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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-03-08 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 | TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転 ○藤澤佑樹・吉川大貴・加藤剛志・岩田 聡（名大）・綱島 滋（名古屋産業科学研）  MR2012-50 |
大きな垂直磁気異方性を有し, 低キュリー温度のTbFeをメモリー層とした[Co/Pd] / MgO / TbFe垂直磁気... [more] | MR2012-50 pp.33-37 |
| SDM | 2012-12-07 16:15 |
京都 | 京都大学(桂) | HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係 ○鶴田茂之・木下健太郎・長谷川 祥・榎本優太郎・岸田 悟（鳥取大） SDM2012-135 |
新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるConducting Bridge memory (CB-RAM)... [more] | SDM2012-135 pp.119-122 |
| EMD | 2012-12-01 13:00 |
千葉 | 千葉工業大学 | ［招待講演］The Contact Resistance Performance of Gold Coated Carbon-Nanotube Surfaces under Low Current Switching. ○John W.McBride・Chamaporn Chianrabutra・Liudi Jiang・Suan Hui Pu（Univ. of Southampton） EMD2012-83 |
Multi-Walled CNT (MWCNT) are synthesized on a silicon wafer ... [more] | EMD2012-83 pp.105-112 |
| OME | 2012-11-19 13:00 |
大阪 | 大阪大学中之島センター 講義室３０２ | 垂直配向フッ化ビニリデン薄膜の面内分極反転による強誘電特性 ○井上敬章・小柴康子・三崎雅裕・石田謙司・上田裕清（神戸大） OME2012-66 |
サブミクロンギャップ櫛型を用いることで、従来構造では不可能であった垂直配向したVDFオリゴマー薄膜の面内分極反転による強... [more] | OME2012-66 pp.21-25 |
| NLP, CAS (共催) |
2012-09-20 12:40 |
高知 | 高知県立大学 永国寺キャンパス | 連続したオン状態を実現するブートストラップスイッチ回路の設計 ○西面尚彰・橘 昌良（高知工科大） CAS2012-30 NLP2012-56 |
H-SPICEを使用した回路シミュレーションを交えて，連続したオン状態を実現するブートストラップスイッチ(以下BSスイッ... [more] | CAS2012-30 NLP2012-56 pp.1-5 |
| EE | 2012-01-25 15:40 |
長崎 | 長崎大学 | スイッチトキャパシタコンバータのスイッチング軌跡とスイッチング損について ○平川晋也・庄山正仁（九大） EE2011-42 |
スイッチトキャパシタ(SC)は、キャパシタ同士をスイッチで接続することで電荷の移動を行っており、スイッチがオン状態とオフ... [more] | EE2011-42 pp.65-68 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 16:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル ○井手利英・清水三聡・沈 旭強（産総研）・森田竜夫・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 |
GaN-Gate Injection Transistor(GIT) 双方向スイッチは従来のスイッチング素子と比較して低... [more] | ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 pp.55-60 |
| ICD | 2011-04-19 15:50 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム ○花田明紘・木下健太郎・松原勝彦・福原貴博・岸田 悟（鳥取大） ICD2011-19 |
我々は銅酸化物高温超伝導体Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi-2212)バルク単結晶を用いて, Al / Bi-221... [more] | ICD2011-19 pp.105-109 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-03-11 16:45 |
愛知 | 名古屋大学 | TbFe層を用いた垂直磁化MTJの熱アシスト磁化反転 ○野田晃司・藤澤佑樹・加藤剛志・岩田 聡（名大）・綱島 滋（名古屋産業科学研） MR2010-63 |
希土類-遷移金属(RE-TM)膜をメモリー層とした垂直磁化型のTbFe / CoFeB / Al-O / [Co/Pd]... [more] | MR2010-63 pp.47-51 |
| EMD | 2010-11-11 10:45 |
海外 | 西安交通大学（中国、西安） | The effect of mechanical parameters of switch-type contact on relay life ○Wanbin Ren・Yubin Jiao・Xiaochen Li・Qiong Yu（Harbin Inst. of Tech.） EMD2010-75 |
The mechanical parameters of relay mainly include over-trave... [more] | EMD2010-75 pp.37-40 |
