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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2007-06-08 14:15 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 ○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）  SDM2007-48 |
化学溶液洗浄したp-Ge(100)基板上に、電子ビーム(EB) 蒸着により極薄Si 層を堆積しNH3熱窒化(600°C)... [more] | SDM2007-48 pp.91-96 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:45 |
京都 | 京都大学 | XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 ○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田 淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） |
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more] | ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 pp.35-38 |
| SDM | 2006-06-21 13:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析 ○中川 博・大田晃生・安部浩透・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） |
化学溶液洗浄したGe(100)基板上に反応性電子ビーム(EB)蒸着により堆積した極薄HfO2膜(膜厚2.1... [more] | SDM2006-43 pp.7-12 |
| SDM | 2006-06-21 16:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価 ○吉永博路・東 大介・村上秀樹・大田晃生・宗高勇気・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・青山敬幸・保坂公彦（富士通研）・芝原健太郎（広島大） |
不純物(Sb、As 、PおよびB)添加したNi-silicideを熱酸化シリコン酸化膜（SiO2）上に形成し、Si基板を... [more] | SDM2006-49 pp.43-48 |
| CPM | 2005-11-12 11:20 |
福井 | 福井大学 | ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ～ ヒドラジン一水和物添加の効果 ～ ○蛭田賢和・小林敏志・坪井 望・金子双男（新潟大） |
硫酸亜鉛とチオ尿素を主成分とする水溶液を用いたケミカルバス法により、ZnS薄膜を石英ガラス基板上に堆積することができた。... [more] | CPM2005-166 pp.21-25 |
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