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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-10-19 16:30 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | ［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 ○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大）  SDM2022-62 |
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている．SiC MOSFET... [more] | SDM2022-62 pp.34-37 |
| R | 2020-11-30 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 電位コントラスト法を用いた積層セラミックコンデンサの劣化解析 ○斎藤 彰（村田製作所） R2020-27 |
積層セラミックコンデンサ（MLCC）の小型化と薄層化により，高信頼性の維持が困難になりつつある．特に電極界面付近の影響が... [more] | R2020-27 pp.21-24 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 09:30 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 混合導電性SrFeO3-δの結晶構造と酸素透過特性 ○籠宮 功・白川史朗・柿本健一（名工大） ED2015-29 CPM2015-14 SDM2015-31 |
結晶異方性を持ち、酸素欠損量が多く、高い全導電率を示すことが知られているSrFeO3-δ(δ= ～0.25)に着目し、酸... [more] | ED2015-29 CPM2015-14 SDM2015-31 pp.67-69 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| SDM | 2007-06-08 10:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 ○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大） SDM2007-42 |
電圧ストレス下におけるHfSiOx膜およびHfSiON膜のしきい値電圧変化を評価した。その結果、しきい値電圧の変化を-Δ... [more] | SDM2007-42 pp.59-64 |
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