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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2018-08-10
11:05
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応
藤森敬典千田陽介増田悠右氏家夏樹遠田義晴弘前大CPM2018-18
20 nm~100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] CPM2018-18
pp.47-52
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
16:00
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果
岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・宮川鈴衣奈江龍 修名工大)・橋詰 保北大ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面,(20-2-1)面を主面とするGaN自立... [more] ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124
pp.111-115
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2011-01-20
13:00
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 熱アシスト磁気記録におけるヘッドディスクインタフェースに関する研究 ~ レーザ照射による潤滑膜の減耗特性 ~
三木隆生多川則男谷 弘詞関西大MR2010-52
次世代の超高密度磁気記録を実現させる技術として熱アシスト磁気記録が提案されている.この記録方式では,記録媒体がレーザ照射... [more] MR2010-52
pp.1-6
CPM 2009-08-10
15:05
青森 弘前大学 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
成田 克山形大)・安冨伍郎右ノ子知恵稲永征司並木 章九工大CPM2009-34
Si(100)表面からの水素分子(D$_{2}$)の脱離kineticsを昇温脱離法(Temperature-Progr... [more] CPM2009-34
pp.5-8
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