションを利用した簡便な手法を提案... [more] ED2008-232 SDM2008-224
pp.47-52
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