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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-07-10 16:35 |
東京 | 早稲田大学 | ［招待講演］固体磁気メモリの現状と新材料開発 ○三谷誠司（物質・材料研究機構） |
MRAMや不揮発ロジックへの応用のための強磁性トンネル接合に係る材料開発の現状を、素子及びデバイス開発の動向・問題点とと... [more] | |
| SDM | 2015-03-02 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 ○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合）  SDM2014-166 |
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて，メモリアレイのデータ保持特性... [more] | SDM2014-166 pp.23-28 |
| MI | 2015-03-03 10:10 |
沖縄 | 石垣島 ホテルミヤヒラ | 圧縮センシング法による頭部MRアンギオ画像再構成 ～ 3種類の異なる正則化項を用いた評価 ～ ○山本 憲・藤本晃司・伏見育崇・岡田知久・佐野 圭・田中利幸・富樫かおり（京大） MI2014-93 |
圧縮センシング法を用いた頭部MRアンギオ画像再構成での正則化項による再構成画像の違いについて評価を行った。フルサンプリン... [more] | MI2014-93 pp.189-192 |
| SDM | 2015-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM ○池上一隆・野口紘希・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・落合隆夫・下村尚治・板井翔吾・才田大輔・田中千加・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） SDM2014-142 |
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] | SDM2014-142 pp.29-32 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2014-10-03 09:30 |
新潟 | 柏崎エネルギーホール、新潟 | 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発 ○才田大輔・下村尚治・北川英二・鎌田親義・矢ヶ部 恵・大沢裕一・藤田 忍・伊藤順一（東芝） MR2014-18 |
東芝では，スマートフォン等の携帯機器に搭載されているL2, L3キャッシュメモリにSTT-MRAMを用いることで，SRA... [more] | MR2014-18 pp.27-31 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-68 ICD2014-37 |
本論文では，エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ，不揮発，無限回書き換え，高... [more] | SDM2014-68 ICD2014-37 pp.35-38 |
| CAS, SIP, MSS, VLD, SIS (共催) [詳細] |
2014-07-11 13:40 |
北海道 | 北海道大学 | RISCプロセッサの内部レジスタの不揮発化に向けた書き込み削減手法 ○後藤智哉・柳澤政生・木村晋二（早大） CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 |
近年MTJ(Magnetic Tunnel Junction) に基づく次世代不揮発メモリの研究開発が進み，プロセッサ内... [more] | CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 pp.213-218 |
| ICD | 2014-04-17 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［パネル討論］システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ 三輪 達（サンディスク）・○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・藤田 忍（東芝）・小池洋紀（東北大）・竹内 健（中大） ICD2014-9 |
近年の新しい不揮発性メモリの発展は単に高集積のメモリチップの実現にとどまらず、その特徴を生かしたシステムづくりにも議論の... [more] | ICD2014-9 p.45 |
| ICD | 2014-04-18 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ ○梅木洋平・柳田晃司・吉本秀輔・和泉慎太郎・吉本雅彦・川口 博（神戸大）・角田浩司・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2014-10 |
本稿では65nmプロセスを用いた単一0.38V電源で動作可能なプロセスばらつき耐性を持つSTT-MRAM（磁気抵抗変化型... [more] | ICD2014-10 pp.47-51 |
| CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2014-01-29 15:15 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 差分を用いた不揮発メモリの書込み回数削減による低電力回路設計 ○篠原寛行・柳澤政生・木村晋二（早大） VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 |
LSI の低消費電力化のために，モジュール毎の細やかな電源オフは欠かせない． それと同時に，電源復帰後も動作の継続性を... [more] |
VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 pp.167-172 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ ○森 陽紀・柳田晃司・梅木洋平・吉本秀輔・和泉慎太郎・吉本雅彦・川口 博（神戸大）・角田浩司・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-110 |
STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory... [more] | ICD2013-110 p.27 |
| MI | 2014-01-27 13:30 |
沖縄 | 沖縄ぶんかテンブス館 | 冠動脈MRIにおける自動関心領域設定及び静止相判別手法の検討 ○尾形尚敏・佐藤哲大（奈良先端大）・岡田知久（京大医学部附属病院）・久原重英（東芝メディカルシステムズ）・富樫かおり（京大）・湊 小太郎（京都高度技研）・金谷重彦（奈良先端大） MI2013-106 |
心臓冠動脈の検査として，現在は胸部CTが主流となっているが，放射線被曝や造影剤の副作用の問題から冠動脈MRI検査の需要が... [more] | MI2013-106 pp.269-274 |
| IE, EMM, LOIS (共催) IEE-CMN, ITE-ME (連催) [詳細] |
2013-09-13 13:50 |
熊本 | 東海大学（熊本） | 頭部CTA・MRA画像からの脳血管領域の抽出 ○前田真也・山村雄太郎・金 亨燮・タン ジュークイ・石川聖二（九工大）・山本晃義（戸畑共立病院） LOIS2013-21 IE2013-42 EMM2013-64 |
がんに対する治療法の一つとして放射線療法がある．放射線療法とは，腫瘍部に対して放射線を照射する治療法である．放射線治療で... [more] | LOIS2013-21 IE2013-42 EMM2013-64 pp.81-84 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 16:35 |
東京 | 中央大学 | スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討 ○伊藤順一・與田博明・藤田 忍・下村尚治・北川英二・安部恵子・野村久美子・野口紘希（東芝） MR2013-13 |
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] | MR2013-13 pp.37-41 |
| MBE | 2013-06-21 11:20 |
北海道 | 北海道大学 | 組込みシステムを用いた携帯型MRA観察端末の試作[2] ○佐々木 巌・畑中雅彦（室蘭工大） MBE2013-19 |
当研究室では,頭部 MRA( Magnetic Resonance Angiography)データの観察を目的としたノー... [more] | MBE2013-19 pp.23-26 |
| ICD | 2013-04-11 09:50 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ ○角田浩司・能代英之・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・射場義久・畑田明良・中林正明・長永隆志・青木正樹・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-2 |
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した．このMTJはCoFeB/MgO界... [more] | ICD2013-2 pp.5-10 |
| ICD | 2013-04-11 17:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［パネル討論］スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ～ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ ～ ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・遠藤哲郎（東北大）・加藤佳一（パナソニック）・半澤 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・川澄 篤（東芝）・三輪 達（サンディスク） ICD2013-11 |
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] | ICD2013-11 p.53 |
| ICD | 2012-12-17 13:30 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［招待講演］混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） ICD2012-90 |
本論文では，超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して，開発の背景... [more] | ICD2012-90 pp.17-20 |
| EE, WPT (併催) |
2012-11-08 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］高周波パワーエレクトロニクスによるZVS共鳴型ワイヤレス給電の結合係数を用いた設計理論 ○細谷達也（村田製作所） |
新しい学際技術分野として高周波パワーエレクトロニクスを提唱する．有望技術としてワイヤレス給電に期待する．提案するZVS共... [more] | |
| EE | 2012-10-12 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | ループコイルを用いた電磁界共鳴型複共振形ZVSワイヤレス給電システムの設計 細谷達也（村田製作所）・○大林雄一郎・藤原耕二（同志社大） EE2012-17 |
2つのループコイルにより構成される新しいスイッチングワイヤレス給電システムを提案する．高周波スイッチング技術を用いること... [more] | EE2012-17 pp.9-14 |
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