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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE | 2012-12-13 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源 ○岩井則広・若葉昌布・小早川将子・清田和明・黒部立郎・小林 剛・木本竜也・向原智一・横内則之・粕川秋彦（古河電工）  LQE2012-133 |
光集積素子（ PIC : Photonic Integrated Circuit ）は，次世代の光通信システムにおいて，... [more] | LQE2012-133 pp.55-58 |
| SDM | 2010-10-22 10:30 |
宮城 | 東北大学 | 計算化学によるSi/SiC量子ドット太陽電池におけるキャリアトラップの解析 ○広瀬 祥・山下 格・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2010-161 |
Si/SiC量子ドット太陽電池では、量子ドット/バルク界面欠陥によるキャリアトラップが問題となっている。これはSiとSi... [more] | SDM2010-161 pp.39-40 |
| SDM | 2010-10-22 15:20 |
宮城 | 東北大学 | 自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン酸化膜形成の反応解析への応用 ○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2010-168 |
外部の量子化学計算プログラムを呼び出してエネルギー計算を行い得られた原子間エネルギーを元に分子動力学用ポテンシャルパラメ... [more] | SDM2010-168 pp.67-68 |
| SDM | 2009-11-13 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2009-143 |
原子論に基づく量子輸送計算のための離散版R行列法を定式化した．開発した手法を用いることにより，デバイスシミュレーションに... [more] | SDM2009-143 pp.45-48 |
| SDM | 2009-11-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション ○鈴木 研・伊藤雄太・井上達也・三浦英生（東北大）・吉川英樹・小林啓介（物質・材料研究機構）・寒川誠二（東北大） SDM2009-149 |
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し，High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] | SDM2009-149 pp.79-84 |
| LQE, OPE (共催) |
2009-06-19 09:05 |
東京 | 機械振興会館6階66号室 | 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討 ○井芹有志・荒川太郎（横浜国大）・多田邦雄（金沢工大）・羽路伸夫（横浜国大） OPE2009-16 LQE2009-19 |
InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(Five-Layer Asymmetric Coupled Quant... [more] | OPE2009-16 LQE2009-19 pp.1-6 |
| LQE | 2009-05-22 13:05 |
富山 | 金沢大学角間キャンパス、自然科学研究科棟 G15会議室 | GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価 ○揖場 聡・黄 晋二・河口仁司（奈良先端大） LQE2009-9 |
(110)基板上のIII–V族化合物半導体量子井戸は、非常に長い電子スピン緩和時間を示すことから、スピンデバ... [more] | LQE2009-9 pp.43-48 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-01 14:45 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | ［招待講演］SiGe系量子効果デバイス ～ 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術 ～ ○須田良幸・前川裕隆・佐野嘉洋・高橋陽一・小林忠正・花房宏明（東京農工大） |
地球資源的に有望なSi系材料を用いる次世代のナノデバイスとして，SiGe共鳴トンネルデバイス（RTD）および通信波長帯の... [more] | ED2006-243 SDM2006-231 pp.17-22 |
| SCE | 2006-07-06 10:40 |
東京 | 機械振興会館 | 量子ビット用マルチチップモジュールへのSQUID応用 ○宮崎利行（JST）・萬 伸一（NEC）・前澤正明（産総研）・日高睦夫（国際超電導産技研センター）・蔡 兆申（NEC） |
極低温で論理回路として動作する磁束量子素子は、超伝導量子ビットの読み出しおよび制御に適した素子である。 磁束量子素子は... [more] |
SCE2006-15 pp.19-22 |
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