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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-14 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］大画面フレキシブルディスプレイに向けた酸化物薄膜トランジスタの開発 ○辻 博史・中田 充・武井達哉・宮川幹司・中嶋宜樹・清水貴央（NHK） |
薄くて軽く，柔軟で丸めることもできる次世代のディスプレイとして，プラスチックフィルムを基板として用いるフレキシブルディス... [more] | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 15:15 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［依頼講演］原子状水素を用いた表面処理技術の半導体分野への応用 ○部家 彰（兵庫県立大） |
水素ガスを加熱金属線で分解し生成した原子状水素を用いた表面処理技術（原子状水素アニール（AHA））の半導体分野への応用に... [more] | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 11:10 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 ○河野守哉・森 海・是友大地・古田 守（高知工科大）  EID2019-16 |
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] | EID2019-16 pp.129-131 |
| EE, OME, CPM (共催) |
2019-11-26 11:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階1号室 | 酸化グラフェン正孔バッファー層上に作製した逆構造ペロブスカイト太陽電池の高性能化にむけた製膜方法の検討 ○尾川 卓・伊東栄次（信州大）・小野博信・郷田 隼（日本触媒） EE2019-41 CPM2019-83 OME2019-27 |
本研究では酸化グラフェン(GO)を正孔バッファー層として用いた逆構造ペロブスカイト太陽電池を作製した。交互吸着法と電気泳... [more] | EE2019-41 CPM2019-83 OME2019-27 pp.29-34 |
| CPM | 2019-11-07 15:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | ［招待講演］触媒反応支援化学気相成長法を用いた金属酸化物薄膜の成長 ○安井寛治（長岡技科大） CPM2019-48 |
触媒反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法の開発と... [more] | CPM2019-48 pp.21-26 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| MBE, NC (共催) |
2019-10-11 16:20 |
宮城 | 東北大学 | MRI血管径画像法で用いる磁性体造影剤の検討 ○中村和浩（秋田県立脳血管研究センター）・片山統裕（東北大）・小山内 実（阪大）・木下俊文（秋田県立脳血管研究センター） MBE2019-36 NC2019-27 |
常磁性体の磁化率効果が血管径によって異なることに着目し，スピンエコー法とグラジエントエコー法から得られた横緩和時間画像に... [more] | MBE2019-36 NC2019-27 pp.37-40 |
| CPM | 2019-08-26 14:20 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | スパッタ法によるAZO膜堆積のための導電性酸化物焼結ターゲットの作製 ○清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎（新潟大） CPM2019-39 |
本検討では，1500℃及び1600℃にて焼結させたZnOに2wt.%のAl2O3を添加した導電性を有するAZO焼結体を作... [more] | CPM2019-39 pp.9-12 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 15:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ［招待講演］シリコンにおける電子―電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター ○小野行徳（静岡大） ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13 |
エレクトロン・ナノ・アスピレーターは、T字型分岐を有するシリコン・ナノデバイスであり、電子の流体的性質を利用することによ... [more] | ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13 pp.25-28 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 ○李 遠霖・福地 厚・有田正志（北大）・森江 隆（九工大）・高橋庸夫（北大） ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 |
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は，人工シナプスを実現可能... [more] | ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 pp.29-34 |
| ED | 2019-04-18 13:25 |
宮城 | 東北大・通研 | 室温原子層堆積法を用いたZnO薄膜の特性評価 ○吉田一樹・齋藤健太郎・三浦正範・鹿又健作・廣瀬文彦（山形大） ED2019-2 |
酸化亜鉛(ZnO)は低コスト、ワイドバンドギャップ、高い可視光透過性、無毒といった特徴を持つ。このため透明導電膜、UVセ... [more] | ED2019-2 pp.5-8 |
| MBE | 2019-01-31 17:45 |
佐賀 | 佐賀大学 | 内皮細胞と平滑筋細胞を統合した血管マルチスケールモデルの構築 ○塚本 白・神山斉己（愛知県立大） MBE2018-72 |
動脈硬化症の初期段階では血管内皮機能が低下することが知られており，内皮機能の一つである一酸化窒素(NO)の産生は循環系の... [more] | MBE2018-72 pp.75-78 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2019-01-18 14:45 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | CdSe/ZnS量子ドット薄膜の表面プラズモン共鳴による発光増強 ○中村俊樹・村尾文弥・松山哲也・和田健司・岡本晃一（阪府大） PN2018-64 EMT2018-98 OPE2018-173 LQE2018-183 EST2018-111 MWP2018-82 |
CdSe/ZnS量子ドットのスピンコート膜による青色発光は，銀及びアルミニウム薄膜上の表面プラズモン共鳴によって増強する... [more] | PN2018-64 EMT2018-98 OPE2018-173 LQE2018-183 EST2018-111 MWP2018-82 pp.183-186 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 09:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | ブートストラップインバータを用いたRing-VCO ○山本晃徳・範 公可（電通大） CPM2018-92 ICD2018-53 IE2018-71 |
本稿では，65nm SOTB（Silicon on Thin Buried Oxide）プロセスで設計した，ブートストラ... [more] | CPM2018-92 ICD2018-53 IE2018-71 pp.21-25 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ○梶原瑛祐・新留 彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 |
リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する．これは，リセスエッチングで生じたG... [more] | ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 pp.13-16 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 10:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成 小原翔平・○寺迫智昭・難波 優・橋国直人（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・野本淳一・山本哲也（高知工科大） ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 |
硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンとの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によってイオンプレーティング法... [more] | ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 pp.55-60 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ○梅村将成・市村正也（名工大） ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 |
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] | ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 pp.65-70 |
| SDM | 2018-11-08 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2018-66 |
本研究では，超低消費電力な集積回路実現に向け，酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] | SDM2018-66 pp.11-16 |
| CPM | 2018-08-10 11:05 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 ○藤森敬典・千田陽介・増田悠右・氏家夏樹・遠田義晴（弘前大） CPM2018-18 |
20 nm～100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] | CPM2018-18 pp.47-52 |
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