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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 13:40 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | ［招待講演］組合せ最適化問題に適したCMOSアニーリングマシン ○山岡雅直（日立）  SDM2018-41 ICD2018-28 |
近い将来、社会で用いられるさまざまなシステムの最適化が必要となるが、 そこでは、組合せ最適化問題を解く技術がキー技術とな... [more] | SDM2018-41 ICD2018-28 p.89 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 13:45 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果 ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2018-49 ICD2018-36 |
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において，... [more] | SDM2018-49 ICD2018-36 pp.121-126 |
| HWS, ISEC, SITE, ICSS, EMM (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (共催) (連催) [詳細] |
2018-07-26 14:10 |
北海道 | 札幌コンベンションセンター | Compensation of Temperature Induced Flipping-Bits in CMOS SRAM PUF by NMOS Body-Bias ○Xuanhao Zhang・Xiang Chen・Hanfeng Sun・Hirofumi Shinohara（Waseda Univ.） ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 |
PUF suffers from flipping-bits caused by temperature changes... [more] | ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 pp.333-336 |
| ICD | 2018-04-20 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］A new core transistor equipped with NVM functionality without using any emerging memory materials ○Yasuhiro Taniguchi・Shoji Yoshida・Owada Fukuo・Yutaka Shinagawa・Hideo Kasai（Floadia）・Lin Jia You・Wei I Huan（PTC）・Daisuke Okada・Koichi Nagasawa・Kosuke Okuyama（Floadia） ICD2018-7 |
A tri-gate core transistor which has nonvolatile memory [NVM... [more] | ICD2018-7 pp.23-27 |
| ICD | 2018-04-20 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減 ○横山佳巧・石井雄一郎・奥田治之・新居浩二（REL） ICD2018-9 |
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] | ICD2018-9 pp.33-38 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | Drowsyキャッシュによる断熱的FinFET SRAMのばらつきの検証 ○田中友貴・高橋康宏・関根敏和（岐阜大） CAS2017-77 ICD2017-65 CPSY2017-74 |
本論文では，従来の6T SRAM，DrowsyキャッシュSRAM，アクセストランジスタをLPモードにした「提案回路1」，... [more] | CAS2017-77 ICD2017-65 CPSY2017-74 pp.71-74 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | バーチャルグランド構造を有する断熱的FinFET SRAMにおける動作に関する検討 ○伊藤凛太郎・高橋康宏・関根敏和（岐阜大） CAS2017-89 ICD2017-77 CPSY2017-86 |
本論文で検討するSRAMは，バーチャルグランド構造により保持モード時の漏れ電流を削減し，読み出し用回路により読込安定性の... [more] | CAS2017-89 ICD2017-77 CPSY2017-86 pp.119-122 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 09:45 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉（東大）・篠原尋史（早大）・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2017-38 ICD2017-26 |
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する．記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] | SDM2017-38 ICD2017-26 pp.49-54 |
| ICD | 2017-04-21 09:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能 ○北形大樹・周藤悠介・山本修一郎・菅原 聡（東工大） ICD2017-10 |
マイクロプロセッサやSoCの待機時電力を高効率に削減できる不揮発記憶を利用したパワーゲーティング(NVPG)に必要となる... [more] | ICD2017-10 pp.51-56 |
| ICD | 2017-04-21 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic ○Harsh N. Patel・Abhishek Roy・Farah B. Yahya・Ningxi Liu・Benton Calhoun（UVA）・Akihiko Harada（FEA）・Kazuyuki Kumeno・Makoto Yasuda・Taiji Ema（MIFS） ICD2017-11 |
本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL(Ultra-Low Leakage)トランジスタを用いた回路特性の評価... [more] | ICD2017-11 pp.57-61 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:25 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・良田雄太・柴田 健・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] | EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 pp.87-92 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 14:40 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | ［基調講演］IoT時代に向け組合せ最適化問題を効率的に解くCMOSアニーリングマシン ○山岡雅直（日立） VLD2016-59 CPM2016-81 ICD2016-42 IE2016-76 CPSY2016-52 DC2016-53 RECONF2016-49 |
組合せ最適化問題を効率よく解くアーキテクチャとしてイジングモデルを用いたCMOSアニーリングマシンを提案した。CMOSア... [more] | VLD2016-59 CPM2016-81 ICD2016-42 IE2016-76 CPSY2016-52 DC2016-53 RECONF2016-49 pp.91-96(VLD), pp.25-30(CPM), pp.25-30(ICD), pp.25-30(IE), pp.27-32(CPSY), pp.91-96(DC), pp.49-54(RECONF) |
| SDM | 2016-10-26 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-72 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | SDM2016-72 pp.21-25 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-02 09:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］超低電圧SRAMのソフトエラー耐性 ○橋本昌宜（阪大） SDM2016-54 ICD2016-22 |
本報告では、SRAMのソフトエラー耐性について議論する。特に、ニアスレッショルド回路やサブスレッショルド回路が対象とする... [more] | SDM2016-54 ICD2016-22 pp.53-58 |
| ICD | 2016-04-14 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法 ○良田雄太（ルネサス システムデザイン）・横山佳巧・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・稲田敏浩・田中浩司・田中美紀・辻橋良樹（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-1 |
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] | ICD2016-1 pp.1-6 |
| ICD | 2016-04-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM ○高島大三郎・遠藤真人（東芝）・島崎一浩・齋 学（東芝マイクロエレクトロニクス）・谷野雅章（東芝情報システム） ICD2016-2 |
本論文では、容量性結合によるデータ書込技術を用いた7Tr. SRAMについて述べる。従来SRAM固有の電流衝突を引き起こ... [more] | ICD2016-2 pp.7-12 |
| ICD | 2016-04-14 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM ○森 陽紀・中川知己・北原佑起・河本優太・高木健太・吉本秀輔・和泉慎太郎（神戸大）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2016-3 |
28-nm FD-SOIプロセス技術を用いた, 低消費電力かつ低電圧な画像処理向け64-kb 8T3ポートSRAMを提案... [more] | ICD2016-3 pp.13-16 |
| EA, SP, SIP (共催) |
2016-03-29 09:00 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター B-ConPlaza | ［ポスター講演］パラメリックスピーカの音場特性解析に関する検討 ○別所宏晃・史 創・梶川嘉延（関西大） EA2015-109 SIP2015-158 SP2015-137 |
本研究では，パラメトリックスピーカの音場特性解析について，その解析方法および解析結果について述べる．近年，パラメトリック... [more] | EA2015-109 SIP2015-158 SP2015-137 pp.237-241 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 10:55 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-67 ICD2015-36 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] | SDM2015-67 ICD2015-36 pp.53-57 |
| ICD | 2015-04-16 13:50 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］車載MCUにおける-40～170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM ○横山佳巧・石井雄一郎・福田達哉・辻橋良樹・宮西篤史（ルネサス エレクトロニクス）・朝山 忍・前川径一・柴 和利（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-3 |
40nm Flash混載CMOSプロセスを使用して、自動車アプリケーションMCU用に-40～170℃で動作するDual-... [more] | ICD2015-3 pp.9-14 |
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