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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2020-11-17 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価 ○浦部孝樹・新居浩二・小林和淑（京都工繊大）  VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30 |
本稿では SONOS Flash を用いた不揮発の SRAM メモリについてレイアウト設計を行い, その特性について回路... [more] | VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30 pp.1-5 |
| VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2020-11-18 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 不揮発フリップフロップを利用した個体認証技術PUFの検討とモデル化攻撃への耐性評価 ○石原浩樹・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2020-37 ICD2020-57 DC2020-57 RECONF2020-56 |
近年、LSIの模造品が問題となっており、LSIの製造ばらつきを利用したセキュリティ技術としてPUFが盛んに研究されている... [more] | VLD2020-37 ICD2020-57 DC2020-57 RECONF2020-56 pp.139-144 |
| VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2020-11-18 14:25 |
ONLINE | オンライン開催 | Approximate Computingを用いた不揮発性メモリへの画像データ書き込みにおけるエネルギー削減手法 ○小野義基・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57 |
MTJを用いた不揮発性メモリ(NVM)は、読み書き性能が良い・細粒度電源遮断が可能である一方、書き込みエネルギーが大きい... [more] | VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57 pp.145-150 |
| DE, IPSJ-DBS, IPSJ-IFAT (連催) |
2020-09-05 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 不揮発メモリデバイスの性能評価のためのマイクロベンチマークに関する初期検討 ○吉岡弘隆・合田和生・喜連川 優（東大） DE2020-14 |
近年不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory (NVM)) が注目を浴びている.SSD/HDD のように... [more] | DE2020-14 pp.7-12 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2020-02-27 16:05 |
鹿児島 | 与論町中央公民館 | NDCKPT: 不揮発性メインメモリを用いたOSによる透過的なプロセスチェックポインティングの実現 ○西田 耀・木村啓二（早大） CPSY2019-102 DC2019-108 |
アプリケーションの耐障害性を向上させる手法の一つにチェックポインティングがある．これまでに，アプリケーションを変更するこ... [more] | CPSY2019-102 DC2019-108 pp.87-92 |
| SDM | 2020-02-07 11:20 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) | ［招待講演］高精度デュアルダマシン加工技術 藤川 誠・山口達也（TTS）・菊地裕樹・前川 薫（TEL Technology Center, America）・河崎洋章・○飯塚洋二（東京エレクトロン） SDM2019-92 |
Abstract— Plasma induced damage on porous low-k dielectrics ... [more] | SDM2019-92 pp.21-23 |
| SDM | 2020-01-28 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing ○石丸一成（キオクシア） SDM2019-87 |
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト（... [more] | SDM2019-87 p.19 |
| PN | 2019-11-15 11:05 |
神奈川 | 慶應義塾大学 | ［招待講演］計算機メモリシステムの研究最新動向 ○広渕崇宏（産総研） PN2019-28 |
本発表では計算機メモリシステムにおける研究の最新動向を紹介する。相変化メモリや磁気メモリに代表される新たなメモリデバイス... [more] | PN2019-28 pp.29-35 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 15:05 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | 省エネルギー二値化ニューラルネットワーク向けMTJベース積和演算回路の構成 ○千葉智貴・夏井雅典・羽生貴弘（東北大） ICD2019-32 IE2019-38 |
本稿では，二値化ニューラルネットワークハードウェアへの適用に向けた，次世代不揮発記憶素子を活用した積和演算および活性化関... [more] | ICD2019-32 IE2019-38 pp.19-24 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 13:00 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | ［基調講演］Persistent Memoryの技術動向 ○今村智史（富士通研） VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43 |
アプリケーションが処理するデータ容量は年々増大し続けており，大容量データの高速処理を実現するために主記憶の容量増大が求め... [more] | VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43 p.175(VLD), p.43(ICD), p.43(IE), p.55(CPSY), p.175(DC), p.33(RECONF) |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2018-12-06 15:30 |
愛媛 | 愛媛大学 | 電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析 ○今村裕志（産総研） MRIS2018-23 |
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集め... [more] | MRIS2018-23 pp.19-23 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-05 11:00 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | ［基調講演］ポストCMOS回路技術が拓くAIハードウェアの挑戦 ○羽生貴弘（東北大） |
人工知能（Artificial Intelligence; AI）は，近年，その有用性がさまざまな応用分野で認識されつつ... [more] | |
| SDM | 2018-10-17 16:05 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 ○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎（東工大） SDM2018-55 |
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] | SDM2018-55 pp.15-19 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2018-08-23 15:55 |
北海道 | 小樽経済センター | ［招待講演］デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム ～ その背景と課題さらにその展望 ～ ○小林敏夫（芝浦工大） R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42 |
半導体技術に支えられたデジタル技術はその圧倒的な利便性と能力によって個人の生活と社会活動のために必須な技術なった．その一... [more] | R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42 pp.31-36 |
| ICD | 2018-04-20 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］A new core transistor equipped with NVM functionality without using any emerging memory materials ○Yasuhiro Taniguchi・Shoji Yoshida・Owada Fukuo・Yutaka Shinagawa・Hideo Kasai（Floadia）・Lin Jia You・Wei I Huan（PTC）・Daisuke Okada・Koichi Nagasawa・Kosuke Okuyama（Floadia） ICD2018-7 |
A tri-gate core transistor which has nonvolatile memory [NVM... [more] | ICD2018-7 pp.23-27 |
| ICD | 2018-04-20 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto（TMC）・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee（WDC）・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura（TMC） ICD2018-10 |
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] | ICD2018-10 pp.39-44 |
| OME | 2017-11-17 13:00 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | ［招待講演］トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発 ○永瀬 隆・三田翔也・塩野郁弥・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2017-27 |
塗布印刷プロセスによって作製できる有機電界効果トランジスタ (有機FET) の高移動度や動作安定性の向上は実用化に向けた... [more] | OME2017-27 pp.1-6 |
| SDM | 2017-11-10 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル ○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-71 |
28nm世代のフラッシュ混載MCUに搭載するスプリットゲート-MONOS型不揮発性メモリセル(SG-MONOSセル)の読... [more] | SDM2017-71 pp.53-58 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-07 09:25 |
熊本 | くまもと県民交流館パレア | ビアスイッチクロスバを用いた再構成可能デバイスのプログラム制約を考慮する配線手法 ○山口航誠・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2017-39 DC2017-45 |
本稿では, ビアスイッチを用いた再構成可能アーキテクチャにおける，スイッチのプログラミングに関する制約を考慮した配線手法... [more] | VLD2017-39 DC2017-45 pp.73-78 |
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