| EMD | 2010-11-11 13:00 |
海外 | 西安交通大学（中国、西安） | Carbon-nano tube surfaces for low current electrical contact applications ○John W. McBride・Mark Spearing（Univ. of Southampton）・Esa Yunus（Institut Teknologi Brunei） EMD2010-79 |
An experimental investigation of gold coated, multi-walled c... [more] | EMD2010-79 pp.53-56 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2009-10-02 10:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京（田町） | Thermal Noise Effects Caused by Settling Time Optimization in Switched-Capacitor Circuits ○Dong Ta Ngoc Huy・Masaya Miyahara・Akira Matsuzawa（Tokyo Inst. of Tech.） ICD2009-48 |
スイッチトキャパシタ回路において、スイッチのオン抵抗はセットリング時間に影響を与えると共に、熱雑音により精度を劣化させる... [more] | ICD2009-48 pp.81-86 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits ○Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Jun Hayakawa（Hitachi, Ltd.）・Huadong Gan・Kotaro Mizumuma・Ji Ho Park（Tohoku Univ.）・Hiroyuki Yamamoto・Katsuya Miura（Hitachi, Ltd./Tohoku Univ.）・Haruhiro Hasegawa・Ryutaro Sasaki・Toshiyasu Meguro（Tohoku Univ.）・Kenchi Ito（Hitachi, Ltd.）・Fumihiro Matsukura・Hideo Ohno（Tohoku Univ.） ED2009-51 SDM2009-46 |
[more] | ED2009-51 SDM2009-46 pp.5-8 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| ED | 2008-12-19 15:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ ○塚原良洋・天清宗山・後藤清毅・奥 友希・石川高英（三菱電機） ED2008-188 |
60GHｚ帯高アイソレーションSPDT（Single Pole Double Throw）MMICについて報告する。アイ... [more] | ED2008-188 pp.21-25 |
| EMD | 2008-11-16 13:40 |
宮城 | 東北文化学園大学（仙台） | Analytical Model of Melting Phenomena for Breaking Relay Contacts ○Noboru Wakatsuki・Nobuo Takatsu・Toshiteru Maeda・Takayuki Kudo（Ishinomaki Senshu Univ.） EMD2008-97 |
Using the transient current switch circuit in parallel with ... [more] | EMD2008-97 pp.129-132 |
| EE | 2008-07-25 10:25 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | 通信用直流給電システムにおけるアーク期間を考慮した直流ヒューズのモデル化 ○田中 徹・田中憲光・馬場崎忠利・三野正人（NTT） EE2008-24 |
通信用直流給電システムにおいて、アーク期間を考慮した直流ヒューズのシミュレーション用モデルを考案した。ヒューズブローの動... [more] | EE2008-24 pp.71-76 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 10:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・松尾尚慶（松下電器）・永井秀一・Ming Li（Panasonic Boston Lab）・鶴見直大・石田秀俊・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2008-73 SDM2008-92 |
[more] | ED2008-73 SDM2008-92 pp.177-181 |
| OME | 2008-05-29 13:00 |
東京 | 電気倶楽部第３会議室 | 印刷技術を用いたプラスチック微小機械式スイッチと大面積エレクトロニクスへの応用 ○横田知之・中野慎太郎・関谷 毅・染谷隆夫（東大） OME2008-21 |
インクジェット印刷技術を用いてプラスチック微小機械式スイッチの作製を行った。今回作成したスイッチは、プラスチックフィルム... [more] | OME2008-21 pp.1-6 |
| MW | 2008-02-29 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ダイレクトサンプリングミキサの低雑音設計手法に関する検討 ○那須貴文・荒木純道（東工大） MW2007-181 |
ダイレクトサンプリングミキサ(DSM)の低雑音化設計のために，スイッチトキャパシタフィルタ(SCF)部からの加法性雑音に... [more] | MW2007-181 pp.67-72 |
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