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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2023-11-16
09:30
熊本 くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
リーク電流による電荷蓄積型エイジングセンサ回路の提案と実機評価
福島未菜王 松祥永井海音宇佐美公良芝浦工大VLD2023-43 ICD2023-51 DC2023-50 RECONF2023-46
BTI(Bias Temperature Instability)による動作不良が問題視されている.経年劣化によりpMO... [more] VLD2023-43 ICD2023-51 DC2023-50 RECONF2023-46
pp.76-81
HWS, VLD
(共催)
2023-03-01
11:00
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
同一の回路構造のリングオシレータを用いた65nm FDSOIプロセスに発生するBTI劣化の実測評価
菊田大輔京都工繊大)・岸田 亮富山県立大)・小林和淑京都工繊大VLD2022-73 HWS2022-44
集積回路の微細化に伴いBTI (Bias Temperature Instability) などの経年劣化現象により回路... [more] VLD2022-73 HWS2022-44
pp.1-6
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
09:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 単発DCストレス測定による負バイアス温度不安定性のAC特性を再現可能なモデル
保坂 巧埼玉大)・西澤真一福岡大)・岸田 亮東京理科大)・松本高士東大)・小林和淑京都工繊大VLD2019-35 DC2019-59
本論文ではコンパクトな負バイアス温度不安定性(NBTI)モデルを提案する.提案モデルは反応拡散(tn)およびホールトラッ... [more] VLD2019-35 DC2019-59
pp.57-62
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
09:50
広島 サテライトキャンパスひろしま レプリカセンサを用いたNBTIによる回路特性変動予測に関する検討
大島國弘辺 松廣本正之佐藤高史京大VLD2018-67 DC2018-53
集積回路の主要な信頼性問題である NBTI (Negative bias temperature instability... [more] VLD2018-67 DC2018-53
pp.195-200
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
DC 2014-12-19
13:00
富山 高岡テクノドーム FPGAのリングオシレータにおけるNBTI劣化量の低減と制御に関する検討
佐藤康夫三宅庸資梶原誠司九工大DC2014-67
リングオシレータはLSIやFPGAの信頼性向上の様々な用途に使われているが,NBTI等の物理劣化現象による特性の悪化が問... [more] DC2014-67
pp.1-6
SCE 2014-10-15
14:30
宮城 東北大学・電気通信研究所 導波路結合型超伝導ナノワイヤ単一光子検出器の作製と評価
和木健太朗阪大/NICT)・山下太郎NICT)・井上振一郎NICT/JST)・三木茂人寺井弘高NICT)・生田力三山本 俊井元信之阪大SCE2014-37
近年,様々な光学部品をワンチップに集約するモノリシック集積回路が注目されているが,そのキーデバイスとして導波路結合型超伝... [more] SCE2014-37
pp.17-21
DC 2014-06-20
13:40
東京 機械振興会館 リング発振器を用いたLSIの劣化推定法
池田龍史・○三浦幸也首都大東京DC2014-11
ナノスケールのトランジスタではNegative Bias Temperature Instability(NBTI)やP... [more] DC2014-11
pp.7-14
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2014-01-29
15:40
神奈川 慶応義塾大学 日吉キャンパス オンチップリークモニタ回路を用いたNBTI測定手法の提案と有効性
佐藤貴晃宇佐美公良芝浦工大VLD2013-131 CPSY2013-102 RECONF2013-85
近年の微細化によって、トランジスタの経年劣化現象がLSIの正常動作を妨げる要因として顕著になってきている。そのため、この... [more] VLD2013-131 CPSY2013-102 RECONF2013-85
pp.173-178
DC 2013-06-21
16:30
東京 機械振興会館 リング発振器を用いたトランジスタの劣化推定法
池田龍史三浦幸也首都大東京DC2013-15
ナノスケールのトランジスタではNegative Bias Temperature Instability(NBTI)やP... [more] DC2013-15
pp.31-36
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
12:00
沖縄 沖縄県青年会館 Reliability Measurement of PFETs under Post Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM
