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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EE | 2023-01-19 17:05 |
福岡 | 九州工業大学（戸畑キャンパス 附属図書館AVホール） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
負荷非依存一定出力電流直列共振インバータ ○小宮山裕太郎・朱 聞起（千葉大）・魏 秀欽（千葉工大）・グエン キエン・関屋大雄（千葉大）  EE2022-42 |
本研究では，負荷非依存一定出力電流出力直列共振インバータを提案する.提案回路は負荷抵抗に関わら ず一定交流出力電流及びソ... [more] | EE2022-42 pp.89-94 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2022-08-18 15:45 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 ～ AIデバイス応用に向けて ～ ○中村駿斗・青木裕雅・甲斐洋行・木下健太郎（東京理科大） ED2022-22 |
Metal/NbドープSrTiO$_3$ (Nb:STO)の抵抗緩和現象が，シナプス可塑性を模倣できAIデバイスに応用可... [more] | ED2022-22 pp.21-24 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 ○李 遠霖・福地 厚・有田正志（北大）・森江 隆（九工大）・高橋庸夫（北大） ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 |
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は，人工シナプスを実現可能... [more] | ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 pp.29-34 |
| LQE, OPE, SIPH (共催) |
2018-12-06 17:10 |
東京 | 慶應義塾大学 | Fast and low power consumption MZI switch ○Manuel Mendez-Astudillo・Tomohiro Kita（Waseda Univ.） OPE2018-110 LQE2018-120 SIPH2018-26 |
高速・低消費電力なMZIスイッチ [more] | OPE2018-110 LQE2018-120 SIPH2018-26 pp.63-66 |
| EMD | 2017-11-17 13:45 |
東京 | 電気通信大学 | Study on Thermal Stability of Molten Bridge in an Arc-less Hybrid DC Switch ○Mo Chen・Yuta Yamada・Kyotaro Nakayama・Koichi Yasuoka（Tokyo Inst. of Tech.） EMD2017-48 |
Arc-less hybrid DC switches have high reliability due to the... [more] | EMD2017-48 pp.31-36 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-07 09:25 |
熊本 | くまもと県民交流館パレア | ビアスイッチクロスバを用いた再構成可能デバイスのプログラム制約を考慮する配線手法 ○山口航誠・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2017-39 DC2017-45 |
本稿では, ビアスイッチを用いた再構成可能アーキテクチャにおける，スイッチのプログラミングに関する制約を考慮した配線手法... [more] | VLD2017-39 DC2017-45 pp.73-78 |
| EMD | 2016-10-21 15:15 |
神奈川 | レンタルホール湘南平塚 | リレー接点における接点被膜生成現象とその表面分析法 ○青木 武（前 TANAKA HD） EMD2016-48 |
電気接点が最初に本格導入されたのは1890年、米の自動交換機からであるが、その後、1970年代ディジタルシステムに置き換... [more] | EMD2016-48 pp.13-17 |
| SDM | 2016-06-29 13:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大） SDM2016-38 |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] | SDM2016-38 pp.33-36 |
| EMCJ, IEE-EMC, IEE-MAG (連催) |
2016-06-02 13:42 |
海外 | NTU (台湾) | ［ポスター講演］Validation of Optimization Method of On-board RL Snubber According to Q Factor ○Naoki Kawata・Yusuke Yano・Kengo Iokibe・Yoshitaka Toyota（Okayama Univ.） EMCJ2016-27 |
ディジタルICへの電源供給回路(PDN)の共振抑制手法として，プリント基板上の電源配線に挿入するRL スナバ回路を提案し... [more] | EMCJ2016-27 pp.29-30 |
| SDM | 2015-11-06 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） SDM2015-90 |
