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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2016-03-03 16:15 |
東京 | 東工大南3号館S322講義室 | 熱プレス成形による曲面上へのトランジスタアレイの作製 ○渡辺堅斗・佐々木優志・林 潤郎・酒井正俊・岡田悠悟・山内 博・工藤一浩（千葉大）  OME2015-91 |
有機トランジスタは、フレキシビリティと生体への親和性を活かした用途として、バイオセンサや人工網膜などへの応用研究が盛んに... [more] | OME2015-91 pp.25-28 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2015-07-29 15:00 |
富山 | 富山大学工学部 | 異なる界面層を持つ有機薄膜トランジスタ ○サフィザン シャアリ・中 茂樹・岡田裕之（富山大） OME2015-38 |
[more] | OME2015-38 pp.23-27 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| ED | 2014-12-22 14:35 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性 ○渡邊一世（NICT）・遠藤 聡（NICT/富士通研）・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2014-101 |
InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ（HEMT）は，高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく，ミリ波帯... [more] | ED2014-101 pp.15-19 |
| ED | 2014-08-01 14:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善 ○竹内克彦・谷口 理・柳田将志（ソニー）・佐々木有司・中村光宏（ソニーセミコンダクタ）・和田伸一（ソニー） ED2014-58 |
低い挿入損失と良好な高調波歪特性により, Junction Pseudomorphic High Electron Mo... [more] | ED2014-58 pp.29-34 |
| ED | 2014-08-01 16:15 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 硬Ｘ線光電子分光によるGaAs表面の状態解析 ○斎藤吉広・鶴見大輔・飯原順次・富永愛子・米村卓巳・山口浩司（住友電工） ED2014-61 |
電子デバイス用GaAs半導体の表面状態に関し、硬X線光電子分光(HAXPES)による分析を行った。特に、GaAs表面の酸... [more] | ED2014-61 pp.47-50 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 16:10 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 導波路を伝搬した表面プラズモン信号によるMOSFETの直流および交流動作 ○酒井宏基・相原卓磨・武田愛弓・福原誠史・太田 雅・木村 優・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大） ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26 |
表面プラズモンポラリトン（SPP）は，回折限界の制約を超えた微小領域への光の局在を可能とするため，光電子集積回路（OEI... [more] | ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26 pp.51-54 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 16:30 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 ○川上恭平・石丸貴博・篠原正俊・岡田 浩（豊橋技科大）・古川雅一（アリエースリサーチ）・若原昭浩・関口寛人（豊橋技科大） ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 |
マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ... [more] | ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 pp.55-58 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-11 10:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | O2混合Arスパッタにより室温成膜したSiO2膜の電気特性評価 井村公彦・○岡田竜弥・下田清治・杉原弘也・野口 隆（琉球大） SDM2014-13 OME2014-13 |
フレキシブルディスプレイの作製において，良質の絶縁膜をプラスチックなどの低耐熱性基板上に形成することが求められる．本研究... [more] | SDM2014-13 OME2014-13 pp.55-57 |
| MoNA, IPSJ-MBL, IPSJ-UBI (連催) |
2014-03-14 12:00 |
神奈川 | 慶應義塾大学(日吉キャンパス) | AcrySense:インタラクティブなアクリル彫刻の提案と試作 ○三久保莉也（お茶の水女子大）・塚田浩二（公立はこだて未来大/JST）・椎尾一郎（お茶の水女子大） MoNA2013-84 |
近年，レーザー加工機などの普及に伴い，アクリル板の表面に彫刻を施した作品作り（アクリル彫刻）が身近になりつつある．こうし... [more] | MoNA2013-84 pp.357-362 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 14:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価 ○安西智洋・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2013-134 SDM2013-149 |
転写法により形成したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜と、ポリエチレンイミン(PEI)による化学ドーピングを用いて、プラ... [more] | ED2013-134 SDM2013-149 pp.13-18 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 17:00 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | 表面プラズモン検出器-MOSFET集積回路における静的および動的特性 ○相原卓磨・武田愛弓・福原誠史・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大） PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102 |
情報処理システムの更なる高速・大容量化の実現に向けて、集積回路内における光インターコネクトに関する研究が活発に行われてい... [more] | PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102 pp.303-306 |
| OME | 2013-10-11 10:40 |
大阪 | 阪大中之島センター | 有機トランジスタを使用したRFID用アクティブアンテナの作製 ○長谷川 奨・磯田俊介・橋詰貴裕・山内 博・國吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・飯塚正明（千葉大） OME2013-53 |
本研究では、低コストな印刷プロセスに向けたRFIDタグの作製に向け、段差型有機トランジスタとアンテナを一体化したRFID... [more] | OME2013-53 pp.11-16 |
| ED | 2013-08-09 11:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 ○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-49 |
最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の... [more] | ED2013-49 pp.61-65 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針 ○宮田俊敬・川中 繁・外園 明・大黒達也・豊島義明（東芝） SDM2013-67 ICD2013-49 |
汎用CMOSプロセスを用いて、ゲート長が100nmの自己整合的なDual Work Function (DWF)-MOS... [more] | SDM2013-67 ICD2013-49 pp.13-18 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-05 18:05 |
北海道 | サン・リフレ函館 | 2V有機トランジスタを集積化した義手の制御向け1um厚の表面筋電位測定シート ○更田裕司・吉岡和顕・篠塚康大・石田光一・横田知之・松久直司・井上雄介・関野正樹・関谷 毅・高宮 真・染谷隆夫・桜井貴康（東大/JST） ICD2013-46 |
表面筋電位は，皮膚表面で観測される筋肉の動きにより生成される微弱な電気信号で，義手の制御等に用いられる．従来の筋電位測定... [more] | ICD2013-46 pp.135-140 |
| SDM | 2013-06-18 17:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 ○梅田享英（筑波大）・岡本光央・小杉亮治（産総研）・荒井 亮・佐藤嘉洋（筑波大）・原田信介・奥村 元（産総研）・牧野高紘・大島 武（原子力機構） SDM2013-64 |
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）はノーマリーオフ，高パワー密度，超低損失のパワーデバイスとして... [more] | SDM2013-64 pp.101-105 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
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