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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2011-07-29
15:20
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター フラッシングスプレーCVD法によるNb2O5膜の成膜
富永浩二堀場製作所)・寺阪正訓清水哲夫堀場エステック)・千田二郎同志社大)・石田耕三堀場製作所ED2011-41
4Gbit以降のDRAM用キャパシタ材料の候補である比誘電率が60のNb2O5膜に着目した。CVDプロセスにおいて出発原... [more] ED2011-41
pp.21-24
DC 2011-02-14
11:50
東京 機械振興会館 テスト実行時における初期温度均一化のためのパターン生成法
小副川絵美子米田友和井上美智子藤原秀雄奈良先端大/JSTDC2010-63
LSIのフィールド使用時における劣化検知は,LSIの品質や信頼性を保証するための重要な技術である.劣化は遅延値の増加とし... [more] DC2010-63
pp.27-32
DC 2010-02-15
09:25
東京 機械振興会館 テスト実行時の温度均一化のためのテストパターン並び替え法
中尾 良米田友和井上美智子藤原秀雄奈良先端大DC2009-66
VLSIのテスト実行時は,消費電力が空間や時間でばらつき,それに伴い回路温度が変動する.一方,回路の動作遅延は温度に依存... [more] DC2009-66
pp.7-12
EMCJ 2010-01-21
10:25
沖縄 琉球大学50周年記念館 128素子アレーアンテナを用いた放射イミュニティ評価装置
内田 雄宮崎千春岡 尚人三須幸一郎小西善彦三菱電機EMCJ2009-100
国際規格(IEC61000-4-3など)や工業会基準(例えば,SAE J1113-21)の放射イミュニティ試験では,供試... [more] EMCJ2009-100
pp.13-17
ED, MW
(共催)
2010-01-14
15:30
東京 機械振興会館 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET
大田一樹遠藤一臣岡本康宏安藤裕二宮本広信嶋脇秀徳NECED2009-189 MW2009-172
パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した.... [more] ED2009-189 MW2009-172
pp.81-85
TL 2008-08-09
09:45
宮城 ホテルオニコウベ [招待講演]Formal Features:Their Uniformity and Variation in Phonological Manifestation
Yeun-Jin JungDongeui Univ.TL2008-28
Sigurdsson (2003), extending Chomsky’s (2001) uniformity pri... [more] TL2008-28
pp.87-90
PRMU, NLC, TL
(共催)
2006-10-20
16:15
東京 NHK技研 Lawn weeds detection methods using image processing techniques
Ukrit WatchareeruetaiYoshinori TakeuchiTetsuya MatsumotoHiroaki KudoNoboru OhnishiNagoya Univ.
 [more] PRMU2006-115
pp.65-70
ED 2006-08-03
13:00
大阪 大阪大学 コンベンションセンター エージングによる印刷型カーボンナノチューブエミッターの発光均一性と寿命特性の改善
河合秀泰藤井俊治郎石田憲弘町田博宣尾浦憲治郎本多信一片山光浩阪大
スクリーン印刷法で作製したカーボンナノチューブ(CNT)エミッターのエージング効果について調べた. DC電界下,20 m... [more] ED2006-117
pp.1-4
EMCJ 2006-01-16
11:55
福岡 九州大学 電波反射箱による2.45GHz無線機の放射電力測定
杉山 功張間勝茂山中幸雄篠塚 隆NICT
電波反射箱内に無線機と電磁界を測定するアンテナが存在するとき,そのアンテナには無線機からの直接波の他に攪拌機によってラン... [more] EMCJ2005-129
pp.11-16
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