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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2024-04-11 11:10 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 9階第2研修室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
導波路を使ったICの熱問題に関する提案 ～ 電磁波導波路による熱問題対策技術 ～ ○大内和幸（波動デバイス）  ICD2024-3 |
ICの熱対策として，デバイス間の信号転送に金属配線を使用する代わりに導波路により転送することを提案した．提案は金属配線に... [more] | ICD2024-3 pp.8-11 |
| OME | 2023-07-07 16:30 |
三重 | 尾鷲市立中央公民館 | プラズマ処理したカーボン電極の電気化学特性と応用 ○丹羽 修・太田早紀・矢嶋龍彦・芝 駿介（埼玉工大） OME2023-20 |
カーボン電極は、安定であると同時に表面に様々な処理により、異元素やそれを含む置換基を導入することができる。それにより、表... [more] | OME2023-20 pp.5-8 |
| OME | 2022-02-18 15:30 |
大分 | J:COMホルトホール大分 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］ストリッピング法による重金属イオン、生体分子のセンシング ○丹羽 修（埼玉工大） OME2021-60 |
電気化学測定法の中でストリッピング分析は、分析対象を一度電極上に濃縮した後、電位掃引を行い濃縮された分子を一度に酸化或い... [more] | OME2021-60 pp.11-15 |
| OME | 2020-02-28 15:20 |
鹿児島 | 奄美市名瀬公民館 | ナノ粒子埋め込みカーボン薄膜電極の電気化学特性と応用 ○丹羽 修（埼玉工大）・芝 駿介（愛媛大）・高橋将太・小池綾香・大谷和也・太田早紀（埼玉工大）・鎌田智之・加藤 大（産総研） OME2019-67 |
金属とカーボンを同時にスパッタすることで、金属ナノ粒子が埋め込まれたカーボン薄膜電極を形成することができる。埋め込まれた... [more] | OME2019-67 pp.9-12 |
| SDM | 2019-10-23 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-56 |
[more] | SDM2019-56 pp.17-20 |
| SID-JC (共催) ITE-IDY, EID (連催) [詳細] |
2019-08-02 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］フォルダブルディスプレイ用金属配線材料の特性評価 ○倉 千晴・寺前裕美・田内裕基（神戸製鋼所）・後藤裕史・奥野博行（コベルコ科研） |
フレキシブルディスプレイは従来のフラットパネルディスプレイに対し、薄くて軽い、柔軟であるなどの特徴をもち、将来的に需要が... [more] | |
| US | 2018-12-10 15:25 |
東京 | 東京工業大学 | 超音波複合振動溶接用の一波長縦振動モードの斜めスリット複合振動変換器の構成 ～ 27 kHz および40 kHz の交換可能な複合振動溶接チップを用いた複合振動溶接装置 ～ ○辻野次郎丸（神奈川大/LINK-US） US2018-74 |
今までに19.5 kHz の斜めスリット複合振動変換器を用いた超音波複合振動溶接装置が、Li-ion battery、 ... [more] | US2018-74 pp.21-26 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 10:45 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE ○Kiattiwut Prasertsuk・Tomoyuki Tanikawa・Takeshi Kimura・Shigeyuki Kuboya・Tetsuya Suemitsu・Takashi Matsuoka（Tohoku Univ.） ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 |
[more] | ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 pp.59-64 |
| US | 2015-12-21 15:10 |
東京 | 日本大学理工学部 駿河台キャンパス | 細く長い複合曲げ振動溶接チップ，複合振動検出器および静加圧力制御を用いた超音波複合振動溶接 ～ 狭く深い溶接部の超音波複合振動溶接について ～ ○辻野次郎丸（神奈川大/アサヒ・イー・エム・エス） US2015-78 |
リチウムイオン・バッテリー, コンデンサ等の電子部品の電極と部品容器内の底部の溶接には現在，細長い電極を用いた電気抵抗溶... [more] | US2015-78 pp.23-28 |
| ED | 2015-04-16 14:45 |
宮城 | 東北大通研ナノスピン実験施設 | 色素増感太陽電池フォト電極のハフニアコーティング効果 ○今井貴大・加藤祐樹・有馬ボシールアハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2015-4 |
原子層堆積法を用いて TiO2電極上に HfO2を堆積させることで、色素増感太陽電池の高効率化の可能性を検証した。HfO... [more] | ED2015-4 pp.15-18 |
| OME | 2015-03-17 17:10 |
東京 | 東工大南４号館S421講義室 | エレクトロスピニング法によるナノファイバーの透明電極への応用検討 ○竹中一生・慶 奎弘・白鳥世明（慶大） OME2014-89 |
本研究では高アスペクト比の極細ナノファイバー膜を作製し，これに金属を被覆することで金属ナノワイヤ透明電極を作製した．現在... [more] | OME2014-89 pp.37-42 |
| SDM | 2013-06-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張 志宇・横山正史・金 相賢（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-50 |
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] | SDM2013-50 pp.33-37 |
| EMD | 2011-12-16 13:05 |
東京 | 日本工業大学 神田キャンパス | 金属電極間アークの電圧電流特性測定結果に関する一考察 ～ C.E.GuyeとL.Zebrikoffによる実測値との比較 ～ ○須原啓一（東京高専） EMD2011-106 |
アーク放電の電圧電流特性式としてエアトン式が有名である．金属アークのエアトン定数はGuyeとZebrikoffが研究した... [more] | EMD2011-106 pp.1-3 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| US | 2010-12-16 15:45 |
神奈川 | 東京工業大学 すずかけ台キャンパスG4棟２階大会議室 | 20 kHz超音波複合振動溶接装置を用いた銅編み線等の溶接 ～ 銅板、バイメタル、銅編み線、アルミニウムおよび銅箔の溶接特性 ～ ○辻野次郎丸（神奈川大）・横塚卓志・須賀伸一郎（アポロ技研）・杉本榮一（アサヒ・イー・エム・エス） US2010-89 |
20 kHz の超音波複合振動溶接装置により銅板、バイメタルと銅編み線および多数のアルミニウム、銅箔の溶接条件を試みた。... [more] | US2010-89 pp.23-28 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| ED | 2010-06-18 11:50 |
石川 | 北陸先端大 | ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン ○渡辺大祐（ダイキン工業）・木村千春・青木秀充（阪大） ED2010-46 |
次世代の高誘電率材料（High-K）ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造（High-K/メタルゲート構造） における H... [more] | ED2010-46 pp.69-74 |
| SDM | 2009-10-29 16:45 |
宮城 | 東北大学 | SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 ○阿部俊幸・田主裕一朗・黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） SDM2009-122 |
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造に... [more] | SDM2009-122 pp.27-30 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2008-11-21 16:15 |
東京 | 早稲田大学 | ホイスラー合金ハーフメタル探索とそのCPP-GMRへの応用 ○古林孝夫・高橋有紀子・宝野和博（物質・材料研究機構） MR2008-34 |
Co基ホイスラー合金について，点接触アンドレーフ反射法によってスピン分極率の測定を行いハーフメタルの探索をおこなった．い... [more] | MR2008-34 pp.25-30 |
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