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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-06-26 10:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2023-27 |
FinFETの次世代チャネルとしてCMOSに採用され始めているナノシートチャネルは, チャネルの極薄膜化により短チャネル... [more] | SDM2023-27 pp.1-4 |
| SDM | 2021-01-28 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御 ○隅田 圭・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-54 |
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] | SDM2020-54 pp.21-24 |
| SDM | 2016-10-27 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 ○間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・市野真也・後藤哲也・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2016-75 |
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生... [more] | SDM2016-75 pp.35-38 |
| RECONF, CPSY, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-01-29 17:00 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 ○小坂 翼・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 |
微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決... [more] | VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 pp.99-104 |
| SDM | 2013-11-14 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション ○鍾 菁廣・小田中紳二（阪大） SDM2013-105 |
量子流体(QHD)モデルは電子輸送のマクロモデルとして重要であり, 拡散スケーリングによって量子エネルギー輸送(QET)... [more] | SDM2013-105 pp.31-36 |
| SDM | 2012-11-16 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討 ○佐藤大貴・大村泰久（関西大） SDM2012-105 |
Cross-Current Tetrode (XCT) SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低... [more] | SDM2012-105 pp.31-36 |
| SDM | 2010-11-12 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～ ○仲野駿佑・大村泰久（関西大） SDM2010-184 |
サブ30nm-Si細線Gate-All-Around (GAA) MOSFET設計の実現可能性を考察するために指針に関す... [more] | SDM2010-184 pp.71-76 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET ○Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-95 SDM2010-96 |
In this paper, we compare the 1/f noise characteristics of H... [more] | ED2010-95 SDM2010-96 pp.195-198 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Impurity Distribution Dependence of Electron-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-120 SDM2010-121 |
In this study, we focus on the electron propagation in the V... [more] | ED2010-120 SDM2010-121 pp.309-313 |
| SDM | 2009-11-13 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［チュートリアル招待講演］薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ～ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ～ ○大村泰久（関西大） SDM2009-146 |
本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3... [more] | SDM2009-146 pp.61-66 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 ○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete） SDM2008-135 ICD2008-45 |
微細トランジスタの特性ばらつきは，半導体技術のおける最大の問題の一つである．最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] | SDM2008-135 ICD2008-45 pp.41-46 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 10:55 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Scalability of Vertical MOSFETs in Sub-10nm generation and its Mechanism ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2008-60 SDM2008-79 |
In this paper, the device performances of sub-10nm Vertical ... [more] | ED2008-60 SDM2008-79 pp.107-111 |
| VLD, ICD (共催) |
2008-03-06 16:35 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | システムLSIにおける多電源、ダイナミック電源方式での消費電力の比較検討 ○花見 智・渡辺重佳（湘南工科大） VLD2007-155 ICD2007-178 |
低消費電力化の代表的方法である多電源方式とダイナミック電源方式を適用した場合の消費エネルギーを積和演算をモチーフとして比... [more] | VLD2007-155 ICD2007-178 pp.67-72 |
| ICD, SIP, IE, IPSJ-SLDM (共催) |
2006-10-27 10:50 |
宮城 | 宮城県・作並温泉・一の坊 | 微細MOSFETのリーク電流を考慮した２電源型システムLSIの低消費電力設計法 ○渡辺重佳・金井雅樹・永澤 晃・花見 智・小林 学・高畠俊徳（湘南工科大） |
充放電電流だけでなく微細MOSFETのサブスレッショルドリーク電流とゲートリーク電流を考慮した２電源（ＶＨ,ＶＬ）システ... [more] | SIP2006-106 ICD2006-132 IE2006-84 pp.31-36 |
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