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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2024-06-06 15:00 |
宮城 | 東北大通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ポーラスターゲットを用いたホットカソードRFスパッタリングによる熱アシスト磁気記録媒体用MgO下地層の高速成膜 ○山田航太・宮崎大輝・廣川祐生・Seong-Jae Jeon・清水章弘・日向慎太郎・小川智之・斉藤 伸（東北大）・岩谷幸作（豊島製作所） |
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| ED | 2023-12-07 14:50 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製 ○近藤 駿（成蹊大/産総研）・中野武雄・モハメッド シュルズ ミヤ（成蹊大）・長尾昌善・村田博雅（産総研）  ED2023-41 |
我々は、イオン化スパッタリング技術の一種である三極型大電力パルススパッタリング法（t-HPPMS）を用いたスピント型エミ... [more] | ED2023-41 pp.11-14 |
| US | 2023-11-27 13:45 |
静岡 | 静岡大学 | c軸平行配向ZnO膜の面内配向性及び圧電性の向上と厚みすべりモード共振子への応用 ～ 基板への粒子照射方向を制限したスパッタ成膜に関する検討 ～ ○冨山直樹・高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大） US2023-49 |
c軸が基板に対して平行に揃ったZnO膜は横波を励振でき、厚みすべりモード共振子に適している。この薄膜はRFマグネトロンス... [more] | US2023-49 pp.34-39 |
| MIKA (第三種研究会) |
2023-10-10 15:35 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］RFフィルタ向けエピタキシャル圧電薄膜多層構造 ○渡海 智・柳谷隆彦（早大） |
スマートフォンに代表される無線通信デバイスには、複数の無線周波数から所望の周波数のみを選択し送受信するための周波数フィル... [more] | |
| EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | ［ポスター講演］LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性 ○工藤慎也・柳谷隆彦（早大） US2022-66 |
LiNbO3は、Q値とk2値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配... [more] | US2022-66 pp.86-91 |
| ED | 2022-12-08 14:10 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 ○大住知暉（京大）・長尾昌善（産総研）・後藤康仁（京大） ED2022-53 |
直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニ... [more] | ED2022-53 pp.15-17 |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 14:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 ○福島孝晃・ホセ ピエドラ ロレンサナ・土谷 塁・飛沢 健・石川靖彦（豊橋技科大） ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 |
SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性... [more] | ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 pp.13-16 |
| CPM | 2021-10-27 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討 ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2021-21 |
3次元集積回路におけるCuを用いたシリコン貫通ビアでは、絶縁膜の200℃以下での堆積法を実現することが望まれている。そこ... [more] | CPM2021-21 pp.5-7 |
| SDM | 2021-10-21 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2021-46 |
[more] | SDM2021-46 pp.8-11 |
| US | 2020-11-05 13:00 |
愛知 | 愛知工業大学 八草キャンパス | 低圧スパッタ成膜で増大する負イオン照射がScAlN薄膜の結晶性と圧電性に及ぼす影響 ○冨永卓海・髙柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大） US2020-43 |
ScAlN薄膜は，AlN 薄膜よりも非常に大きな圧電性を有すことから，弾性波デバイスへの応用が期待されている．ScAlN... [more] | US2020-43 pp.1-6 |
| CPM | 2019-08-26 14:20 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | スパッタ法によるAZO膜堆積のための導電性酸化物焼結ターゲットの作製 ○清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎（新潟大） CPM2019-39 |
本検討では，1500℃及び1600℃にて焼結させたZnOに2wt.%のAl2O3を添加した導電性を有するAZO焼結体を作... [more] | CPM2019-39 pp.9-12 |
| SCE | 2019-08-09 13:05 |
茨城 | 産業技術総合研究所 | Nb3Ge超伝導薄膜の作製と評価 ○川上 彰・寺井弘高（NICT）・鵜澤佳徳（国立天文台） SCE2019-13 |
A15型結晶構造を有するNb3Ge薄膜は，最高で23 Kの超伝導転移温度を示し，ギャップ周波数は2 THzに達すると考え... [more] | SCE2019-13 pp.27-30 |
| US | 2018-11-02 15:20 |
愛知 | 愛知工業大学 | 石英ガラス管全面へのc軸平行配向ZnO薄膜の成膜 ○篁 佑太（同志社大）・高柳真司（名工大）・松川真美（同志社大）・柳谷隆彦（早大） US2018-68 |
弾性波の一つであるSH型SAWは，液体へのエネルギー漏洩が少なく，液体の粘度や導電率，誘電率を測定可能である．一方，高感... [more] | US2018-68 pp.25-30 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-01 14:50 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | スパッタ法によるZnとAZOによる二層膜の検討 ○清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎・坪井 望（新潟大） CPM2018-45 |
Ⅲ族元素をドープしたZnOの薄膜は，低抵抗の膜となることから，ITO薄膜に代わる透明導電膜用材料として注目されている。そ... [more] | CPM2018-45 pp.21-24 |
| SDM | 2018-10-18 10:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering ○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-58 |
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] | SDM2018-58 pp.31-34 |
| CPM | 2017-07-22 11:33 |
北海道 | 北見工業大学第一総合研究棟２F多目的講義室 | ［招待講演］薄膜電子材料開発のための低ダメージスパッタ成膜技術開発の歩み ○星 陽一（東京工芸大） CPM2017-38 |
著者は43年前に、始めてスパッタ法を用いてYIG膜の作製を試みる機会が与えられた。酸素負イオンや２次電子衝撃のために所望... [more] | CPM2017-38 pp.89-94 |
| SDM | 2015-10-30 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成 ○石井秀和（東北大）・高橋健太郎（住友大阪セメント）・後藤哲也・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2015-81 |
LaB6薄膜をマグネトロンスパッタ法で形成し，その仕事関数を評価した．LaB6薄膜の仕事関数は，LaB6ターゲット中の窒... [more] | SDM2015-81 pp.53-56 |
| US | 2015-09-03 15:50 |
北海道 | 第一滝本館 （北海道登別） |
イオンビームアシストRFマグネトロンスパッタ法を用いて作製したc軸平行配向ScAlN薄膜の電気機械結合係数 ○岡 峰生・高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大）・松川真美（同志社大） US2015-51 |
近年，Scを43%ドープしたAlN薄膜の圧電定数d33が5倍に増加すると報告された．我々は，これまでにc軸垂直配向ScA... [more] | US2015-51 pp.31-35 |
| CPM | 2015-08-11 09:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製 ○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚（北見工大） CPM2015-40 |
Cuを用いたシリコン貫通ビアに適用可能な拡散バリヤとして、スパッタにホットワイヤによるラジカル反応を組み合わせた手法を用... [more] | CPM2015-40 pp.47-50 |
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