| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-11-09 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング ○田中 一・森 伸也（阪大）  SDM2018-71 |
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し，モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った．フォ... [more] | SDM2018-71 pp.35-40 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| SDM | 2018-06-25 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ ○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大） SDM2018-20 |
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] | SDM2018-20 pp.19-22 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数 誠・大石敏之（佐賀大） ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 |
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており，これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波... [more] | ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 pp.69-72 |
| SDM | 2016-11-10 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiC トレンチ型DMOS（TED MOS）のチャネル特性に関する研究 ○手賀直樹・久本 大・島 明生・嶋本泰洋（日立） SDM2016-80 |
新型SiC トレンチ型DMOSであるtrench-etched double-diffused MOS (TED MOS... [more] | SDM2016-80 pp.9-14 |
| SDM | 2016-11-11 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ～ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ～ ○土屋敏章（島根大） SDM2016-86 |
チャージポンピング(CP)法で，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて，全く新しい視点でト... [more] | SDM2016-86 pp.43-47 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 12:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | ［招待講演］低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性 ○大見俊一郎・前田康貴・古山 脩・廣木瑞葉（東工大） SDM2016-3 OME2016-3 |
ペンタセンやルブレンを用いた有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示す... [more] | SDM2016-3 OME2016-3 pp.11-15 |
| ED | 2015-07-24 15:35 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 ○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大） ED2015-41 |
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] | ED2015-41 pp.25-29 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2015-07-03 10:30 |
神奈川 | 防衛大学校 | ［招待講演］オールデジタルAD変換器TADによる微細化のための「センサ／RF回路のデジタル化」 ○渡辺高元・山内重徳・田口信幸・寺澤智仁（デンソー） ICD2015-19 |
自動運転の実現には，多数のセンサと高度な通信技術が必要となる．またIoTアプリケーションの拡大発展には，多様なセンサノー... [more] | ICD2015-19 pp.27-32 |
| SDM | 2015-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 ○谷田部然治・橋詰 保（北大） SDM2015-38 |
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった．評価には室... [more] | SDM2015-38 pp.1-4 |
| SDM | 2015-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 ○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） SDM2015-40 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度... [more] | SDM2015-40 pp.11-16 |
| SDM | 2015-06-19 11:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 ○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機） SDM2015-42 |
SiC(000-1)面（C面）、SiC(0001)面（Si面）それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] | SDM2015-42 pp.21-26 |
| SDM | 2015-06-19 16:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2015-53 |
大気中、窒素雰囲気中、酸素雰囲気中において300ºC-500ºCの温度範囲で熱処理を施したAl2O3... [more] | SDM2015-53 pp.81-86 |
| SDM | 2015-01-27 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 ○金 閔洙・若林勇希・中根了昌・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2014-137 |
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] | SDM2014-137 pp.9-12 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:15 |
京都 | 京都大学 | Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 ○結城広登（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-33 SDM2014-128 |
Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し，1Hz～1MHzの範囲でSplit C-V測定を行った．Split C-V... [more] | EID2014-33 SDM2014-128 pp.103-107 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:30 |
京都 | 京都大学 | シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 ○磯野弘典（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-34 SDM2014-129 |
シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは，多量の界面準位(Dit)によるしきい値電圧(Vth)の変動や，低いチャネル... [more] | EID2014-34 SDM2014-129 pp.109-113 |
| CPM | 2014-10-24 15:20 |
長野 | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 | TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiC MIS特性に対するH2アニールの効果 ○狩野巧生・赤羽桂幸・小林悠太・山上朋彦・上村喜一（信州大） CPM2014-109 |
TEOSを用いた熱CVD法により4H-SiC(0001)Si面にSiO2膜を形成し、作製したSiO2/SiCキャパシタの... [more] | CPM2014-109 pp.25-28 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ ○砂村 潤・古武直也・齋藤 忍・成広 充・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-76 ICD2014-45 |
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術（BEOL-F... [more] | SDM2014-76 ICD2014-45 pp.77-82 |
| SDM | 2014-06-19 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査 ○永冨雄太・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大） SDM2014-44 |
Al2O3/GeOX/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果について調査を行った．Al-PMAは，SiO2/GeO2... [more] | SDM2014-44 pp.7-10 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]