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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPSY, IPSJ-ARC (連催) |
2016-10-06 10:00 |
千葉 | 幕張メッセ | ［技術展示］IoT機器に向けた不揮発性メモリセキュリティ技術の提案 ～ メモリ内蔵MCUおよび汎用プロセッサ向けの保護機構 ～ ○橋本幹生・天沼佳幸・梅澤健太郎・小池竜一・金井 遵・山田菜穂子（東芝）  CPSY2016-51 |
IoT機器はその情報保護，特に不正操作の影響が永続する不揮発メモリの情報保護が大きなセキュリティ課題である．本展示では２... [more] | CPSY2016-51 pp.37-42 |
| RECONF | 2016-05-19 17:30 |
神奈川 | 富士通研究所 | ［招待講演］IoT社会を支える重要技術の動向 ○松井俊浩・関根 久・林 秀樹・大窪宏明・砂口洋毅・松尾直之・佐藤義竜（NEDO TSC） RECONF2016-16 |
来たるべきIoT社会におけるキーテクノロジを不揮発メモリ、センサー、組込みソフトウェア、サイバーセキュリティと考え、それ... [more] | RECONF2016-16 pp.77-82 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-21 11:20 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | フルシステムシミュレータによるソフトウェア定義型SSDのアーキテクチャ最適化 ○五木田 駿・風間 哲・柴田清己・桑村慎哉・吉田英司・小川淳二（富士通研） VLD2015-103 CPSY2015-135 RECONF2015-85 |
近年，SSDのFTLをソフトウェアで実装することでNAND Flashデバイスの高並列制御を行うソフトウェア定義型SSD... [more] | VLD2015-103 CPSY2015-135 RECONF2015-85 pp.197-202 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-21 14:15 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 冗長符号化を用いたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み量削減 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政生・戸川 望（早大） VLD2015-107 CPSY2015-139 RECONF2015-89 |
ノイマン型コンピュータにおいて重要なメインメモリに不揮発性メモリを使用する動きがある． 不揮発性メモリは書き込みエネル... [more] |
VLD2015-107 CPSY2015-139 RECONF2015-89 pp.221-225 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-03 15:00 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | 回路面積を考慮した不揮発性メモリ書き込み削減符号生成手法 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政生・戸川 望（早大） VLD2015-76 DC2015-72 |
近年，大容量の不揮発性メモリの実用化が進んでいる．不揮発性メモリはリーク電力が非常に小さい，電源が供給されていなくても情... [more] | VLD2015-76 DC2015-72 pp.249-253 |
| CPSY, IPSJ-ARC (連催) DC (併催) [詳細] |
2015-08-06 14:30 |
大分 | ビーコンプラザ(別府) | フラッシュSSDを用いたout-of-core大規模ステンシル計算の性能向上手法とその効果 ○緑川博子・丹 英之（成蹊大） CPSY2015-41 |
フラッシュを主メモリ拡張として用いるための３つの手法（swap，mmap，aio）を比較した後，有望なaioとmmap方... [more] | CPSY2015-41 pp.241-246 |
| ICD | 2015-04-16 16:40 |
長野 | 信州大学 | ［パネル討論］クラウド時代の半導体メモリー技術 ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・宮地幸祐（信州大）・高野了成（産総研）・高木健誠・三輪 達（サンディスク） ICD2015-7 |
近年の不揮発性メモリの発展、とりわけNAND型フラッシュメモリの高集積化に伴い、HDDからフラッシュメモリを用いたSSD... [more] | ICD2015-7 p.31 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-EMB, IPSJ-SLDM (共催) (連催) [詳細] |
2015-03-07 09:20 |
鹿児島 | 奄美市社会福祉協議会 会議室（2F・４F） | 不揮発性メモリを用いたニューロチップに関する検討 ○富井 潤・近藤正章・中村 宏（東大） CPSY2014-176 DC2014-102 |
機械学習技術の進歩とともに、ニューラルネットワークを高速処理するニューロチップの重要性が高まっている。特に大規模なネット... [more] | CPSY2014-176 DC2014-102 pp.83-88 |
| VLD | 2015-03-03 16:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［記念講演］A Bit-Write Reduction Method based on Error-Correcting Codes for Non-Volatile Memories ○Masashi Tawada・Shinji Kimura・Masao Yanagisawa・Nozomu Togawa（Waseda Univ.） VLD2014-173 |
Non-volatile memory is superior to SRAM in terms of its high... [more] | VLD2014-173 p.115 |
| ICD, CPSY (共催) |
2014-12-01 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［ポスター講演］不揮発性メモリ搭載マイコンの低電力化を目的とした透過型命令キャッシュの提案と評価 ○金 多厚・肥田 格・浅井哲也・本村真人（北大） ICD2014-82 CPSY2014-94 |
