| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ○梅村将成・市村正也（名工大）  ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 |
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] | ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 pp.65-70 |
| SDM | 2018-11-08 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2018-66 |
本研究では，超低消費電力な集積回路実現に向け，酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] | SDM2018-66 pp.11-16 |
| ICD | 2018-04-20 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI ○小山 潤・関 貴子・八窪裕人・大下 智・古谷一馬・石津貴彦・熱海知昭・安藤善範・松林大介・加藤 清・奥田 高（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） ICD2018-12 |
ｃ軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたFETは6yA/μm（85℃）という極めて小... [more] | ICD2018-12 pp.47-52 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 14:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・牧野久雄・橋本慎輔・濵田賢一朗・増田健太郎・古田 守（高知工科大） SDM2018-8 OME2018-8 |
In–Ga–Zn–O (IGZO)と酸化銀(AgOX)の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属-酸化物半導体接合より良好なSch... [more] | SDM2018-8 OME2018-8 pp.33-36 |
| SDM | 2018-01-30 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2017-92 |
本研究では，酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた，Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] | SDM2017-92 pp.5-8 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:30 |
京都 | 京都大学 | レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 ○野村竜生・荒牧達也・松田時宜（龍谷大）・梅田鉄馬・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-17 SDM2017-78 |
廃熱を回収し，効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられて... [more] | EID2017-17 SDM2017-78 pp.29-34 |
| CPM | 2017-07-21 14:06 |
北海道 | 北見工業大学第一総合研究棟２F多目的講義室 | sol-gel法によるZnO薄膜作製に関する研究 ○菅沼幸雄・高野 泰（静岡大） CPM2017-23 |
sol-gel法で酸化亜鉛(以下ZnO)薄膜を作製した。また、Mgを加えたZnO(以下MgZnO)を作製し特性の比較を行... [more] | CPM2017-23 pp.9-13 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 10:50 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング ○木村史哉・アブドゥラ ハナキ・孫 屹・佐々木祥太・永山幸希・小山政俊・前元利彦・佐々誠彦（阪工大） ED2016-132 SDM2016-149 |
酸化亜鉛(ZnO)は3.37 eVのエネルギーバンドギャップを有するため，可視光領域において透明である．また，次世代ディ... [more] | ED2016-132 SDM2016-149 pp.13-16 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 16:15 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | GTO薄膜を用いたプレーナ型シナプスの特性評価 ○生島恵典・梅田鉄馬・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2016-27 SDM2016-108 |
ニューラルネットワークとは, 人間の脳を基とした情報処理モデルであり, 盛んに研究されている. しかし, ハードウェ... [more] |
EID2016-27 SDM2016-108 pp.81-84 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大） ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 |
コランダム構造をもつワイドバンドギャップ半導体α-In2O3 (Eg= 3.7 eV)は酸素空孔や格子間インジウム等で電... [more] | ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 pp.85-88 |
| CPM | 2016-11-19 11:15 |
石川 | 金沢工大 扇が丘キャンパス | Microwaveを用いた溶液成長法によるZnO薄膜堆積 ○吉谷地優聴・高野 泰（静岡大） CPM2016-72 |
溶液成長法によりZnO薄膜を堆積させた。基板の処理や反応溶液の加熱にMicrowaveを用いて堆積させたZnO薄膜と、M... [more] | CPM2016-72 pp.55-58 |
| SANE | 2016-10-20 14:20 |
大阪 | 大阪工業大うめきたナレッジセンター | ［特別講演］金属酸化物半導体ガスセンサによる知的電子鼻と匂い通信への応用可能性 ○大松 繁（阪工大） SANE2016-40 |
本論文では、階層型ニューラルネットワークによる電 子鼻を構成し、火事検出に対する有用性について検討する。 さらに、匂... [more] |
SANE2016-40 pp.3-11 |
| ED | 2016-07-23 15:05 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2016-29 |
現在，酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために，高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっ... [more] | ED2016-29 pp.11-15 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 09:30 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | ［招待講演］酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製 ○尹 聖民・金 昭淨・朴 珉智・尹 多貞（慶熙大） SDM2016-12 OME2016-12 |
可視光に対する透明性及び機械的な柔軟性を持ち備えた不揮発性メモリ素子は多様な興味深い応用に用いることができる。本稿では電... [more] | SDM2016-12 OME2016-12 pp.49-52 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 14:00 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | ［招待講演］酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開 ○前元利彦・孫 屹・松田宗平・佐々木翔太・芦田浩平・カルトシュタイン オリバー・小山政俊・小池一歩・矢野満明・佐々誠彦（阪工大） ED2015-121 SDM2015-128 |
酸化物半導体のデバイス応用として，フレキシブル酸化亜鉛（Zinc oxide; ZnO）薄膜トランジスタの開発と高性能化... [more] | ED2015-121 SDM2015-128 pp.1-6 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 14:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 ○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-16 SDM2015-99 |
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] | EID2015-16 SDM2015-99 pp.31-34 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]