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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-06 14:55 |
熊本 | くまもと県民交流館パレア | 動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2017-33 DC2017-39 |
オンチップメモリはマイクロプロセッサの主要な構成要素であり、消費エネルギーに大きな影響を与える。本稿では、二アスレッショ... [more] | VLD2017-33 DC2017-39 pp.37-42 |
| RECONF | 2017-09-25 14:20 |
東京 | (株)ドワンゴ | 2値化畳込みニューラルネットワークのニューロン刈りによるメモリ量削減とFPGA実現について ○藤井智也・佐藤真平・中原啓貴（東工大） RECONF2017-26 |
画像識別等の組込み機器では学習済み深層畳み込みニューラルネットワーク(CNN: deep Convolutional... [more] |
RECONF2017-26 pp.25-30 |
| ICD | 2017-04-20 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology ○Ryuji Yamashita・Sagar Magia（WDC）・Tsutomu Higuchi・Kazuhide Yoneya・Toshio Yamamura（Toshiba）・Hiroyuki Mizukoshi・Shingo Zaitsu・Minoru Yamashita・Shunichi Toyama・Norihiro Kamae・Juan Lee・Shuo Chen・Jiawei Tao・William Mak・Xiaohua Zhang（WDC） ICD2017-9 |
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] | ICD2017-9 pp.45-50 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリにおけるデータ保持エラーの低減 ○佐藤優一・出口慶明・小林惇朗・竹内 健（中大） ICD2016-76 CPSY2016-82 |
NAND型フラッシュメモリは多値化や微細化により、1bit当たりのコストが低下している。しかし、一つのメモリセルに3bi... [more] | ICD2016-76 CPSY2016-82 p.75 |
| VLD, CAS, MSS, SIP (共催) |
2016-06-17 09:50 |
青森 | 弘前市立観光館 | 不揮発性素子MTJを適用したスタンダードセルメモリ回路の設計と評価 ○赤池純也・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19 |
近年、携帯情報端末の普及により、高性能化かつバッテリーの長持ちする製品が求められるようになってきた。そこで本研究では、不... [more] | CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19 pp.103-108 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-21 14:15 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 冗長符号化を用いたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み量削減 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政生・戸川 望（早大） VLD2015-107 CPSY2015-139 RECONF2015-89 |
ノイマン型コンピュータにおいて重要なメインメモリに不揮発性メモリを使用する動きがある． 不揮発性メモリは書き込みエネル... [more] |
VLD2015-107 CPSY2015-139 RECONF2015-89 pp.221-225 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-03 10:50 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | DVFS下のL1 High Power/Low Powerキャッシュ切替による消費エネルギー削減 ○齋藤 郁・小林良太郎（豊橋技科大）・嶋田 創（名大） CPSY2015-72 |
キャッシュメモリは，CPUとメインメモリのアクセス速度の差を埋めるために用いられ，昨今のCPUを構成する上で必要不可欠な... [more] | CPSY2015-72 pp.63-68 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-03 14:10 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | キャッシュヒット率の向上のための基本ブロックのアドレスオフセットの探索 ○後藤潤哉・石浦菜岐佐（関西学院大） VLD2015-74 DC2015-70 |
本稿では, プログラムの基本ブロックの前にキャッシュブロックサイズよりも細かい単位でオフセットを挿入することにより, 命... [more] | VLD2015-74 DC2015-70 pp.237-241 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-03 15:00 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | 回路面積を考慮した不揮発性メモリ書き込み削減符号生成手法 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政生・戸川 望（早大） VLD2015-76 DC2015-72 |
近年，大容量の不揮発性メモリの実用化が進んでいる．不揮発性メモリはリーク電力が非常に小さい，電源が供給されていなくても情... [more] | VLD2015-76 DC2015-72 pp.249-253 |
| ICD, IE, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-10-26 15:25 |
宮城 | 一の坊（作並温泉） | 三次元積層時代における高電力効率メモリ階層設計 ○宇野 渉・佐藤雅之・江川隆輔・小林広明（東北大） VLD2015-30 ICD2015-43 IE2015-65 |
計算機システムのさらなる高性能化および低消費電力化を目的として，三次元積層技術を用いた積層型メモリの活用が有望視されてい... [more] | VLD2015-30 ICD2015-43 IE2015-65 pp.19-24 |
