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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 13:05 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 ○安部功二・久保田 佑（名工大）  ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 |
ゾル-ゲル法は，酸化亜鉛（ZnO）をはじめとする酸化物半導体の成膜に利用されている．しかし，ゾル-ゲル法で成膜したZnO... [more] | ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 pp.33-36 |
| SDM | 2022-11-10 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］CMOSを用いたスピン量子ビット読み出し単一電子回路シミュレーション ○棚本哲史（帝京大） SDM2022-68 |
量子コンピュータでは量子ビットの研究と同様に周辺回路の研究も重要である。量子ビットの検出には通常、単一電子素子 (Sin... [more] | SDM2022-68 pp.19-22 |
| SDM | 2022-11-11 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］自己加熱制御用の金属酸化物材料分子センサのコンパクトモデル実装 ○椎木陽介（慶大）・長田紳太郎・高橋綱己・柳田 剛（東大）・石黒仁揮（慶大） SDM2022-72 |
金属酸化物材料を使用した分子センサは一般に外部加熱を利用しているがセンサ以外の基盤等にも熱が逃げてしまうため大きな電力消... [more] | SDM2022-72 pp.40-43 |
| SDM | 2022-11-11 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化 ○野口宗隆・渡邊 寛（三菱電機）・喜多浩之（東大）・西川和康（三菱電機） SDM2022-75 |
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し... [more] | SDM2022-75 pp.50-54 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2022-08-18 15:45 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 ～ AIデバイス応用に向けて ～ ○中村駿斗・青木裕雅・甲斐洋行・木下健太郎（東京理科大） ED2022-22 |
Metal/NbドープSrTiO$_3$ (Nb:STO)の抵抗緩和現象が，シナプス可塑性を模倣できAIデバイスに応用可... [more] | ED2022-22 pp.21-24 |
| SDM | 2022-06-21 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大） SDM2022-24 |
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit... [more] | SDM2022-24 pp.1-4 |
| SDM | 2022-01-31 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング ○黒川義元・馬場晴之・大下 智・濱田俊樹・安藤善範・方堂涼太・大野敏和・廣瀬貴史・國武廣司・村川 努（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・小林正治（東大）・吉田 宏・Min-Cheng Chen（PSMC）・Ming-Han Liao（National Taiwan Univ.）・Shou-Zen Chang（PSMC）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） SDM2021-72 |
CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング... [more] | SDM2021-72 pp.16-19 |
| SCE | 2022-01-21 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 厚い三層メンブレンを用いた超伝導転移端ガンマ線マイクロカロリメータの熱特性とマイクロ波多重読出 ○菊地貴大・藤井 剛（産総研）・早川亮太（都立大）・ライアン スミス（東大）・平山文紀・佐藤 泰・神代 暁・浮辺雅宏（産総研）・大野雅史（東大）・佐藤 昭・山森弘毅（産総研） SCE2021-16 |
厚いメンブレンは強い機械的強度を示す。そのため、ガンマ線マイクロカロリメータ(γ-TES)の重金属のバルク吸収体を支える... [more] | SCE2021-16 pp.22-27 |
| SDM | 2021-10-21 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 ○三谷祐一郎（東京都市大） SDM2021-44 |
本論文では、ナノエレクトロニクスで幅広く用いられているシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜へのフッ素導入の影響に関して、実... [more] | SDM2021-44 pp.1-4 |
| SDM | 2021-10-21 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation ○Pyo Jooyoung・Ihara Akio・Ohmi Shun-ichiro（Tokyo Tech.） SDM2021-48 |
[more] | SDM2021-48 pp.16-19 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ハフニウム系強誘電体薄膜を用いた1T1R型アレイを使ったアナログインメモリコンピューティング ～ VLSI2021報告内容 ～ ○齋藤大輔・小林俊之・古賀洋貴（ソニー）・周藤悠介・奥野 潤・小西健太（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・塚本雅則・大栗一敦（ソニー）・梅林 拓（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・江崎孝之（ソニー） SDM2021-36 ICD2021-7 |
エッジデバイスにおけるディープニューラルネットワーク（DNN）を用いた認識実現のためには、低電力動作が求められている。こ... [more] | SDM2021-36 ICD2021-7 pp.33-37 |
| EMM | 2021-03-05 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ハートレー発振器を用いた物理的クローン不可関数に関する研究 ○曽我諒太・姜 玄浩（東京高専） EMM2020-78 |
物理的クローン不可関数（Physical Unclonable Function）の研究は, 個体識別やIoT(Inte... [more] | EMM2020-78 pp.63-66 |
| CPM | 2021-03-03 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnO/Cu₂Oヘテロ接合の作製 ○大本拓馬・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専） CPM2020-64 |
酸化銅（II）(CuO)薄膜と酸化銅（I）(Cu₂O)薄膜が，それぞれpH 10に調整された硝酸銅(II)三水和物を用い... [more] | CPM2020-64 pp.34-37 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT） ED2020-33 MW2020-86 |
ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において，電流利得遮断周... [more] | ED2020-33 MW2020-86 pp.30-33 |
| SCE | 2021-01-19 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 超伝導転移端型ガンマ線マイクロカロリメータの多画素化に適した三層メンブレンの熱コンダクタンスの評価 ○菊地貴大・神代 暁・早川亮大・藤井 剛・平山文紀・浮辺雅宏（産総研）・ライアン スミス・大野雅史（東大） SCE2020-18 |
我々はガンマ線を高いエネルギー分解能で検出することのできる超伝導転移端型マイクロカロリメータ（ Transition E... [more] | SCE2020-18 pp.7-12 |
| OME | 2020-12-25 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
MoO3とMgの反応により生成したMgOを陰極バッファーとして用いるタンデム型有機薄膜太陽電池の開発 ○景山 弘（琉球大） OME2020-14 |
酸化モリブデン (MoO3) と真空蒸着されたマグネシウム (Mg) との反応により生成したMgO陰極バッファーが、タン... [more] | OME2020-14 pp.29-32 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価 ○山本佑平・荒牧達也・伊藤 良・木村 睦（龍谷大） EID2020-3 SDM2020-37 |
工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である. 熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに... [more] |
EID2020-3 SDM2020-37 pp.9-12 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 粒子配向用チタン酸バリウム単結晶微粒子の合成 ○山﨑美沙・山口正樹（芝浦工大） EID2020-8 SDM2020-42 |
本研究では，水酸化バリウム水溶液，チタン乳酸錯体，水酸化ナトリウム水溶液を基本的な出発原料とした混合液を用い，インクジェ... [more] | EID2020-8 SDM2020-42 pp.29-34 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ ○福井智貴・中川滉貴・木村 睦（龍谷大） EID2020-14 SDM2020-48 |
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] | EID2020-14 SDM2020-48 pp.54-57 |
| SDM | 2020-11-19 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］第一原理計算とマテリアルズ・インフォマティクスに基づくペロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル ○野田祐輔（金沢学院大） SDM2020-25 |
本研究の目的は、マテリアルズデザインの合理的な設計指針を得るために、第一原理計算および多変量回帰分析を用いて、ペロブスカ... [more] | SDM2020-25 pp.15-20 |
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