Nurul Ezaila AliasAnil KumarTakuya SarayaUniv. of Tokyo)・Shinji MiyanoSTARC)・Toshiro HiramotoUniv. of Tokyo
The negative bias temperature instability (NBTI) reliability... [more]
VLD 2012-03-07
09:15
大分 ビーコンプラザ NBTIを考慮した電源配線最適化の一手法
長田賢明福井正博立命館大)・築山修治中大VLD2011-132
LSIの微細化・高集積化技術の進展に伴い, LSIの信頼性問題であるNBTI (負バイアス温度不安定性)によるタイミング... [more] VLD2011-132
pp.73-78
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2011-11-28
10:30
宮崎 ニューウェルシティ宮崎 90nmプロセス商用FPGAにマッピングしたリングオシレータの発振周波数の劣化評価
石井翔平京都工繊大)・小林和淑京都工繊大/JSTVLD2011-55 DC2011-31
微細化に伴い顕著になってきたFPGAの経年劣化に関する問題に着目し、NBTIによるFPGAの劣化を定量的に評価した。FP... [more] VLD2011-55 DC2011-31
pp.19-24
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2011-11-29
15:05
宮崎 ニューウェルシティ宮崎 NBTI回復現象を利用したマルチコアLSIの自己特性補償法
松本高士牧野紘明京大)・小林和淑京都工繊大)・小野寺秀俊京大CPM2011-160 ICD2011-92
近年のLSI の微細化により、信頼性の高いシステムを構築することはますます困難となってきている。主要な要因の1つとして、... [more] CPM2011-160 ICD2011-92
pp.59-63
ICD 2010-12-16
15:10
東京 東京大学 先端科学技術研究センター [ポスター講演]測定時の劣化の影響を除去した高速NBTI回復特性センサーの検討
松本高士牧野紘明京大)・小林和淑京都工繊大/JST)・小野寺秀俊京大/JSTICD2010-104
本論文において我々は400nsの測定遅延を持つNBTI回復センサー回路を提案した。本回路は多数のユニットセルを含む。1つ... [more] ICD2010-104
pp.55-58
CAS
(第二種研究会)
2010-10-06
09:45
千葉 幕張メッセ [招待講演]DFRシミュレーション、デバイスから回路へ
松澤一也萩島大輔石原貴光東芝
LSIの価値には機能と性能だけでなく、長期信頼性も重要な要素として含まれる。従来は、膜レベルとデバイス・レベルでの信頼性... [more]
ICD
(ワークショップ)
2010-08-16
- 2010-08-18
海外 ホーチミン市百科大学 [招待講演]Circuit Failure Prediction by Field Test (DART) with Delay-Shift Measurement Mechanism
Yasuo SatoSeiji KajiharaKyusyu Institute of Technology)・Michiko InoueTomokazu YonedaSatoshi OhtakeHideo FujiwaraNAIST)・Yukiya MiuraTokyo Metropolitan Univ.
The main task of test had traditionally been screening of ha... [more]
ICD, ITE-IST
(連催)
2010-07-22
10:45
大阪 常翔学園大阪センター PMOS/NMOSのプロセスばらつきを独立に検出するためのリング型バッファチェインを用いたオンチップモニタ
飯塚哲也名倉 徹浅田邦博東大ICD2010-24
本論文では、リング型バッファチェインとパルスカウンタを用いたプロセスばらつきモニタを提案し、その理論的解析を行う。提案回... [more] ICD2010-24
pp.15-20
SCE 2008-07-24
14:15
東京 機械振興会館 μmスケールのNb-SIS接合とNbTiN-マイクロストリップ線路がそれぞれ水晶基板に直接接する構造を有するSISミクサ素子
遠藤 光東大/国立天文台/学振)・野口 卓クロッグ マティアス国立天文台)・シトフ セルゲイ国立天文台/高周波電子工学研)・単 文磊紫金山天文台)・田村友範国立天文台)・小嶋崇文国立天文台/阪府大)・鵜沢佳徳酒井 剛国立天文台)・井上裕文東大/国立天文台)・河野孝太郎東大SCE2008-17
SIS接合と薄膜伝送線路に異なる材料を採用したSIS素子の、新しい構造と製法について報告する。このSIS素子の構造上の特... [more] SCE2008-17
pp.13-18
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
09:00
東京 機械振興会館 (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察
佐藤基之杉田義博青山敬幸奈良安雄大路 譲半導体先端テクノロジーズSDM2008-128 ICD2008-38
(110) 基板は(100) 基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしな... [more] SDM2008-128 ICD2008-38
pp.1-6
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