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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
HWS, VLD
(共催) [詳細]
2021-03-03
13:25
ONLINE オンライン開催 [記念講演]Mode-wise Voltage-scalable Design with Activation-aware Slack Assignment for Energy Minimization
TaiYu ChengOsaka Univ.)・Yutaka MasudaNagoya Univ.)・Jun NagayamaYoichi MomiyamaSocionext Inc.)・Jun ChenMasanori HashimotoOsaka Univ.VLD2020-72 HWS2020-47
 [more] VLD2020-72 HWS2020-47
p.30
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-23
13:50
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]Eu3+付活複合酸化物赤色蛍光体のPL温度特性と電荷移動状態(CTS)の相関性
川島美沙木下 顕早馬拓哉中本広大石垣 雅鳥取大)・國本 崇徳島文理大)・大観光徳鳥取大EID2019-7
Eu3+を付活した複合酸化物赤色蛍光体, Y4Si2O7N2:Eu3+ (YSON), La2O3:Eu3+ (LO),... [more] EID2019-7
pp.37-40
US 2018-07-31
13:30
京都 京都工繊大学 シアノビフェニル系液晶等方相における配向粘度の温度依存性
松岡辰郎岡田 賢名大US2018-34
シアノビフェニル系液晶は等方相においても分子会合があることが報告されており,他の液晶系とくらべ特徴がある.本研究ではシア... [more] US2018-34
pp.19-21
VLD, HWS
(併催)
2018-03-02
11:20
沖縄 沖縄県青年会館 選択的活性化によるスタンダードセルメモリの低消費エネルギー化
塩見 準石原 亨小野寺秀俊京大VLD2017-124
オンチップメモリは集積回路のエネルギー効率に大きな影響を与える.本稿では,スタンダードセルメモリ(Standard-Ce... [more] VLD2017-124
pp.211-216
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
RCS 2015-06-25
09:40
北海道 北海道大学 ヘテロジーニアスネットワークにおけるシステムスループットの最大化を目的としたピコ基地局の適応送信ON/OFF制御法の一検討
山崎勇作樋口健一東京理科大RCS2015-63
本稿では,大電力のマクロセル内に小電力のピコ基地局を重ねる形で配置するヘテロジーニアスネットワークにおいて,各ピコ基地局... [more] RCS2015-63
pp.101-106
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研SDM2014-143
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
SDM 2013-12-13
13:50
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発
部家 彰草壁 史丸山裕樹松尾直人神田一浩兵庫県立大)・野口 隆琉球大SDM2013-127
10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性化について検討した。... [more] SDM2013-127
pp.67-72
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
14:55
大阪 大阪市立大学 InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響
今井大地石谷善博千葉大)・王 新強北京大物理学院)・草部一秀吉川明彦千葉大ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115
InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について,熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結... [more] ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115
pp.103-108
NC 2012-07-30
13:45
滋賀 立命館大学 情報理工学部 クリエーションコア1階教授会会議室 局所解析可能な活性化関数を有する四元数ホップフィールドネットワーク
礒川悌次郎西村治彦松井伸之兵庫県立大NC2012-18
超複素数に基づくニューラルネットワークにおいて適切な活性化関数を定義することは非常に困難であり,従来の実数型ニューラルネ... [more] NC2012-18
pp.25-30
SDM 2011-12-16
11:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価
西川誠二岡田亮太松浦秀治阪電通大SDM2011-136
当研究室で提案している放電電流過渡分光法 (DCTS: Discharge Current Transient Spec... [more] SDM2011-136
pp.23-28
AN, MoNA, USN
(併催)
2011-01-21
15:50
広島 広島市立大学 太陽エネルギーを利用した無線センサネットワークにおける停止ノード再稼働条件の導入によるノード稼働率の向上
太田健太郎小林健太郎山里敬也片山正昭名大USN2010-63
太陽エネルギーの取得を行う無線センサネットワークにおけるノード稼働率の向上を目指している.ネットワーク全体の消費エネルギ... [more] USN2010-63
pp.137-142
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