| ICD | 2015-04-16 16:05 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］A Low-Power 64Gb MLC NAND-Flash Memory in 15nm CMOS Technology ○Mario Sako・Takao Nakajima・Junpei Sato・Kazuyoshi Muraoka・Masaki Fujiu・Fumihiro Kono・Michio Nakagawa・Masami Masuda・Koji Kato・Yuri Terada・Yuki Shimizu・Mitsuaki Honma・Yoshinao Suzuki・Yoshihisa Watanabe（Toshiba）・Ryuji Yamashita（SanDisk） ICD2015-6 |
A 75mm2 low power 64Gb MLC NAND flash memory capable of 30MB... [more] | ICD2015-6 pp.27-30 |
| VLD | 2015-03-03 16:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［記念講演］A Bit-Write Reduction Method based on Error-Correcting Codes for Non-Volatile Memories ○Masashi Tawada・Shinji Kimura・Masao Yanagisawa・Nozomu Togawa（Waseda Univ.） VLD2014-173 |
Non-volatile memory is superior to SRAM in terms of its high... [more] | VLD2014-173 p.115 |
| ICD, CPSY (共催) |
2014-12-01 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［ポスター講演］LBA Scramblerを用いたソリッド・ステート・ドライブの性能評価 ○山田知明・孫 超・竹内 健（中大） ICD2014-87 CPSY2014-99 |
NAND型フラッシュメモリを用いたソリッド・ステート・ドライブ(SSD)では，データを上書きできないという特性上，空き領... [more] | ICD2014-87 CPSY2014-99 p.53 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2014-11-28 09:15 |
大分 | ビーコンプラザ（別府国際コンベンションセンター） | 不揮発メモリを対象とした最大ハミング距離と最小ハミング距離を制約した符号による書き込み手法のエネルギー評価 ○古城辰朗・多和田雅師・柳澤政生・戸川 望（早大） VLD2014-105 DC2014-59 |
デバイスの微細化によってメモリに保存されている値が破壊されるリスクが増大する．メモリの値を破壊から守る手法として誤り訂正... [more] | VLD2014-105 DC2014-59 pp.221-226 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2014-11-28 09:40 |
大分 | ビーコンプラザ（別府国際コンベンションセンター） | 不揮発メモリの書き込み削減手法のための小面積なエンコーダ/デコーダ回路構成 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政夫・戸川 望（早大） VLD2014-106 DC2014-60 |
不揮発メモリはリーク電力が非常に小さい，電源が落ちていても情報を保持できると いった性質から次世代メモリとして注目され... [more] |
VLD2014-106 DC2014-60 pp.227-232 |
| SDM | 2014-11-06 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30年間を振り返って ～ ○執行直之（東芝） SDM2014-100 |
TCADは，デバイス開発に必須なツールとなっている．仮想的な試作により，開発期間の短縮やプロセスばらつきに強いロバスト設... [more] | SDM2014-100 pp.25-30 |
| CAS, SIP, MSS, VLD, SIS (共催) [詳細] |
2014-07-11 13:40 |
北海道 | 北海道大学 | RISCプロセッサの内部レジスタの不揮発化に向けた書き込み削減手法 ○後藤智哉・柳澤政生・木村晋二（早大） CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 |
近年MTJ(Magnetic Tunnel Junction) に基づく次世代不揮発メモリの研究開発が進み，プロセッサ内... [more] | CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 pp.213-218 |
| ICD | 2014-04-17 12:10 |
東京 | 機械振興会館 | ビッグデータ向けMLC/TLCハイブリッドストレージアレイのデータマネジメントと交換手法の提案 ○蜂谷尚悟・上口 光（中大）・宮地幸祐（信州大）・竹内 健（中大） ICD2014-5 |
TLC NAND flashは低コスト、大容量を実現できるメモリとして注目されているが、書き込み性能、許容書き換え回数は... [more] | ICD2014-5 pp.21-26 |
| CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2014-01-29 15:15 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 差分を用いた不揮発メモリの書込み回数削減による低電力回路設計 ○篠原寛行・柳澤政生・木村晋二（早大） VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 |
LSI の低消費電力化のために，モジュール毎の細やかな電源オフは欠かせない． それと同時に，電源復帰後も動作の継続性を... [more] |
VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 pp.167-172 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2013-11-28 10:50 |
鹿児島 | 鹿児島県文化センター | 不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政生・戸川 望（早大） VLD2013-81 DC2013-47 |
近年の高集積化に伴い消費電力全体に対するリーク電力の割合が高まっている． 不揮発メモリはリーク電力をほとんど消費しない... [more] |
VLD2013-81 DC2013-47 pp.141-146 |
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