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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 09:40 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大）  VLD2019-36 DC2019-60 |
本稿では，低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき，かつ，書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と，そ... [more] | VLD2019-36 DC2019-60 pp.63-68 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 09:00 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | FiCCを用いたCMOS互換な超低消費電力不揮発性メモリ素子の特性測定回路の設計と試作 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2018-65 DC2018-51 |
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] | VLD2018-65 DC2018-51 pp.183-188 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 13:50 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 ○山口拓哉・奥 達哉・関根かをり（明大） SDM2017-41 ICD2017-29 |
MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回... [more] | SDM2017-41 ICD2017-29 pp.77-82 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 14:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価 ○大島 梓・岸田 亮・籔内美智太郎・小林和淑（京都工繊大） SDM2014-79 ICD2014-48 |
近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい る。本研究では, 65nm バルク・S... [more] |
SDM2014-79 ICD2014-48 pp.93-98 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 16:10 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ソース電圧シフトによるコンパレータの動的閾値制御を用いたSAR型ADCの小型、低電力化 ○米倉正樹・吉岡健太郎・石黒仁揮（慶大） SDM2014-82 ICD2014-51 |
極低電力かつ小面積の閾値制御ADC(TC-ADC)を提案する．このADCに使用されている閾値制御コンパレータ(TCC)は... [more] | SDM2014-82 ICD2014-51 pp.109-113 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 10:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術 ○クマール アニール・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2012-65 ICD2012-33 |
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより，SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] | SDM2012-65 ICD2012-33 pp.13-16 |
| SDM | 2011-10-21 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル ○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2011-110 |
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが，デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した．イオンの... [more] | SDM2011-110 pp.73-78 |
| SDM | 2010-12-17 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ ○吉岡裕典・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2010-185 |
18 nmから4 nmの断面サイズ（断面積の平方根）の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] | SDM2010-185 pp.1-6 |
| SDM | 2009-06-19 15:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39 |
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] | SDM2009-39 pp.71-76 |
| CPM, EMD, OME (共催) |
2009-06-19 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | 電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価 ○宮沢 亮・田口 大・Martin Weis・間中孝彰・岩本光正（東工大） EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 |
P3HT を半導体層とするMIS 構造素子のCMS、C-V 特性を測定した。C-V 特性から、電極から注入されたホールの... [more] | EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 pp.23-26 |
| VLD | 2009-03-13 11:05 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | サブスレッショルド回路における基板バイアスを考慮したトランジスタのばらつきモデリングとリングオシレータを用いた検証 ○更田裕司・橋本昌宜・密山幸男・尾上孝雄（阪大/JST） VLD2008-160 |
本稿では，90nmプロセスで試作したテストチップを用いて，サブスレッショル ド回路における製造ばらつきのモデリングと基... [more] |
VLD2008-160 pp.201-206 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 14:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化 ○藤井茉美・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・Ji Sim Jung・Jang Yeon Kwon（サムスン総合技術院） SDM2008-10 OME2008-10 |
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO（GIZO）薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] | SDM2008-10 OME2008-10 pp.47-50 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価 ○田村隆博・小谷淳二・葛西誠也・橋詰 保（北大） |
AlGaN/GaN HEMT構造をメサ形状に加工してショットキーラップゲート(WPG)を形成したナノ細線FETを作製し、... [more] | ED2006-232 MW2006-185 pp.179-182 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング ○園田賢一郎・石川清志・栄森貴尚・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] | VLD2006-42 SDM2006-163 pp.19-24 |
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