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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-07-08 14:00 |
茨城 | 茨城大学 | 熱アシスト磁気記録における記録プロセスの検討(II) ○小林 正・北山達哉・藤原裕司（三重大）  MR2010-14 |
書き込み後の冷却過程と，書き換えにおける隣接トラックの情報安定性を考慮して，熱アシスト磁気記録における媒体設計をシミュレ... [more] | MR2010-14 pp.11-16 |
| SDM | 2010-06-22 13:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 ○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-41 |
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] | SDM2010-41 pp.43-48 |
| OME | 2010-01-12 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 ○藤井孝博（千葉大）・松井弘之（産総研）・長谷川達生（産総研/東大）・国吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・中村雅一（千葉大） OME2009-76 |
有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大き... [more] | OME2009-76 pp.51-56 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-10-08 13:55 |
福岡 | 福岡交通センター | ［招待講演］スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM) ○高橋宏昌・伊藤顕知・早川 純・三浦勝哉・山本浩之・山ノ内路彦・小埜和夫・竹村理一郎・河原尊之（日立）・佐々木龍太郎（東北大）・長谷川晴弘（東北大/日立）・池田正二（東北大）・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） |
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more] | |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2009-07-16 14:15 |
東京 | 東京工業大学 | リニアテ－プシステムにおける塗布型バリウムフェライト媒体の高密度化研究 ○原澤 建・松本彩子・武者敦史・清水 治（富士フイルム） MR2009-15 |
粒子体積1500nm3の微粒子バリウムフェライト磁性体を用いて熱安定性を確保したテ－プを作製した。GMRヘッドとGPR4... [more] | MR2009-15 pp.13-17 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2009-07-16 14:40 |
東京 | 東京工業大学 | データストレージ用磁気テープの熱安定性 ○西尾博明・山元 洋（明大） MR2009-16 |
平均体積(Vphy)が小さい(約2000-5000 nm3)針状メタル(MP)および六板状Ba-ferrite(BF)粒... [more] | MR2009-16 pp.19-24 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2009-03-06 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 | 熱アシスト磁気記録における記録プロセスの検討 ○小林 正・安田友則・藤原裕司（三重大） MR2008-65 |
書き込み後の冷却過程と，書き換えにおける隣接トラックの情報安定性を考慮して，熱アシスト磁気記録における媒体設計をシミュレ... [more] | MR2008-65 pp.19-24 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2008-11-21 16:50 |
東京 | 早稲田大学 | 垂直磁気記録媒体用Co-Pt-TiO2グラニュラ膜への熱処理による磁気特性・記録再生特性の改善 ○有明 順・木谷貴則（秋田県産技総研センター）・本多直樹（東北工大） MR2008-35 |
垂直磁気記録媒体用Co-Pt-TiO2薄膜に熱処理を施し，磁気特性，結晶特性そして記録特性がどのように変化するかを調べた... [more] | MR2008-35 pp.31-36 |
| CPM | 2007-11-16 16:10 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 ○武山真弓（北見工大）・中台保夫・神原正三（アルバックマテリアル）・畠中正信（アルバック）・野矢 厚（北見工大） CPM2007-111 |
Si-ULSI におけるCu 配線の拡散バリヤに、ZrB2 という新たな材料を適用するために、プロセスに適用可能な低温で... [more] | CPM2007-111 pp.35-38 |
| SDM | 2007-06-08 14:40 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 ○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大） SDM2007-49 |
高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o... [more] | SDM2007-49 pp.97-100 |
| ED | 2006-08-03 14:15 |
大阪 | 大阪大学 コンベンションセンター | カーボンナノチューブ束ピラー配列からの電界電子放出特性と安定性の評価 ○藤井俊治郎・河合秀泰・石田憲弘・町田博宣・尾浦憲治郎・本多信一・片山光浩（阪大） |
熱化学気相成長（CVD）法により，カーボンナノチューブ（CNT）束ピラー配列を作製し，電界電子放出特性と安定性の評価を行... [more] | ED2006-120 pp.17-20 |
| R, CPM, OPE (共催) |
2006-04-21 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 新規シリコーン系フレキシブル光導波路の作製とその基本特性 ○原 憲司・石川佳寛・東海林義和（旭電化） |
高耐熱性・高透明性・低硬化収縮性を有する光硬化型ナノハイブリッドシリコーン樹脂を用い、直接露光法により、マルチモード光導... [more] | R2006-4 CPM2006-4 OPE2006-4 pp.17-22 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 10:00 |
北海道 | 函館国際ホテル | ［特別招待講演］HfSiON ～ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ～ ○西山 彰・小山正人・上牟田雄一・小池正浩・飯島良介・山口 豪・鈴木正道・井野恒洋・小野瑞城（東芝） |
MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わ... [more] | SDM2005-146 ICD2005-85 pp.19-24 |
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