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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］強磁性シリサイドの低温エピタキシャル成長とSiGe系スピントランジスタ ○宮尾正信（九大）・浜屋宏平（九大/JST）  ED2010-52 SDM2010-53 |
SiGe上における強磁性シリサイドのエピタキシャル成長、ショットキー接合を用いたスピン注入等の実験結果を述べ、SiGe系... [more] | ED2010-52 SDM2010-53 pp.11-13 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 11:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム ○川畑直之（九大）・黒澤昌志（九大/学振）・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-4 OME2010-4 |
次世代高速薄膜トランジスタ及び高効率薄膜太陽電池の実現には，高移動度や高い光吸収係数を有する新半導体材料(SiGe)薄膜... [more] | SDM2010-4 OME2010-4 pp.13-17 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 15:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)の形成のシード基板面方位・成長方向依存性 ○大田康晴・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-11 OME2010-11 |
我々は、SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) 形成を提案し、GOI (100)... [more] | SDM2010-11 OME2010-11 pp.49-52 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成 ○坂根 尭・都甲 薫・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-12 OME2010-12 |
インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(～1 μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピタキシャル成長法を考案し、... [more] | SDM2010-12 OME2010-12 pp.53-57 |
| SDM | 2009-11-13 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 ○竹田 裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内 潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス） SDM2009-144 |
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] | SDM2009-144 pp.49-53 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2009-10-02 15:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京（田町） | 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成 ○増田 徹・白水信弘・中村宝弘・鷲尾勝由（日立） ICD2009-56 |
本報告では24GHz帯やより高周波で動作する低雑音増幅回路（LNA）を対象に，高いイメージ抑圧効果を備える増幅回路の構成... [more] | ICD2009-56 pp.129-134 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 16:40 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | マグネトロンスパッタによるSiO2基板上への微結晶SiGeの堆積 ○廣江昭彦・後藤哲也・寺本章伸・大見忠弘（東北大） ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 |
マグネトロンスパッタを用いて、微結晶Si1-xGex (x~0.8)をSiO2基板上に堆積することに成功した。デポ条件を... [more] | ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 pp.37-42 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 16:15 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長 ○黒澤昌志・川畑直之・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2009-5 OME2009-5 |
次世代の高速薄膜トランジスタや高効率薄膜太陽電池の実現には，高キャリア移動度や高吸収係数を有する半導体薄膜をガラス上に形... [more] | SDM2009-5 OME2009-5 pp.19-23 |
| MW | 2009-03-06 16:00 |
東京 | NHK技研（世田谷区砧） | カレントリユース構成を用いた2GHz帯自己分周形直交ミクサ 谷口英司・○上田博民・下沢充弘・末松憲治（三菱電機） MW2008-205 |
近年のワイヤレス通信や移動通信端末向けの受信機においては，SiGe-BiCMOS及びCMOSプロセスを用いた受信RF-I... [more] | MW2008-205 pp.87-91 |
| MW | 2008-11-21 09:30 |
長崎 | 長崎大学 | 2周波共振回路を用いた供給電圧切替型デュアルバンド差動VCO ○長谷川廣行・白田真樹・坂本和良・伊藤康之（湘南工科大） MW2008-133 |
