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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-06-19 11:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 ○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機）  SDM2015-42 |
SiC(000-1)面（C面）、SiC(0001)面（Si面）それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] | SDM2015-42 pp.21-26 |
| US | 2014-02-21 15:05 |
東京 | JAXA 調布航空宇宙センター 飛行場分室 | 超音波による水素とヘリウムの比熱比測定 ○平松智寛・葛 晰遥（九大）・藤田秀朗（オリイメック）・古君 修・加藤喜峰（九大） US2013-108 |
超音波を利用して、気体の比熱比を測定することに成功した。気体の温度が変化した場合や気体が混合した場合に、音速の変化が起こ... [more] | US2013-108 pp.75-79 |
| OME | 2013-12-17 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ピリジル系鉄コバルト錯体を前駆体とした酸素還元触媒の有効窒素化学種の解析 ○高橋勝国・城石英伸（東京高専）・齋藤守弘・田中優実（東京理科大） OME2013-78 |
2,2’-ビピリジン，1,10-フェナントロリンを配位子とする鉄・コバルト錯体を多層カーボンナノチューブに担持しアンモニ... [more] | OME2013-78 pp.7-12 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 16:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | A novel method for crystallizations of aluminum nitride ○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.） ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 |
In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed... [more] | ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 pp.51-55 |
| SDM | 2013-10-18 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 ○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大） SDM2013-93 |
低仕事関数を有するLaB6は，窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている．本研究では窒素添加したLaB6... [more] | SDM2013-93 pp.27-31 |
| LQE, LSJ (共催) |
2013-05-17 15:20 |
石川 | 金沢大学角間キャンパス | 窒素ドープ同位体制御化学気相成長で作製したダイヤモンドNVセンターサンプルの光学・スピン特性 ○五味朋寛・富澤周平（慶大）・渡邊幸志・梅澤 仁・鹿田真一（産総研）・伊藤公平・早瀬潤子（慶大） LQE2013-12 |
ダイヤモンド中窒素空孔中心 (NVセンター)の電子スピン状態は，量子情報技術や高感度ナノ磁場センシングへの応用が期待され... [more] | LQE2013-12 pp.53-56 |
| QIT (第二種研究会) |
2012-11-27 - 2012-11-28 |
神奈川 | 慶応大学 日吉キャンパス | ［ポスター講演］ダイヤモンド中の単一NV中心の核スピンを用いた多量子ビット化と室温での量子もつれ生成 ○下岡孝明（阪大）・加藤宙光・山崎 聡（産総研）・三輪真嗣・鈴木義茂・水落憲和（阪大） |
近年、ダイヤモンド中のNV 中心はその優れたコヒーレンス特性から盛んに研究がなされている。 本研究で我々は室温下で単一... [more] |
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| CPM | 2011-08-10 15:45 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響 ○奥野さおり・三浦創史・鎌田亮輔・中澤日出樹（弘前大） CPM2011-62 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）の膜特性の改善のために、SiおよびN源にヘキサメチルジシラザン（HMDS）を用いたプ... [more] | CPM2011-62 pp.31-36 |
| EMD | 2010-11-11 09:30 |
海外 | 西安交通大学（中国、西安） | Simulation of the influence of silver contact vapor on the DC arc behavior in a sealed relay ○Xue Zhou・Wenying Yang・Guofu Zhai（Harbin Inst. of Tech.） EMD2010-71 |
Species compositions of silver-nitrogen plasmas in temperatu... [more] | EMD2010-71 pp.19-22 |
| ED | 2010-10-25 13:50 |
京都 | 宇治おうばくプラザ(京都大学） | 窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性とC-N結合の関係 ○工藤唯義（筑波大/国際基督教大）・増澤智昭・佐藤祐介（国際基督教大）・齋藤市太郎（国際基督教大/ケンブリッジ大）・山田貴壽（産総研）・Angel Koh・Daniel Chua（シンガポール国立大）・吉野輝雄・田 旺帝（国際基督教大）・山崎 聡（筑波大/産総研）・岡野 健（国際基督教大） ED2010-130 |
尿素，ジメチル尿素という２種類の不純物源を用いて合成した窒素添加ダイヤモンドについて，飛行時間二次イオン質量分析(TOF... [more] | ED2010-130 pp.11-15 |
| SDM | 2009-06-19 13:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 ○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） SDM2009-34 |
我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが，ゲート絶... [more] | SDM2009-34 pp.45-50 |
| SDM | 2008-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2008-167 |
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] | SDM2008-167 pp.69-74 |
| SDM | 2007-06-08 09:50 |
広島 | 広島大学（学士会館） | SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング ○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝） SDM2007-41 |
SiO${}_2$ pMOSFETに対するNBTI劣化のモデルとして，理論的なモデルは反応拡散モデルが，実験的なモデルは... [more] | SDM2007-41 pp.55-58 |
| SDM | 2007-06-08 10:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 ○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大） SDM2007-42 |
電圧ストレス下におけるHfSiOx膜およびHfSiON膜のしきい値電圧変化を評価した。その結果、しきい値電圧の変化を-Δ... [more] | SDM2007-42 pp.59-64 |
| SDM | 2007-06-08 11:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～ ○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2007-44 |
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3... [more] | SDM2007-44 pp.71-74 |
| SDM | 2006-06-22 11:20 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響 ○三谷祐一郎・佐竹秀喜（東芝） |
極薄ゲート絶縁膜の負バイアス温度不安定性(NBTI)は、微細化の進むCMOSデバイスのPチャネルMOSFETにおいてもっ... [more] | SDM2006-57 pp.87-92 |
| R, ED, SDM (共催) |
2005-11-25 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価 ○須田将之（都立大）・中村成志・須原理彦・奥村次徳（都立大/首都大東京） |
プラズマ照射によるn-GaNの電気特性への影響を評価した．水素プラズマ照射されたSi doped n-GaNにおいて，低... [more] | R2005-45 ED2005-180 SDM2005-199 pp.43-46 |
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