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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2014-11-26
16:15
大分 ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) DTMOSを用いたサブスレッショルド回路の高速化設計
福留祐治史 又華戸川 望早大)・宇佐美公良芝浦工大)・柳澤政生早大VLD2014-88 DC2014-42
サブスレッショルド領域で回路を動作させることで低電力化は実現されるが,同時に速度が劣化するトレードオフの関係にある.
... [more]
VLD2014-88 DC2014-42
pp.117-121
IE, ICD, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2014-10-02
16:15
宮城 東北大学 さくらホール メモリセル電位を適応的に降圧して書き込み動作範囲を低電圧化した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発
小林伸彰長岡技科大)・伊藤隆祐榎本忠儀中大VLD2014-66 ICD2014-59 IE2014-45
低電圧データ書き込み・データ読み出しを可能とし、待機時のデータ保持と低消費電力化を両立した1電源6-Tr CMOS SR... [more] VLD2014-66 ICD2014-59 IE2014-45
pp.33-38
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
10:25
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 待機時のデータ保持と待機時消費電力の低減を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発
伊藤隆祐中大)・小林伸彰長岡技科大)・榎本忠儀中大SDM2014-73 ICD2014-42
低電圧データ書き込み・データ読み出しを可能とし、待機時のデータ保持と低消費電力化を両立した1電源6-Tr CMOS SR... [more] SDM2014-73 ICD2014-42
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
砂村 潤古武直也齋藤 忍成広 充林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2014-76 ICD2014-45
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-F... [more] SDM2014-76 ICD2014-45
pp.77-82
SDM 2014-06-19
14:05
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー ナノ構造中における電子輸送の理論的研究
藤田弦暉塩川太郎筑波大)・高田幸宏東京理科大)・小鍋 哲筑波大)・村口正和東北大)・山本貴博東京理科大)・遠藤哲郎東北大)・初貝安弘筑波大)・白石賢二名大SDM2014-53
ナノスケールチャネル中における電子輸送について長距離電子間相互作用を考慮した計算を行った。 [more] SDM2014-53
pp.55-58
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
16:10
愛知 名古屋大学VBL3階 導波路を伝搬した表面プラズモン信号によるMOSFETの直流および交流動作
酒井宏基相原卓磨武田愛弓福原誠史太田 雅木村 優石井佑弥福田光男豊橋技科大ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26
表面プラズモンポラリトン(SPP)は,回折限界の制約を超えた微小領域への光の局在を可能とするため,光電子集積回路(OEI... [more] ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26
pp.51-54
ED 2014-04-18
09:00
山形 山形大学工学部百周年記念会館 インクジェット法を用いた全塗布型有機トランジスタの作製と集積回路応用
竹田泰典小林 悠山形大)・Faiz Adi Ezarudin Bin Adibサトーホールディングス)・福田憲二郎熊木大介時任静士山形大ED2014-11
溶液プロセスで作製可能な有機薄膜トランジスタ(Organic Thin-Film Transistor : OTFT)は... [more] ED2014-11
pp.41-45
VLD 2014-03-03
14:30
沖縄 沖縄県青年会館 小型液晶ディスプレイ駆動回路用nMOSダイナミックシフトレジスタとその評価
比嘉晋士栗田知拓築山修治中大VLD2013-137
小型液晶ディスプレイ(LCD:Liquid Crystal Display)の駆動回路は,SoG(System on G... [more] VLD2013-137
pp.19-24
SDM 2014-01-29
13:55
東京 機械振興会館 [招待講演]110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析
水谷朋子クマール アニール平本俊郎東大SDM2013-142
110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した.その結果,定電流法で定義された ... [more] SDM2013-142
pp.31-34
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-24
17:00
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) 表面プラズモン検出器-MOSFET集積回路における静的および動的特性
相原卓磨武田愛弓福原誠史石井佑弥福田光男豊橋技科大PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102
情報処理システムの更なる高速・大容量化の実現に向けて、集積回路内における光インターコネクトに関する研究が活発に行われてい... [more] PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102
pp.303-306
ED, MW
(共催)
2014-01-16
11:45
東京 機械振興会館 Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET
東脇正高NICT)・佐々木公平タムラ製作所/NICT)・ワン マンホイ上村崇史ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラED2013-116 MW2013-181
我々は,新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した.今回作製したデバイ... [more] ED2013-116 MW2013-181
pp.35-39
SDM 2013-11-15
13:25
東京 機械振興会館 ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
大森正規木場隼介前川容佑神戸大)・土屋英昭神戸大/JST)・鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・小川真人神戸大SDM2013-111
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] SDM2013-111
pp.65-70
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
16:05
石川 金沢大学 角間キャンパス バルク制御によるオペアンプの入力同相電圧広域化
大澤 衛範 公可電通大SDM2013-85 ICD2013-67
低電源電圧のもとで動作するオペアンプの同相入力電圧範囲の広域化について検討する.本研究では,
MOS トランジスタのバ... [more]
SDM2013-85 ICD2013-67
pp.105-110
SDM 2013-06-18
17:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
梅田享英筑波大)・岡本光央小杉亮治産総研)・荒井 亮佐藤嘉洋筑波大)・原田信介奥村 元産総研)・牧野高紘大島 武原子力機構SDM2013-64
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)はノーマリーオフ,高パワー密度,超低損失のパワーデバイスとして... [more] SDM2013-64
pp.101-105
MW 2013-03-06
10:25
広島 広島大学 ゲート接地容量を分散配置した高出力CMOSカスコードトランジスタ
嘉藤勝也宮下美代新庄真太郎堀口健一森 一富三菱電機MW2012-159
ゲート接地容量を分散配置した高出力カスコードトランジスタについて報告する.カスコードトランジスタのゲート接地容量を分散配... [more] MW2012-159
pp.7-10
MW 2013-03-08
11:20
広島 広島大学 [特別招待講演]アナログ・RF CMOS集積回路技術の現状と今後の動向
松澤 昭東工大MW2012-185
無線通信や信号センシングなどに用いられるアナログ・RFCMOS集積回路技術の現状と今後の動向について概観する。中核となる... [more] MW2012-185
p.147
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:00
北海道 北海道大学(百年記念会館) 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化
鈴木龍太野末喬城更屋拓也平本俊郎東大ED2012-137 SDM2012-166
あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSF... [more] ED2012-137 SDM2012-166
pp.47-52
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2012-65 ICD2012-33
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
ICD, ITE-IST
(連催)
2012-07-26
14:20
山形 山形大学米沢キャンパス [招待講演]パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ ~ 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発 ~
畑迫健一新田哲也羽根正巳前川繁登ルネサス エレクトロニクスICD2012-23
電気機器や電装品は“高効率かつ省エネルギー”が求められており、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵LSIは中心デバイスに位... [more] ICD2012-23
pp.25-29
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