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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:30 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大）  ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 |
InGaN 発光ダイオードにおける, 注入キャリア数の増加に対して, 光出力が線形に増加しない原因を解明するために, 本... [more] | ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 pp.39-42 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性 ○小林 篤・下元一馬・上野耕平・梶間智文・太田実雄（東大）・藤岡 洋・尾嶋正治（東大/JST） ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 |
ZnO結晶は?族窒化物結晶と構造的に類似性が高く，また，大面積バルク結晶も容易に入手できることから，無極性面窒化物薄膜の... [more] | ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 pp.43-46 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 17:35 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて ～ 発光素子から太陽電池への展開 ～ ○草部一秀・石谷善博・吉川明彦（千葉大） ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 |
InNの物性を活かした光デバイス開発には、（1) InNおよび高In組成窒化物混晶のｐ型伝導制御、および(2) 構造的完... [more] | ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 pp.81-84 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 08:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］窒化物半導体基板上ヘテロ接合電子デバイスの設計と評価 ○葛原正明（福井大） ED2009-70 SDM2009-65 |
[more] | ED2009-70 SDM2009-65 pp.87-92 |
| LQE | 2009-05-22 13:30 |
富山 | 金沢大学角間キャンパス、自然科学研究科棟 G15会議室 | プラズモニクスを利用したLEDの高速・高効率化 ○岡本晃一（京大/JST）・川上養一（京大） LQE2009-10 |
金属と誘電体の界面に生じる表面プラズモンは，従来にない斬新な光物性・光機能を材料にもたらす．これを制御・利用する技術，す... [more] | LQE2009-10 pp.49-54 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 10:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討 ○塩田倫也・富田祐貴・杉山正和・霜垣幸浩・中野義昭（東大） ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 |
有機金属気相成長(MOVPE: Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)の選択成長(Sele... [more] | ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 pp.13-16 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード ○船戸 充・林 敬太・上田雅也・川上養一（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学） ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108 |
GaN微細構造を利用したマルチファセットInGaN/GaN発光ダイオード(LED)を作製した．各ファセット面における量子... [more] | ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108 pp.57-60 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | InGaNの2種の柱面からの発光特性 ○蟹江 壽・明石健一・積木秀実（東京理科大） ED2008-171 CPM2008-120 LQE2008-115 |
青色のカソードルミネッセンス(CL)を示すInGaN 結晶をGaN とIn 硫化物を混ぜ合わせて1000℃でアンモニアと... [more] | ED2008-171 CPM2008-120 LQE2008-115 pp.93-96 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 10:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測 ○山口敦史（金沢工大） ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116 |
半極性・無極性面GaN基板上InGaN量子井戸では、c軸に垂直な方向の偏光が強く発光するため、端面出射型レーザを作製する... [more] | ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116 pp.97-102 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:30 |
福井 | 福井大学 | 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 ○金田昭男（京大/JST）・金井聡庸（京大）・船戸 充・川上養一（京大/JST）・菊池昭彦・岸野克己（上智大/JST） ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 |
c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させるこ... [more] | ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 pp.7-12 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 11:40 |
福井 | 福井大学 | AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討 ○児玉和樹・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 |
AlInN/InGaNヘテロ接合FETの高周波特性について理論予測を行った。解析には、２次元空間におけるアンサンブルモン... [more] | ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 pp.77-80 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 15:05 |
福井 | 福井大学 | Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN 選択MOVPE成長 ○中島由樹・本田善央・山口雅史・澤木宣彦（名大） ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 |
選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上... [more] | ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 pp.97-102 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 09:55 |
京都 | 京都大学 | 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価 ○上田雅也・小島一信・船戸 充・川上養一（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学） |
半極性{11-22}GaN基板上にGaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を有機金属気相成長し，その光学特性... [more] | ED2006-162 CPM2006-99 LQE2006-66 pp.57-61 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 11:50 |
京都 | 京都大学 | 電流注入発光寿命によるGan系LEDにおける内部量子効率の評価 ○財満康太郎（東芝）・成田哲生（名大）・斎藤真司・橘 浩一・名古 肇・波多腰玄一・布上真也（東芝） |
InGaN量子井戸を活性層とする発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)を試料として、電流注... [more] | ED2006-166 CPM2006-103 LQE2006-70 pp.79-82 |
| LQE | 2006-06-02 18:00 |
福井 | 福井大学 | InGaN系青紫色半導体レーザにおける電気的正負帰還による雑音低減化 ○寺岡栄治・佐伯和司・山田 実・桑村有司（金沢大） |
InGaN系青紫色半導体レーザは大容量光ディスクの光源として開発が進められている.青紫色半導体レーザは低出力光強度におい... [more] | LQE2006-18 pp.87-90 |
| LQE | 2005-05-19 10:55 |
石川 | 金沢大学 | InGaN系青紫色半導体レーザの雑音特性と雑音低減化 ～ 量子雑音と戻り光雑音および高周波重畳法 ～ ○松岡顕二郎・佐伯和司・寺岡栄治・桑村有司・山田 実（金沢大） |
InGaN系青紫色半導体レーザは, 次世代DVDのピックアップ光源として開発が進められている. ここでは, このレーザの... [more] | LQE2005-3 pp.9-12 |
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