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] | SDM2015-90 pp.35-38 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 13:35 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］原子スイッチを用いた不揮発性論理回路(NPL)およびROM ○辻 幸秀・白 旭・宮村 信・阪本利司・多田宗弘・伴野直樹・岡本浩一郎・井口憲幸（NEC）・杉井信之（日立）・波田博光（NEC） SDM2015-61 ICD2015-30 |
原子スイッチをコンフィグレーション用のスイッチとして用いた不揮発性論理集積回路(NPL)、および、メモリとして用いたRO... [more] | SDM2015-61 ICD2015-30 pp.19-24 |
| EE, IEE-SPC (連催) WPT (併催) [詳細] |
2015-07-07 14:00 |
京都 | 同志社大学 | 磁気結合型無線電力伝送システムにおける最大効率化のための包括的設計手法 ○野田 巧・永島和治・関屋大雄（千葉大） WPT2015-41 |
直流入力・直流出力の磁気結合型無線電力伝送システムの開発には，システム全体の電力変換効率（以下、全体効率）向上を考慮する... [more] | WPT2015-41 pp.31-36 |
| EMCJ, IEE-EMC (連催) |
2014-12-19 15:40 |
静岡 | 静岡大学 | ディジタルICのPDN共振を抑制するオンボードRLスナバの実装位置自由度の検討 ○五百旗頭健吾・豊田啓孝（岡山大） EMCJ2014-81 |
ディジタルICの電源供給回路(PDN)で発生する共振を抑制する手法としてRLスナバが提案されている。本報告ではプリント基... [more] | EMCJ2014-81 pp.69-74 |
| EMD | 2014-11-30 14:35 |
北海道 | 千歳市民文化センター | Investigation of the current on the wear area of Au-Au/MWCNT contact pair ○John W. McBride・Hong Liu（Univ. of Southampton Malaysia Campus）・Chamaporn Chianrabutra（Kasetsart Univ.）・Adam P. Lewis（Univ. of Southampton） EMD2014-90 |
A gold coated carbon nanotubes composite was used as a conta... [more] | EMD2014-90 pp.143-148 |
| AP, WPT (併催) |
2014-10-15 15:20 |
北海道 | 北大 クラーク会館 大会議室 | 磁界共振結合型無線電力伝送における送電側電圧制御を用いた効率改善に関する一検討 ○成末義哲・川原圭博・浅見 徹（東大） WPT2014-36 |
位置ずれによる相互インダクタンスの変化や，負荷抵抗値の変化によって，電力効率は大きく劣化する．この問題に対して，DC-D... [more] | WPT2014-36 pp.5-10 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 15:35 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション ○洗平昌晃（名大）・山本貴博（東京理科大）・白石賢二（名大） ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 |
磁気抵抗メモリは，不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており，次世代のメモリデバ... [more] | ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 pp.47-50 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 12:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス ○須田隆太郎・伊藤光樹・森原康平・豊中貴大・滝川主喜・白樫淳一（東京農工大） ED2013-149 SDM2013-164 |
ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用することで，強磁性単電子トランジスタ（Ferromagneti... [more] | ED2013-149 SDM2013-164 pp.95-100 |
| MW (ワークショップ) |
2013-12-02 - 2013-12-04 |
海外 | KMUTNB, Thailand | Electrically Switchable Reflector Implemented on Dielectric Substrate ○Shinya Kitagawa・Ryosuke Suga・Osamu Hashimoto（Aoyama Gakuin Univ.） |
An electrically switchable reflector which switches reflecti... [more] | |
| NLP | 2013-05-28 11:00 |
福岡 | 福岡大学 中央図書館 多目的ホール | あらゆる負荷抵抗において零電圧スイッチングを達成する誘導性インピーダンス変換器を用いたE級インバータの設計 ○永島和治（千葉大）・魏 秀欽・末次 正（福岡大）・関屋大雄（千葉大） NLP2013-22 |
本論文では，あらゆる負荷抵抗に対して零電圧スイッチング (Zero Voltage Switching : ZVS)を達... [more] | NLP2013-22 pp.71-75 |
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