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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 15:50 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
パワーサイクルセンサの感度向上に向けた新規構造の検討 ○大亀幸樹・山北祐輝・西澤伸一・齋藤 渉（九大） |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | |
| SDM | 2021-06-22 14:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET ○若林 整（東工大）  SDM2021-24 |
[more] | SDM2021-24 pp.13-15 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化 ○柏野壮志・平井 準・池田俊介・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 |
我々はヘテロ接合電子ランチャと真性半導体チャネルを有する縦型MISFETの研究を行っている。この構造により7 MA/cm... [more] | ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 pp.43-48 |
| SDM | 2010-06-22 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田 永・福原 昇・秦 雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2010-42 |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] | SDM2010-42 pp.49-54 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source ○Yasuyuki Miyamoto・Toru Kanazawa・Hisashi Saito・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-72 SDM2009-67 |
Recently, III-V thin films have been identified as potential... [more] | ED2009-72 SDM2009-67 pp.99-103 |
| SDM | 2009-06-19 15:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-38 |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] | SDM2009-38 pp.67-70 |
| SDM | 2009-06-19 15:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39 |
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] | SDM2009-39 pp.71-76 |
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