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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 15:25 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
窒化物半導体集積回路のためのSi NチャネルMOSFETによる発振回路の試作と検討 ○寺中七海・秋良芳樹・岡田 浩（豊橋技科大） |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | |
| SDM | 2024-01-31 13:05 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 ○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳（名大）  SDM2023-75 |
AlSiO/p型GaN MOSFETにプラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を導入することで, 分極電荷を用いた... [more] | SDM2023-75 pp.5-8 |
| NLP | 2023-11-28 10:25 |
沖縄 | 名護市産業支援センター | MOSFETの寄生容量を考慮したハイサイドゲートドライバ回路におけるチャタリング現象の解析と実験的検証 ○後藤裕介（中京大）・麻原寛之（岡山理科大）・高坂拓司（中京大）・伊藤大輔（岐阜大） NLP2023-60 |
MOSFETの寄生容量を考慮した簡素なハイサイドゲートドライバ回路におけるチャタリング現象について明らかにする． まず... [more] |
NLP2023-60 pp.7-10 |
| SDM | 2023-10-13 15:10 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 ○間脇武蔵・黒田理人（東北大） SDM2023-57 |
我々はアレイテスト回路などから構成される測定システム全体を，電気特性計測プラットフォーム技術と呼称し，様々な半導体素子の... [more] | SDM2023-57 pp.21-26 |
| SDM | 2023-10-13 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大） SDM2023-60 |
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] | SDM2023-60 pp.40-45 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 16:35 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析 ○李 龍聖・森 貴之（金沢工大）・岡 博史・森 貴洋（産総研）・井田次郎（金沢工大） SDM2023-42 ICD2023-21 |
本稿では、200 nm SOI MOSFETにおいて、極低温下でのみ発生する基板バイアス効果での特異な現象について継続解... [more] | SDM2023-42 ICD2023-21 pp.32-35 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-02 14:45 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET ○原田知親（山形大） SDM2023-47 ICD2023-26 |
本研究では、本研究室で以前からセンサ・回路素子として研究開発されている長方形タイプ多端子MOSFETと８角形タイプ多端子... [more] | SDM2023-47 ICD2023-26 pp.56-59 |
| SDM | 2023-06-26 10:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2023-27 |
FinFETの次世代チャネルとしてCMOSに採用され始めているナノシートチャネルは, チャネルの極薄膜化により短チャネル... [more] | SDM2023-27 pp.1-4 |
| SDM | 2023-01-30 14:55 |
東京 | 機械振興会館（B3-1） | ［招待講演］RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造 ○朝羽俊介・古川 大・楠本雄司（東芝デバイス&ストレージ）・飯島良介（東芝）・河野洋志（東芝デバイス&ストレージ） SDM2022-82 |
逆導通動作時のバイポーラ電流によって特性劣化するSiC-MOSFETの信頼性課題は、Schottky Barrier D... [more] | SDM2022-82 pp.13-16 |
| EE | 2023-01-20 11:25 |
福岡 | 九州工業大学（戸畑キャンパス 附属図書館AVホール） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Online junction temperature measurement of Power MOSFET by dynamic VGS-ID monitoring system ○Yandagkhuu Bayarsaikhan・Ichiro Omura（KIT） EE2022-46 |
パワーエレクトロニクス・システムの高信頼性への要求が高まる中，パワーデバイスのオンライン状態監視は極めて重要なものとなっ... [more] | EE2022-46 pp.111-116 |
| SDM | 2022-11-10 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2022-65 |
将来のCMOSチャネルには極薄膜(ETB)のナノシート構造が最も有望視されている. また別の応用として, 量子コンピュー... [more] | SDM2022-65 pp.7-12 |
| SDM | 2022-11-11 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化 ○野口宗隆・渡邊 寛（三菱電機）・喜多浩之（東大）・西川和康（三菱電機） SDM2022-75 |
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し... [more] | SDM2022-75 pp.50-54 |
| SDM | 2022-11-11 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］SiCパワーモジュールの高信頼性設計 ～ 劣化予測へ向けた実験的特性評価 ～ ○福永崇平（阪大）・カスティラッズィ アルベルト（京都先端科学大）・舟木 剛（阪大） SDM2022-76 |
本研究では, 高電圧電力変換回路に適用する, SiC MOSFETを用いたマルチチップパワーモジュールの高信頼設計に取り... [more] | SDM2022-76 pp.55-60 |
| SDM | 2022-10-19 16:30 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | ［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 ○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2022-62 |
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている．SiC MOSFET... [more] | SDM2022-62 pp.34-37 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-09 11:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-46 ICD2022-14 |
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温... [more] | SDM2022-46 ICD2022-14 pp.54-59 |
| SDM | 2022-06-21 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大） SDM2022-24 |
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit... [more] | SDM2022-24 pp.1-4 |
| CCS, NLP (共催) |
2022-06-10 09:00 |
大阪 | 大阪大学 豊中キャンパス シグマホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
MOSFETの寄生容量を鑑みたハイサイドゲートドライバ回路の解析 ○後藤裕介（中京大）・麻原寛之（岡山理科大）・高坂拓司（中京大）・伊藤大輔（岐阜大） NLP2022-12 CCS2022-12 |
[more] | NLP2022-12 CCS2022-12 pp.58-61 |
| CPM | 2022-03-01 15:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 多端子MOSFETによるインバータを流れる電流の間接計測とその評価 ○山口慶人・鈴木慎弥・及川康太・原田知親（山形大） CPM2021-81 |
本研究では、センサの低コスト化や微細化、小面積化が期待されているMOSFET型センサである多端子MOSFETにより構成さ... [more] | CPM2021-81 pp.36-39 |
| SDM | 2022-01-31 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計 ○隅田 圭・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-71 |
極薄膜（ETB）ナノシートチャネルは, 優れたスケーラビリティを理由に将来のテクノロジーノードにおけるチャネル構造として... [more] | SDM2021-71 pp.12-15 |
| SDM | 2021-11-11 16:15 |
ONLINE | オンライン開催 | 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案 ○竹内 潔・水谷朋子・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2021-58 |
基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の２倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が... [more] | SDM2021-58 pp.29-32 |
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