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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2016-04-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 ○高橋庸夫（北大）・工藤昌輝（九大）・有田正志（北大）  ICD2016-5 |
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている．しかし、その長期信頼... [more] | ICD2016-5 pp.21-26 |
| ICD | 2016-04-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 ○田中誠大・石井智也・蜂谷尚悟・寧 渉洋・竹内 健（中大） ICD2016-6 |
バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして，低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReR... [more] | ICD2016-6 pp.27-32 |
| ICD | 2016-04-14 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ReRAM reliability characterization and improvement by machine learning ○Tomoko Ogura Iwasaki・Sheyang Ning・Hiroki Yamazawa・Chao Sun・Shuhei Tanakamaru・Ken Takeuchi（Chuo Univ.） ICD2016-8 |
The low voltage and fast program capability of ReRAM is very... [more] | ICD2016-8 pp.39-44 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 09:30 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］フィラメント制御による28nm混載メモリ向けReRAM開発 ○早川幸夫・姫野敦史・安原隆太郎・藤井 覚・伊藤 理・川島良男・池田雄一郎・川原昭文・河合 賢・魏 志強・村岡俊作・島川一彦・三河 巧・米田慎一（パナソニック） SDM2015-57 ICD2015-26 |
２８ｎｍ混載メモリ向けとして、耐熱性に優れ、フィラメント制御が可能なＴａＯｘ ＲｅＲＡＭ素子を提案する。その為に、我々は... [more] | SDM2015-57 ICD2015-26 pp.1-5 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 09:30 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］低電力混載ReRAM技術 ○植木 誠・田辺 昭・砂村 潤・成廣 充・上嶋和也・増﨑幸治・古武直也・満生 彰・武田晃一・長谷 卓・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-65 ICD2015-34 |
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子（活性領域は0.009um2）から成る 2MbのReR... [more] | SDM2015-65 ICD2015-34 pp.41-46 |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| SDM | 2015-06-19 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） SDM2015-52 |
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同... [more] | SDM2015-52 pp.75-80 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:15 |
京都 | 京都大学 | 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 ○小石遼介・森山拓洋・木村康平・河野公紀・宮下英俊・李 相錫・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-37 SDM2014-132 |
抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によっ... [more] | EID2014-37 SDM2014-132 pp.125-128 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:30 |
京都 | 京都大学 | NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性 ○篠倉弘樹・西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） EID2014-38 SDM2014-133 |
我々はこれまで，NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)において，NiO堆積時の酸素流量を適切に調節することでフォー... [more] | EID2014-38 SDM2014-133 pp.129-134 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:45 |
京都 | 京都大学 | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ ○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-39 SDM2014-134 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] | EID2014-39 SDM2014-134 pp.135-138 |
| ICD, CPSY (共催) |
2014-12-01 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［ポスター講演］抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み特性の評価 ○西川 進（中大）・寧 渉洋（東大）・竹内 健（中大） ICD2014-89 CPSY2014-101 |
ReRAM(抵抗変化型メモリ)はフラッシュメモリよりも高速で、動作に必要とする電圧の小さな次世代不揮発性メモリである。R... [more] | ICD2014-89 CPSY2014-101 p.57 |
| ICD, CPSY (共催) |
2014-12-01 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［ポスター講演］低電圧動作可能なReRAM向けプログラム電圧生成回路 ○田中誠大・石井智也・蜂谷尚悟・竹内 健（中大） ICD2014-93 CPSY2014-105 |
従来のNAND型フラッシュメモリを使用したソリッド・ステート・ドライブ（SSD）に低電力で高速アクセスが可能な抵抗変化型... [more] | ICD2014-93 CPSY2014-105 p.65 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| ICD | 2014-04-17 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］RAID-5/6構成のクラウドデータセンタ向けReRAM/TLC NANDフラッシュメモリのハイブリッドストレージ ○山沢裕紀・徳富 司（中大）・田中丸周平・寧 渉洋（中大/東大）・竹内 健（中大） ICD2014-4 |
クラウドデータセンタにおける信頼性, 速度, 容量要求を満たすために, RAID-5/6構成のReRAM/TLC (3ビ... [more] | ICD2014-4 pp.15-20 |
| ICD | 2014-04-17 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［パネル討論］システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ 三輪 達（サンディスク）・○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・藤田 忍（東芝）・小池洋紀（東北大）・竹内 健（中大） ICD2014-9 |
近年の新しい不揮発性メモリの発展は単に高集積のメモリチップの実現にとどまらず、その特徴を生かしたシステムづくりにも議論の... [more] | ICD2014-9 p.45 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 11:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2013-148 SDM2013-163 |
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では，固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] | ED2013-148 SDM2013-163 pp.89-94 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］抵抗変化型メモリ(ReRAM)のデータ保持特性の解析 ○山沢裕紀（中大）・田中丸周平（中大/東大）・竹内 健（中大） ICD2013-114 |
抵抗変化型メモリ(Resistive RAM; ReRAM)は、高い耐久性かつ低消費電力、高速な読み書きが可能なため次世... [more] | ICD2013-114 p.37 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］抵抗変化型メモリ(ReRAM）の抵抗値のコントロール ○藤井達也・Tomoko Ogura Iwasaki・竹内 健（中大） ICD2013-128 |
抵抗変化型メモリ(Resistive RAM; ReRAM)は、次世代不揮発メモリとして注目されており、データ保持時間や... [more] | ICD2013-128 p.65 |
| ICD | 2014-01-29 13:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［招待講演］半導体不揮発メモリを用いた次世代SSDの研究開発 ○上口 光（中大） ICD2013-135 |
近年NANDフラッシュメモリの低コスト化により，ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）がハードディスク（HDD）に取って... [more] | ICD2013-135 p.83 |
| SDM | 2013-12-13 14:10 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ［招待講演］抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案 ○木下健太郎（鳥取大/TEDREC）・長谷川 祥（鳥取大） |
我々はCu/HfO2/PtのConducting-Bridge Random Access Memory (CB-RAM... [more] | |
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