2周波共振回路を用いたデュアルバンド差動VCOの設計，試作，評価結果について述べる．複数の発振器または共振回路をスイッチ... [more] | MW2008-133 pp.85-90 |
| MW | 2008-11-21 09:55 |
長崎 | 長崎大学 | 帯域および利得可変マルチバンド差動増幅器 ○篠原利夫・白田真樹・坂本和良・伊藤康之（湘南工科大） MW2008-134 |
帯域，利得およびバンド数を変化できる帯域通過型または帯域阻止型マルチバンド差動増幅器の設計，試作，評価結果について述べる... [more] | MW2008-134 pp.91-96 |
| SAT | 2008-11-06 16:40 |
海外 | リビエラホテル釜山 | 多地点集信衛星通信システム用変復調装置 ～ 任意かつ動的に周波数配置されたFDMA信号を処理可能な一括変復調装置 ～ ○小林 聖・山下史洋・阿部順一（NTT） SAT2008-30 |
全国に配置された観測局からの情報を衛星経由で一括集信する、多地点集信衛星通信システムに用いる変復調装置を試作した。試作し... [more] | SAT2008-30 pp.81-86 |
| LQE, CPM, EMD, OPE (共催) |
2008-08-28 16:25 |
宮城 | 東北大学 | SiGeアノード層を用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化 ○宮城達郎・井田雄介・鈴木貴彦・成田 克・廣瀬文彦（山形大） EMD2008-43 CPM2008-58 OPE2008-73 LQE2008-42 |
電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス... [more] | EMD2008-43 CPM2008-58 OPE2008-73 LQE2008-42 pp.61-64 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2008-07-25 09:25 |
北海道 | 千歳アルカディア・プラザ | 帯域可変マルチバンドリジェクション差動増幅器 ○白田真樹・坂本和良・篠原利夫・伊藤康之（湘南工科大） MW2008-73 OPE2008-56 |
複数の阻止帯域を有し，かつそれぞれの阻止帯域を独立して変化できる帯域可変マルチバンドリジェクション差動増幅器について述べ... [more] | MW2008-73 OPE2008-56 pp.147-150 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2008-07-25 09:50 |
北海道 | 千歳アルカディア・プラザ | 橋絡T型減衰器を用いた利得可変差動増幅器 ○坂本和良・白田真樹・中村健司・伊藤康之（湘南工科大） MW2008-74 OPE2008-57 |
差動トランジスタペアのエミッタ間に橋絡T型減衰器を用い，橋絡T型減衰器を構成する抵抗をスイッチで切り替えることにより，デ... [more] | MW2008-74 OPE2008-57 pp.151-156 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI）を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET ～ ハイブリッド・ゲート構造 ～ 大田裕之（富士通研）・川村和郎（富士通マイクロエレクトロニクス）・福留秀暢（富士通研）・田島 貢・岡部堅一（富士通マイクロエレクトロニクス）・○池田圭司・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通研） SDM2008-148 ICD2008-58 |
本論文では新しい歪み技術である不純物閉じ込め層（DCL）をNMOSに、2層のNiフルシリサイド（Ni-FUSI）をPMO... [more] | SDM2008-148 ICD2008-58 pp.115-120 |
| SDM | 2008-06-09 13:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | ［チュートリアル講演］高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望 ○高木信一（東大） SDM2008-42 |
45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマル... [more] | SDM2008-42 pp.1-6 |
| RCS, AN, MoNA, SR, WBS (併催) |
2008-03-06 10:40 |
神奈川 | YRP | コグニティブ無線用0.4GHz-5.8GHz帯マルチバンド・マルチモード送受信SiGe-MMIC ○末松憲治・堤 恒次（三菱電機）・原田博司（NICT） SR2007-85 |
コグニティブ無線機用に0.4GHz～5.8GHz帯のすべての周波数帯をカバーすることができるマルチバンド特性と，様々な変... [more] | SR2007-85 pp.1-5 |
| SR | 2008-01-25 16:10 |
長野 | 立山プリンスホテル（長野県大町市） | 2 fLO局発切り替え方式 コグニティブ無線用 低送信スプリアスSiGe-MMIC送受信ダイレクトコンバータ ○堤 恒次・小野間史樹・小出 純・上杉美喜夫・末松憲治（三菱電機）・原田博司（NICT） SR2007-84 |
マルチモードシステムによるコグニティブ無線のRF部には，マルチバンド/マルチモード特性が求められている．マルチモード特性... [more] | SR2007-84 pp.115-120 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-18 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | スタック型共振器を用いたマルチバンド差動増幅器 ○篠原利夫・白田真樹・佐藤 稔・伊藤康之（湘南工科大） ED2007-225 MW2007-156 |
スタック型共振器を用いた利得等化機能付き4バンド差動増幅器の設計，試作，評価結果について述べる．複数の周波数で同時に整合... [more] | ED2007-225 MW2007-156 pp.115-118 |
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