スマートソサイエティを支える基盤技術としてセンサネットワークが注目されている中、センサノード等で使われるマイコンの低消費... [more] | ICD2014-82 CPSY2014-94 p.43 |
| ICD, CPSY (共催) |
2014-12-01 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［ポスター講演］抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み特性の評価 ○西川 進（中大）・寧 渉洋（東大）・竹内 健（中大） ICD2014-89 CPSY2014-101 |
ReRAM(抵抗変化型メモリ)はフラッシュメモリよりも高速で、動作に必要とする電圧の小さな次世代不揮発性メモリである。R... [more] | ICD2014-89 CPSY2014-101 p.57 |
| ICD, CPSY (共催) |
2014-12-01 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［ポスター講演］Carbon nanotube(CNT)を用いた不揮発性メモリデバイスの信頼性評価 ○柳沢英祐（中大）・寧 渉洋（中大/東大）・竹内 健（中大） ICD2014-91 CPSY2014-103 |
Carbon nanotube(CNT)を用いたメモリデバイス(NRAM)のデータの書き込みと消去はCNTデバイスにRe... [more] | ICD2014-91 CPSY2014-103 p.61 |
| IA | 2014-11-27 13:00 |
鳥取 | 国民宿舎 グリーンスコーレ関金（鳥取） | 不揮発データを利活用する高信頼通信装置 ○奥 智行（日立）・新 善文（アラクサラネットワークス） IA2014-67 |
通信装置（ルータ・スイッチ）における各種イベントの記録は，障害原因の分析に有効である．しかし，通信装置で記録対象として扱... [more] | IA2014-67 pp.31-36 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2014-11-28 09:15 |
大分 | ビーコンプラザ（別府国際コンベンションセンター） | 不揮発メモリを対象とした最大ハミング距離と最小ハミング距離を制約した符号による書き込み手法のエネルギー評価 ○古城辰朗・多和田雅師・柳澤政生・戸川 望（早大） VLD2014-105 DC2014-59 |
デバイスの微細化によってメモリに保存されている値が破壊されるリスクが増大する．メモリの値を破壊から守る手法として誤り訂正... [more] | VLD2014-105 DC2014-59 pp.221-226 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2014-11-28 09:40 |
大分 | ビーコンプラザ（別府国際コンベンションセンター） | 不揮発メモリの書き込み削減手法のための小面積なエンコーダ/デコーダ回路構成 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政夫・戸川 望（早大） VLD2014-106 DC2014-60 |
不揮発メモリはリーク電力が非常に小さい，電源が落ちていても情報を保持できると いった性質から次世代メモリとして注目され... [more] |
VLD2014-106 DC2014-60 pp.227-232 |
| CPSY | 2014-10-10 13:50 |
千葉 | 幕張メッセ国際会議場303会議室 | ブロックデバイス非同期I/Oによるフラッシュストレージを用いたステンシル計算の性能評価 ○丹 英之・緑川博子（成蹊大/JST） CPSY2014-52 |
物理メモリを超えた問題サイズのステンシル計算を実行するため，テンポラルブロッキングによりデータ参照局所性を高めるアルゴリ... [more] | CPSY2014-52 pp.31-36 |
| CAS, SIP, MSS, VLD, SIS (共催) [詳細] |
2014-07-11 13:40 |
北海道 | 北海道大学 | RISCプロセッサの内部レジスタの不揮発化に向けた書き込み削減手法 ○後藤智哉・柳澤政生・木村晋二（早大） CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 |
近年MTJ(Magnetic Tunnel Junction) に基づく次世代不揮発メモリの研究開発が進み，プロセッサ内... [more] | CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 pp.213-218 |
| CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2014-01-29 15:15 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 差分を用いた不揮発メモリの書込み回数削減による低電力回路設計 ○篠原寛行・柳澤政生・木村晋二（早大） VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 |
LSI の低消費電力化のために，モジュール毎の細やかな電源オフは欠かせない． それと同時に，電源復帰後も動作の継続性を... [more] |
VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 pp.167-172 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］Carbon nanotube(CNT)を用いた不揮発性メモリデバイスの書き込み特性の検証 ○下村和也（中大）・寧 渉洋（中大/東大）・竹内 健（中大） ICD2013-121 |
Carbon nanotube (CNT)を用いたメモリデバイスは、ReRAMなどと同様の抵抗変化型のメモリデバイスであ... [more] | ICD2013-121 p.51 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］抵抗変化型メモリ(ReRAM）の抵抗値のコントロール ○藤井達也・Tomoko Ogura Iwasaki・竹内 健（中大） ICD2013-128 |
抵抗変化型メモリ(Resistive RAM; ReRAM)は、次世代不揮発メモリとして注目されており、データ保持時間や... [more] | ICD2013-128 p.65 |
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