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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| AP (第二種研究会) |
2023-12-07 14:15 |
和歌山 | 紀望館（南紀白浜） | モノスタティック-バイスタティック等価定理を用いたリフレクトアレーの簡易測定法 ○澤入圭司・橋口 弘・道下尚文（防衛大） |
第５世代移動通信では，ミリ波帯を用いることから，カバレッジホールの発生が懸念されている．カバレッジホールの解消の手段の１... [more] | |
| MIKA (第二種研究会) |
2019-10-04 10:15 |
北海道 | 北海道大学 | ［ポスター講演］アンテナ間結合と不完全整合および伝送線路長を考慮したVanAttaアレーのMRCS評価 ○犬塚 悠・西方敦博（東工大） |
再帰反射特性を実現する構造体の一つにVan Attaアレーがある．Van Attaアレーはアレー配置されたア ンテナと給... [more] | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-07 16:30 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［招待講演］28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 ○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2019-39 ICD2019-4 |
28nmスプリットゲートMONOS（SG-MONOS）型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] | SDM2019-39 ICD2019-4 pp.15-19 |
| SDM | 2018-10-17 16:05 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 ○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎（東工大） SDM2018-55 |
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] | SDM2018-55 pp.15-19 |
| AP (第二種研究会) |
2018-06-29 11:10 |
東京 | 神保町高橋ビル会議室7F | 積層セラミックコンデンサを用いたメタ表面のモノスタティックRCS測定 ○木内尚之・道下尚文・森下 久（防衛大）・宮崎輝規・田所眞人（横浜ゴム） |
本稿ではメタ表面の単位セルサイズの小型化のために，積層セラミックコンデンサ(MLCC)を用いたメタ表面を提案する．TEお... [more] | |
| SDM | 2018-01-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-94 |
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる．FinFET SG-M... [more] | SDM2017-94 pp.13-16 |
| SDM | 2017-11-10 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル ○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-71 |
28nm世代のフラッシュ混載MCUに搭載するスプリットゲート-MONOS型不揮発性メモリセル(SG-MONOSセル)の読... [more] | SDM2017-71 pp.53-58 |
| SDM | 2017-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2017-52 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリとして、MONOS型不揮発性メモリが注目されている。MONOS型不揮発性メモリの... [more] | SDM2017-52 pp.15-19 |
| SDM | 2017-10-26 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［依頼講演］28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 ○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-58 |
28nmスプリットゲートMONOS（SG-MONOS）型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] | SDM2017-58 pp.45-49 |
| ICD | 2017-04-20 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） ICD2017-7 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | ICD2017-7 pp.35-38 |
| ICD | 2017-04-20 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載用アプリケーションが求める混載Flash技術 ○中野全也・伊藤 孝・山内忠昭・山口泰男・河野隆司・日高秀人（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-8 |
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] | ICD2017-8 pp.39-44 |
| SDM | 2017-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） SDM2016-134 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | SDM2016-134 pp.17-20 |
| OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-18 15:35 |
三重 | 伊勢市観光文化会館 | モノスタティック超広帯域ドップラレーダと時間領域適応型信号処理を用いた複数人体の追跡方法 ○奥村成皓（京大）・阪本卓也（兵庫県立大/京大）・佐藤 亨（京大） PN2016-61 EMT2016-90 OPE2016-136 LQE2016-125 EST2016-100 MWP2016-74 |
超広帯域レーダは高い距離分解能を持ち，防犯分野，周辺把握での活用が期待されている．低コストのシステムを実現するため，本研... [more] | PN2016-61 EMT2016-90 OPE2016-136 LQE2016-125 EST2016-100 MWP2016-74 pp.115-120 |
| SDM | 2016-10-27 11:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2016-76 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリ構造として、高集積化に適したMONOS型不揮発性メモリが注目されている。本研究で... [more] | SDM2016-76 pp.39-44 |
| ICD | 2016-04-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 ○中西 悟・三谷秀徳・松原 謙・吉田 浩・河野隆司・帯刀恭彦・伊藤 孝・倉藤 崇・野口健二・日高秀人・山内忠明（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-15 |
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] | ICD2016-15 pp.77-81 |
| SDM | 2015-10-29 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA ○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・安田心一（東芝） SDM2015-75 |
従来のFPGAではメモリとしてSRAMが用いられてきたが，これを不揮発メモリであるフラッシュメモリで置き換えることにより... [more] | SDM2015-75 pp.23-28 |
| EMT, IEE-EMT (連催) |
2015-10-29 14:15 |
宮崎 | ANAホリデイ・イン宮崎 | 表面反射散乱量からの誘電体四角柱の寸法推定 ○木角飛鳥・白井 宏（中大） EMT2015-64 |
誘電体四角柱からの電磁波散乱量の角度変化から，その角柱の寸法を推定する方法を提案する． 時間領域での散乱応答を，ゲーテ... [more] |
EMT2015-64 pp.103-107 |
| ICD | 2015-04-16 14:25 |
長野 | 信州大学 | ［招待講演］車載用途200MHz高速読出し動作および書込みスループット2.0MB/sを達成した28nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発発 ○棟安 誠・帯刀恭彦・中野全也・伊藤 孝・河野隆司・野口健二・日高秀人・山内忠昭（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-4 |
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、28nmプロセスのSG-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] | ICD2015-4 pp.15-19 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 11:15 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA ○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・藤田 忍・安田心一（東芝） SDM2014-75 ICD2014-44 |
フラッシュメモリを用いた高速かつ低消費電力なFPGAを実現するために鍵となる技術を紹介する．1つはMONOS型フラッシュ... [more] | SDM2014-75 ICD2014-44 pp.71-76 |
| SDM | 2014-06-19 13:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 ○白川裕規・山口慶太（筑波大）・神谷克政（神奈川工科大）・白石賢二（名大） SDM2014-52 |
MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor ) 型メモリは、堅牢な電荷... [more] | SDM2014-52 pp.49-53 |
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