| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 09:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用 古賀泰志郎・永野貴弥・茂藤健太・山本圭介・○佐道泰造（九大）  SDM2023-7 OME2023-7 |
高性能システムインディスプレイの実現には，高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である．このためSiより高いキャリア... [more] | SDM2023-7 OME2023-7 pp.27-29 |
| SDM, OME (共催) |
2021-04-23 15:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用 ○都甲 薫（筑波大） SDM2021-4 OME2021-4 |
[more] | SDM2021-4 OME2021-4 pp.15-18 |
| SDM, OME (共催) |
2021-04-23 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 ○市川和典（松江高専） SDM2021-7 OME2021-7 |
我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得るため, 欠陥の少ない... [more] | SDM2021-7 OME2021-7 pp.26-29 |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用 ○都甲 薫（筑波大） |
[more] | |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 16:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 ○市川和典（松江高専） |
我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得るため, 欠陥の少ない... [more] | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 11:10 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 ○河野守哉・森 海・是友大地・古田 守（高知工科大） EID2019-16 |
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] | EID2019-16 pp.129-131 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 11:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ ○内海大樹（東北学院大）・北原邦紀・塚田真也（島根大）・鈴木仁志・原 明人（東北学院大） EID2018-4 SDM2018-77 |
塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲル... [more] | EID2018-4 SDM2018-77 pp.1-4 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 15:45 |
京都 | 京都大学 | 薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証 ○三宅康平・冨岡圭佑・三澤慶悟・木村 睦（龍谷大） EID2017-25 SDM2017-86 |
薄膜トランジスタ (TFT) の特性から医療分野への応用が期待されている．そこで,生体刺激デバイスに TFT が使用でき... [more] | EID2017-25 SDM2017-86 pp.71-76 |
| SDM | 2016-06-29 16:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 ○大橋 匠・松浦賢太朗（東工大）・石原聖也・日比野祐介・澤本直美（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） SDM2016-46 |
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから，柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] | SDM2016-46 pp.75-78 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 16:25 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製 中谷太一・原田大夢・○東 清一郎（広島大） SDM2016-9 OME2016-9 |
大気圧マイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)を石英基板上のアモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜へ照射し形成した結晶(... [more] | SDM2016-9 OME2016-9 pp.35-38 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 10:50 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ～ バックチャネルキャリア濃度の影響 ～ ○是友大地・戸田達也（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・古田 守（高知工科大） SDM2016-14 OME2016-14 |
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] | SDM2016-14 OME2016-14 pp.57-60 |
| OME | 2016-03-03 14:20 |
東京 | 東工大南3号館S322講義室 | ［招待講演］n型半導体高分子の分子設計と有機デバイスへの応用 ○道信剛志（東工大） OME2015-88 |
高性能なn型半導体高分子の開発を目指し，3つのアプローチを試みたので報告する．まず，n型半導体であるフラーレン（C60）... [more] | OME2015-88 pp.11-14 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 14:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 ○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-16 SDM2015-99 |
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] | EID2015-16 SDM2015-99 pp.31-34 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | 薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発 ～ TFTのin vitro実験 ～ ○春木翔太・冨岡圭佑・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-22 SDM2015-105 |
薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発を行っている．今回は，薄膜トランジスタで作製したCMOSインバータとリングオシ... [more] | EID2015-22 SDM2015-105 pp.57-60 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 10:35 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 ○岡田広美・藤井茉美・石河泰明（奈良先端大）・三輪一元（電中研）・浦岡行治（奈良先端大）・小野新平（電中研） R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 |
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は，優れた電気特性，低温作製可能，ワイドバンドギャップとい... [more] | R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 pp.5-8 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 11:00 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 ○山﨑はるか・石河泰明・藤井茉美・ジョアン パウロ ベルムンド（奈良先端大）・高橋英治・安東靖典（日新電機）・浦岡行治（奈良先端大） R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] | R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 pp.9-11 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-29 17:05 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響 ○古田 守・ジャン ジンシン・辰岡玄悟・王 大鵬（高知工科大） SDM2015-8 OME2015-8 |
本研究では酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるフッ素による欠陥終端効果とその信頼性影響... [more] | SDM2015-8 OME2015-8 pp.31-34 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 13:00 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 ○森崎誠司・林 将平・山本将悟・中谷太一・東 清一郎（広島大） SDM2015-13 OME2015-13 |
1µmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)... [more] | SDM2015-13 OME2015-13 pp.49-52 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]