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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2012-124 MW2012-154 |
ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについ... [more] | ED2012-124 MW2012-154 pp.63-68 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 14:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 ○常家卓也・分島彰男・江川孝志（名工大） ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 |
Si基板上にAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスを調査するために光照射時においてドレイン電流(Id(t))... [more] | ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 pp.29-32 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 ○細川大志・井川裕介・木尾勇介・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程におけ... [more] | ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 pp.43-48 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大） ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 |
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] | ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 pp.175-178 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2010-182 MW2010-142 |
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の電流コラプス... [more] | ED2010-182 MW2010-142 pp.41-44 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2010-183 MW2010-143 |
バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，ゲートフィールドプ... [more] | ED2010-183 MW2010-143 pp.45-50 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 |
2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイ... [more] | ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 pp.63-66 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 11:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 ○黒田健太郎・井川裕介・光山健太・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研... [more] | ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 pp.109-114 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:40 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer ○Tadayoshi Deguchi（New Japan Radio）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2008-41 SDM2008-60 |
[more] | ED2008-41 SDM2008-60 pp.9-14 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT ○大来英之・星 真一・丸井俊治・伊藤正紀・戸田典彦・森野芳昭・玉井 功・佐野芳明・関 昇平（OKI） ED2008-105 SDM2008-124 |
[more] | ED2008-105 SDM2008-124 pp.341-345 |
| NC, MBE (併催) |
2008-03-12 10:20 |
東京 | 玉川大学 | 注視点移動の基本的特性の研究 西島幹博・山口孝之・○森 晃徳（玉川大） NC2007-131 |
注視点移動の基本的特性に関する従来の心理物理的実験を調べ、現象論的法則群の相違点、実験手法・条件の相違点などを明らかにし... [more] | NC2007-131 pp.115-120 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響 ○丸井俊治・星 真一・森野芳昭・伊藤正紀・玉井 功・戸田典彦・大来英之・佐野芳明・関 昇平（OKI） ED2007-208 MW2007-139 |
AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面... [more] | ED2007-208 MW2007-139 pp.11-15 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 10:50 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 ○中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 |
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，その結果より... [more] | ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 pp.67-72 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 高柳大樹・○板垣圭一・仲野博之・堀尾和重（芝浦工大） |
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したGaN MESFETの２次元過渡解析を行い，その結果より模擬的な... [more] | ED2005-199 MW2005-153 pp.1-6 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET ○出口忠義・脇 英司・小野 悟・山下明一・鎌田 厚・中川 敦（新日本無線）・石川博康・江川孝志（名工大） |
半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/Al... [more] | ED2005-203 MW2005-157 pp.23-27 |
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