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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2011-07-30 14:20 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析 ○藤田昌成・斉藤光史・須原理彦（首都大東京）  ED2011-56 |
本研究では、InSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性を利用し、スピン偏極した電流電圧特性の解析を行った。InSbは... [more] | ED2011-56 pp.97-102 |
| SDM, ED (共催) (第二種研究会) |
2011-06-29 - 2011-07-01 |
海外 | Legend Hotel | Analysis of spin-polarized current using InSb/AlInSb resonant tunneling diodes ○Masanari Fujita・Mitsufumi Saito・Michihiko Suhara（Tokyo Metropolitan Univ.） |
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| EMCJ, IEE-EMC (連催) |
2010-12-10 15:55 |
愛知 | 中京大学 豊田キャンパス | 固体プラズマを含む三層構造誘電体線路のサブミリ波伝搬特性 ○池田 亮・淀川信一・高坂 諭・小武内哲雄（秋田大） EMCJ2010-97 |
サブミリ波帯において，固体プラズマを装荷した三層構造誘電体線路の伝搬特性の印加磁界依存性の検討を行った．二次元FDTD法... [more] | EMCJ2010-97 pp.93-98 |
| EMCJ, IEE-EMC (連催) |
2010-12-10 16:15 |
愛知 | 中京大学 豊田キャンパス | 固体プラズマを装荷したサブミリ波帯Y分岐の伝搬特性 ○宮下 滋・淀川信一・高坂 諭・小武内哲雄（秋田大） EMCJ2010-98 |
固体プラズマ材料としてn-InSb薄板を挿入したY分岐導波管の500GHz帯サブミリ波の伝搬特性についてFDTD法を用い... [more] | EMCJ2010-98 pp.99-104 |
| ED | 2010-06-17 13:00 |
石川 | 北陸先端大 | InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長 ○岩杉達矢・カマセ サラ・角田 梓・中谷公彦・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2010-33 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上へInSb単分子層を介してInSb薄膜を2段階成長させると、Siに対してInSbの... [more] | ED2010-33 pp.1-4 |
| ITE-MMS, ITE-CE, MRIS (共催) |
2010-01-21 13:30 |
大阪 | パナソニック松心会館 | 次世代高密度光ディスクを用いた多チャンネル高精細映像再生システム ○大牧正幸・中井賢也・竹下伸夫・篠田昌久（三菱電機）・Berangere Hyot・Bernard Andre・Ludovic Poupinet（CEA-LETI, MINATEC）・島 隆之・中野隆志・富永淳二（産総研） MR2009-50 |
本文では，次世代高密度光ディスクとして，単層50GBのsuper-RENS（super REsolution Near-... [more] | MR2009-50 pp.7-10 |
| EMCJ, MW, IEE-MAG (共催) |
2009-10-23 15:10 |
岩手 | 岩手大学・八幡平ロイヤルホテル | 固体プラズマ上のサブミリ波帯結合型イメージ線路の伝搬特性 ○鈴木清貴・小武内哲雄・淀川信一・高坂 諭（秋田大） EMCJ2009-73 MW2009-122 |
平行した2本のイメージ線路の下部に磁界を印加した固体プラズマ材料を挿入した構造のサブミリ波帯結合型イメージ線路の伝搬特性... [more] | EMCJ2009-73 MW2009-122 pp.171-176 |
| ED | 2009-06-12 09:30 |
東京 | 東京工業大学 | 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析 ○西野啓之・川平一太・原 伸介・藤代博記（東京理科大） ED2009-44 |
InAsやInSb等のナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いたデバイスは，テラヘルツ応用やポストSi CMOS 等の... [more] | ED2009-44 pp.41-46 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 固体プラズマを挿入したサブミリ波帯結合線路の非可逆伝搬特性 ○丸山 契・小武内哲雄・淀川信一・高坂 諭（秋田大） ED2008-208 MW2008-173 |
磁界印加によって異方性を生じる固体プラズマ材料をサブミリ波帯結合線路に挿入した場合に見られる非可逆伝搬特性について，理論... [more] | ED2008-208 MW2008-173 pp.59-64 |
| ED | 2008-06-14 11:20 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ○森 雅之・斉藤光史・長島恭兵・上田広司・吉田達雄・前澤宏一（富山大） ED2008-37 |
Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させると、Si基板に対して30°回転し、結晶性や電気的特... [more] | ED2008-37 pp.81-84 |
| ED | 2008-06-14 11:45 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 ○斉藤光史・森 雅之・上田広司・前澤宏一（富山大） ED2008-38 |
我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している... [more] | ED2008-38 pp.85-90 |
| ED | 2007-06-15 14:50 |
富山 | 富山大学 | 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 ○村田和範・ノルスルヤティ ビンティ アハド・田村 悠・森 雅之・丹保豊和・前澤宏一（富山大） ED2007-35 |
Si(111)面上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長を超高真空チャンバー内で成長温度200-420℃の範囲で行っ... [more] | ED2007-35 pp.21-25 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-17 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | 固体プラズマ上におかれた周期金属構造のサブミリ波放射特性 ○土井和也・淀川信一・高坂 諭・小武内哲雄（秋田大） |
固体プラズマ上の誘電体イメージ線路に周期金属薄板を装荷した構造からのサブミリ波の放射特性を， FDTD法による解析と固体... [more] | ED2006-207 MW2006-160 pp.41-46 |
| MW | 2005-12-16 11:15 |
広島 | 広島市立大学 | InSb酸化膜のサブミリ波伝搬特性 ○加藤友祐・淀川信一・高坂 諭・小武内哲雄（秋田大） |
サブミリ波帯誘電体線路の材料としてInSbの酸化膜を用いる可能性を526GHzにおける二種類の実験によって検討した．まず... [more] | MW2005-133 pp.31-36 |
| MW | 2005-12-16 11:40 |
広島 | 広島市立大学 | InSb薄板を装荷したサブミリ波帯スロットラインの電力分布 ○加藤和弘・淀川信一・高坂 諭・小武内哲雄（秋田大） |
サブミリ波帯におけるスロットライン型非可逆素子の可能性を検討するために，スロットラインにInSb薄板を装荷した構造を伝搬... [more] | MW2005-134 pp.37-42 |
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