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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-11-12 17:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 機械学習を用いた極微細MOSFETの電気特性およびパラメータの推定 ○赤澤光平・中西唯吾・鈴木悠平・鎌倉良成（阪工大）  SDM2021-67 |
機械学習を用いたMOSFETのSPICEパラメータ推定手法について検討を行った．BSIM4で用いられるパラメータをランダ... [more] | SDM2021-67 pp.77-80 |
| EE, IEE-SPC (連催) |
2021-07-20 09:55 |
ONLINE | オンライン開催 | SiC MOSFETのハーフブリッジ回路を用いた放射ノイズの支配的動作の分離に関する検討 ○只熊利弥（九大）・松高佑紀・鈴木 伸・上甲基信（三菱電機）・庄山正仁（九大） EE2021-11 |
パワーエレクトロニクス技術の向上にはパワーデバイス特性の向上は欠かせず、資源の有効利用のためには低損失の素子の進化は必須... [more] | EE2021-11 pp.21-25 |
| CPM | 2021-03-03 16:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 0.18μm多端子MOSFET型センサの磁界検出動作の評価 ○鈴木慎弥・及川康太・原田知親（山形大） CPM2020-77 |
本研究では、センサの低コスト化や微細化が期待されているMOSFET型センサである多端子MOSFETを用いて磁界検出動作と... [more] | CPM2020-77 pp.74-77 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT） ED2020-33 MW2020-86 |
ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において，電流利得遮断周... [more] | ED2020-33 MW2020-86 pp.30-33 |
| SDM | 2021-01-28 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御 ○隅田 圭・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-54 |
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] | SDM2020-54 pp.21-24 |
| HWS, VLD (共催) [詳細] |
2020-03-05 14:55 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行あり） |
［記念講演］A Tuning-Free Hardware Reservoir Based on MOSFET Crossbar Array for Practical Echo State Network Implementation ○Yuki Kume・Song Bian・Takashi Sato（Kyoto Univ.） VLD2019-118 HWS2019-91 |
エコーステートネットワーク（ESN）はリカレントニューラルネットワークの一種である． 入力・中間層で構成されるランダムか... [more] | VLD2019-118 HWS2019-91 pp.139-144 |
| HWS, VLD (共催) [詳細] |
2020-03-06 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行あり） |
2つのMOSFETリザバー用いたエコーステートネットワークの性能評価 ○久米祐貴・辺 松・名倉健太・佐藤高史（京大） VLD2019-136 HWS2019-109 |
エコーステートネットワーク（ESN）は，ランダムかつ固定的な重みを持つリザバーを用いることが特 徴のリカレントニューラル... [more] | VLD2019-136 HWS2019-109 pp.245-250 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 ○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝） ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 |
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した．TCADによる電界... [more] | ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 pp.29-32 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-13 15:25 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計 ○原田彰吾・イスラム マーフズル・久門尚史・和田修己（京大） VLD2019-34 DC2019-58 |
近年，限られた電力のもとで動作するシステムにおいて，低消費電力の温度センサが求められている． ${rm mu W}$未... [more] |
VLD2019-34 DC2019-58 pp.51-56 |
| SDM | 2019-10-24 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技術 ○葛西誠也・呂 任鵬・清水克真・殷 翔（北大）・上羽陽介・石川幹雄・北村 満（大日本印刷）・法元盛久（産総研）・成瀬 誠（東大）・松本 勉（横浜国大） SDM2019-62 |
ナノスケールのランダム構造を用いた安全性が高い認証技術であるナノ人工物メトリクスのコンセプト，そしてこれを実現するための... [more] | SDM2019-62 pp.45-50 |
| EE, IEE-SPC (連催) |
2019-07-25 09:30 |
広島 | 広島工業大学 | Φ級インバータに基づいた高速駆動回路を用いたSiC MOSFET E級インバータ ○與儀榛眞・魏 秀欽（千葉工大）・関屋大雄（千葉大）・引原隆士（京大） EE2019-25 |
本稿では, SiC MOSFET E級インバータとその$Phi $級インバータに基づいた高速駆動回路を一つのシステムとす... [more] | EE2019-25 pp.49-52 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-17 11:10 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ナノ人工物メトリクスのための２次元ランダム構造形成プロセス最適化と電気的読出しの実験的検討 呂 任鵬・清水克真・殷 翔（北大）・上羽陽介・石川幹雄・北村 満（大日本印刷）・○葛西誠也（北大） ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22 |
レジスト倒壊現象を利用したナノ人工物メトリクスのために，レジスト倒壊のランダム性を高める電子線リソグラフィ条件の最適化と... [more] | ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22 pp.67-70 |
| MW, ICD (共催) |
2019-03-14 15:15 |
沖縄 | 大濱信泉記念館（石垣島） | 零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器 ○久米鳳春・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2018-165 ICD2018-109 |
双方向の無線電力伝送に利用可能である，増幅・整流動作を同一モジュールで行う10MHz帯高効率トランジスタ増幅・整流器の設... [more] | MW2018-165 ICD2018-109 pp.49-54 |
| EMD, R (共催) |
2019-02-15 14:55 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | ［招待講演］MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション ○田中浩治・雨宮真一郎・岡村 均・嶌末政憲（モーデック） R2018-56 EMD2018-57 |
今日，半導体製品は様々な製品に用いられており，車載部品や医療機器に代表される高信頼性が必須な製品にも数多く使われている．... [more] | R2018-56 EMD2018-57 pp.25-30 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| EMD | 2019-01-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館地下3階1号室 | SiC-MOSFETを用いたkV, kA級ハイブリッド直流遮断器 ○久保翔也・佐藤俊介・全 俊豪・安岡康一（東工大） EMD2018-50 |
近年直流遮断器の需要が増加しているが，直流は電流零点がないため開極時のアーク放電を消弧することが難しい。またアーク放電に... [more] | EMD2018-50 pp.11-16 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 16:25 |
東京 | 日立中研 | ［招待講演］シリコン半導体の過去・現在・未来 ～ 低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI ～ ○木村紳一郎（日立） ED2018-80 MW2018-147 |
活況を呈しているIC産業の過去と現在を俯瞰し、未来の方向の一つとして、AIの進展をバネとした半導体の新たな進化を考える。... [more] | ED2018-80 MW2018-147 pp.63-66 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響 ○中野 響・松尾直人・部家 彰・山名一成・高田忠雄・盛谷浩右・乾 徳夫・佐藤 佑（兵庫県立大）・佐藤 旦・横山 新（広島大） EID2018-7 SDM2018-80 |
DNAにArクラスターを照射した。照射前後で、電流値に大きな変化が見られた。ArクラスターによりDNAに変化が起きたと考... [more] | EID2018-7 SDM2018-80 pp.25-28 |
| SDM | 2018-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 ○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2018-62 |
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす，しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ（RTN）といったMOSト... [more] | SDM2018-62 pp.51-56 |
| SDM | 2018-06-25 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ ○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大） SDM2018-20 |
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] | SDM2018-20 pp.19-22 |
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