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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-15 09:50 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | A 60GHz Integrated Antenna Switch for TDD Transceivers in 65nm CMOS ○Korkut Kaan Tokgoz・Seitaro Kawai・Kenichi Okada・Akira Matsuzawa（Tokyo Tech.）  CAS2017-102 ICD2017-90 CPSY2017-99 |
[more] | CAS2017-102 ICD2017-90 CPSY2017-99 pp.151-153 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-08 14:25 |
熊本 | くまもと県民交流館パレア | 画素単位で露光制御可能な列並列読み出しイメージセンサとHDR画像の再構成 ○古坂拓朗・浜本隆之（東京理科大） CPM2017-90 ICD2017-49 IE2017-75 |
本稿では，我々が試作した時空間方向に露光制御可能なCMOS イメージセンサと，その応用について述べる．4Tr-APS 方... [more] | CPM2017-90 ICD2017-49 IE2017-75 pp.53-56 |
| SDM | 2017-10-26 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析 ○市野真也・間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・若嶋駿一・須川成利（東北大） SDM2017-60 |
CMOSイメージセンサ（CIS）の画素内ソースフォロアトランジスタ（SF）で発生するランダムテレグラフノイズ（RTN）に... [more] | SDM2017-60 pp.57-62 |
| ICD | 2017-04-21 09:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能 ○北形大樹・周藤悠介・山本修一郎・菅原 聡（東工大） ICD2017-10 |
マイクロプロセッサやSoCの待機時電力を高効率に削減できる不揮発記憶を利用したパワーゲーティング(NVPG)に必要となる... [more] | ICD2017-10 pp.51-56 |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-20 16:45 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討 ○大見俊一郎・廣木瑞葉・張 鴻立・前田康貴（東工大） SDM2017-4 OME2017-4 |
有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示し、将来のフレキシブルエレクト... [more] | SDM2017-4 OME2017-4 pp.15-18 |
| VLD | 2017-03-03 10:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 小型液晶ディスプレイ駆動回路用nMOSダイナミックシフトレジスタの設計手法 ○康 榮太・築山修治・比嘉晋士（中大） VLD2016-125 |
小型液晶ディスプレイの駆動回路は，SoG（System on Glass）技術により，液晶と同じガラス基板上に形成された... [more] | VLD2016-125 pp.127-132 |
| SDM | 2017-02-06 13:35 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 ○服部淳一・福田浩一・入沢寿史・太田裕之・前田辰郎（産総研） SDM2016-143 |
モノリシック三次元インバータについて，積み重なったトランジスタの電気的結合が性能に与える影響をTCAD（technolo... [more] | SDM2016-143 pp.23-28 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-16 09:40 |
東京 | 東京工業大学 | MOSFETのキャラクタライズ結果を用いたバイアス回路の自動設計 ○鈴木研人・高井伸和・菅原誉士紀・大河内一登・吉澤 慧・石井 司・篠田沙樹・福田雅史（群馬大） ICD2016-91 CPSY2016-97 |
アナログ回路は設計の自由度が大きく最適な回路を短時間で設計するのは困難である。アナログ回路において、バイアス回路はトラン... [more] | ICD2016-91 CPSY2016-97 pp.119-122 |
| SDM | 2016-06-29 10:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針 ○太田裕之・右田真司・服部淳一・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2016-34 |
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数（SS）を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] | SDM2016-34 pp.9-13 |
| SDM | 2016-06-29 16:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 ○大橋 匠・松浦賢太朗（東工大）・石原聖也・日比野祐介・澤本直美（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） SDM2016-46 |
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから，柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] | SDM2016-46 pp.75-78 |
| MW (第二種研究会) |
2016-06-09 - 2016-06-11 |
海外 | KMUTNB（タイ・バンコク） | Design of CMOS Vector Sum Phase Shifter ○Shungo Ishii・Takana Kaho・Ramesh Pokharel（Kyushu Univ.） |
A 3.6-4.2 GHz CMOS phase shifter which employed a vector sum... [more] | |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 12:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | ［招待講演］低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性 ○大見俊一郎・前田康貴・古山 脩・廣木瑞葉（東工大） SDM2016-3 OME2016-3 |
ペンタセンやルブレンを用いた有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示す... [more] | SDM2016-3 OME2016-3 pp.11-15 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-02 17:10 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | 論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路 ○小出知明・石橋孝一郎（電通大）・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合） CPM2015-134 ICD2015-59 |
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] | CPM2015-134 ICD2015-59 pp.39-43 |
| SDM | 2015-06-19 13:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 ○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大） SDM2015-47 |
低い正孔障壁(ΦBP)を有するPtGe/Geコンタクトの作製およびその電気的パッシベーションについて調査を行った．極薄S... [more] | SDM2015-47 pp.47-50 |
| SDM | 2015-06-19 16:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2015-53 |
大気中、窒素雰囲気中、酸素雰囲気中において300ºC-500ºCの温度範囲で熱処理を施したAl2O3... [more] | SDM2015-53 pp.81-86 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 13:00 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 ○森崎誠司・林 将平・山本将悟・中谷太一・東 清一郎（広島大） SDM2015-13 OME2015-13 |
1µmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)... [more] | SDM2015-13 OME2015-13 pp.49-52 |
| RECONF, CPSY, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-01-29 17:00 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 ○小坂 翼・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 |
微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決... [more] | VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 pp.99-104 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2015-01-23 15:45 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | シリコンスピンMOSFETの室温動作の達成 ○田原貴之（京大）・佐々木智生（TDK）・安藤裕一郎（京大）・亀野 誠（阪大）・小池勇人・及川 亨（TDK）・鈴木淑男（AIT）・白石誠司（京大） MR2014-43 |
現在のエレクトロニクスデバイスの中心を成すCMOSトランジスタ技術はその微細化と集積化を伴って発展してきた. しかし近年... [more] | MR2014-43 pp.19-24 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 15:15 |
京都 | 京都大学 | ITZO TFTを用いたタッチパネル回路の特性解析 ○古我祐貴・松田時宜（龍谷大）・古田 守（高知工科大）・木村 睦（龍谷大） EID2014-30 SDM2014-125 |
ITZOを活性層に使用した酸化物TFT（ITZO TFT）はフラットパネルディスプレイの駆動素子として注目されている。本... [more] | EID2014-30 SDM2014-125 pp.89-93 |
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