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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM ○池上一隆・野口紘希・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・落合隆夫・下村尚治・板井翔吾・才田大輔・田中千加・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝）  SDM2014-142 |
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] | SDM2014-142 pp.29-32 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2014-10-03 09:30 |
新潟 | 柏崎エネルギーホール、新潟 | 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発 ○才田大輔・下村尚治・北川英二・鎌田親義・矢ヶ部 恵・大沢裕一・藤田 忍・伊藤順一（東芝） MR2014-18 |
東芝では，スマートフォン等の携帯機器に搭載されているL2, L3キャッシュメモリにSTT-MRAMを用いることで，SRA... [more] | MR2014-18 pp.27-31 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-68 ICD2014-37 |
本論文では，エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ，不揮発，無限回書き換え，高... [more] | SDM2014-68 ICD2014-37 pp.35-38 |
| CAS, SIP, MSS, VLD, SIS (共催) [詳細] |
2014-07-11 13:40 |
北海道 | 北海道大学 | RISCプロセッサの内部レジスタの不揮発化に向けた書き込み削減手法 ○後藤智哉・柳澤政生・木村晋二（早大） CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 |
近年MTJ(Magnetic Tunnel Junction) に基づく次世代不揮発メモリの研究開発が進み，プロセッサ内... [more] | CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 pp.213-218 |
| ICD | 2014-04-17 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［パネル討論］システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ 三輪 達（サンディスク）・○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・藤田 忍（東芝）・小池洋紀（東北大）・竹内 健（中大） ICD2014-9 |
近年の新しい不揮発性メモリの発展は単に高集積のメモリチップの実現にとどまらず、その特徴を生かしたシステムづくりにも議論の... [more] | ICD2014-9 p.45 |
| ICD | 2014-04-18 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ ○梅木洋平・柳田晃司・吉本秀輔・和泉慎太郎・吉本雅彦・川口 博（神戸大）・角田浩司・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2014-10 |
本稿では65nmプロセスを用いた単一0.38V電源で動作可能なプロセスばらつき耐性を持つSTT-MRAM（磁気抵抗変化型... [more] | ICD2014-10 pp.47-51 |
| CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2014-01-29 15:15 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 差分を用いた不揮発メモリの書込み回数削減による低電力回路設計 ○篠原寛行・柳澤政生・木村晋二（早大） VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 |
LSI の低消費電力化のために，モジュール毎の細やかな電源オフは欠かせない． それと同時に，電源復帰後も動作の継続性を... [more] |
VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 pp.167-172 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ ○森 陽紀・柳田晃司・梅木洋平・吉本秀輔・和泉慎太郎・吉本雅彦・川口 博（神戸大）・角田浩司・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-110 |
STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory... [more] | ICD2013-110 p.27 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 16:35 |
東京 | 中央大学 | スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討 ○伊藤順一・與田博明・藤田 忍・下村尚治・北川英二・安部恵子・野村久美子・野口紘希（東芝） MR2013-13 |
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] | MR2013-13 pp.37-41 |
| ICD | 2013-04-11 09:50 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ ○角田浩司・能代英之・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・射場義久・畑田明良・中林正明・長永隆志・青木正樹・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-2 |
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した．このMTJはCoFeB/MgO界... [more] | ICD2013-2 pp.5-10 |
| ICD | 2013-04-11 17:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［パネル討論］スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ～ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ ～ ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・遠藤哲郎（東北大）・加藤佳一（パナソニック）・半澤 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・川澄 篤（東芝）・三輪 達（サンディスク） ICD2013-11 |
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] | ICD2013-11 p.53 |
| ICD | 2012-12-17 13:30 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［招待講演］混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） ICD2012-90 |
本論文では，超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して，開発の背景... [more] | ICD2012-90 pp.17-20 |
| SIP, IE, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2010-10-05 13:20 |
千葉 | 幕張メッセ 国際会議場 (CEATEC会場) | スピントランジスタを用いた積層型NOR MRAMの検討 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） SIP2010-55 ICD2010-69 IE2010-73 |
ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つドレイン部分に情報を記憶するスピントランジスタを用い... [more] | SIP2010-55 ICD2010-69 IE2010-73 pp.37-42 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 11:40 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの研究 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2010-142 ICD2010-57 |
ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つドレイン部分に情報を記憶するスピントランジスタを用い... [more] | SDM2010-142 ICD2010-57 pp.99-104 |
| ICD | 2010-04-22 13:30 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM ○土田賢二・稲場恒夫・藤田勝之・上田善寛・清水孝文・浅尾吉昭・梶山 健・岩山昌由・池川純夫・岸 達也・甲斐 正・天野 実・下村尚治・與田博明・渡辺陽二（東芝） ICD2010-7 |
本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる．開発した64Mbit... [more] | ICD2010-7 pp.35-40 |
| ICD | 2009-12-14 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ［ポスター講演］積層型MRAMの設計法 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） ICD2009-79 |
低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つスピントランジスタを積層した積層型NAND MRAM を新たに提案した。メモリセル... [more] | ICD2009-79 pp.19-23 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-10-08 13:55 |
福岡 | 福岡交通センター | ［招待講演］スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM) ○高橋宏昌・伊藤顕知・早川 純・三浦勝哉・山本浩之・山ノ内路彦・小埜和夫・竹村理一郎・河原尊之（日立）・佐々木龍太郎（東北大）・長谷川晴弘（東北大/日立）・池田正二（東北大）・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） |
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more] | |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-10-09 11:35 |
福岡 | 福岡交通センター | 応力アシスト磁化反転用スピン注入型垂直磁化GMR多層膜の作製 ○神保和弥・齋藤直哉・中川茂樹（東工大） MR2009-27 |
垂直 MRAM の書き込み時の消費電力を低減させる手法である応力アシスト磁化反転（Stress AssistedMagn... [more] | MR2009-27 pp.37-40 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 14:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM ○深見俊輔・鈴木哲広・永原聖万・大嶋則和（NEC）・尾崎康亮（NECエレクトロニクス）・齊藤信作・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・森 馨・五十嵐忠二・三浦貞彦・石綿延行・杉林直彦（NEC） SDM2009-114 ICD2009-30 |
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more] | SDM2009-114 ICD2009-30 pp.91-95 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
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