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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 13:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性 ○栗原 香・長尾 哲（三菱化学）・山口敦史（金沢工大）  ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105 |
m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波... [more] | ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105 pp.19-22 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 13:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 非極性InGaN量子井戸の偏光特性 ○坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・栗原 香・長尾 哲（三菱化学） ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106 |
非極性InGaN量子井戸を活性層に利用した素子の設計において偏光特性は重要な要素とされている． 一般的に， この偏光特性... [more] | ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106 pp.23-26 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 15:10 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 |
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これま... [more] | ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 pp.103-106 |
| CPM | 2014-09-05 09:55 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 ○佐藤大樹・西谷智博・前川拓也・本田善央・天野 浩（名大） CPM2014-84 |
負の電子親和力(Negative Electron Affinity: NEA)状態の表面を持つ半導体（NEA半導体フォ... [more] | CPM2014-84 pp.49-54 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 |
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] | ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 pp.31-34 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 15:16 |
静岡 | 静岡大学 | InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価 ○村越尚輝・トウヒドル イスラム・福田武司・鎌田憲彦（埼玉大）・荒川泰彦（東大） EID2012-21 |
時間分解フォトルミネッセンス（PL）および非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長... [more] | EID2012-21 pp.49-52 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 14:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析 ○波多腰玄一・布上真也（東芝） ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114 |
ウルツ鉱構造InGaNでは伝導帯側にバンドギャップエネルギーと同じオーダーのエネルギー差を持つバンドがあり，これを介した... [more] | ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114 pp.97-101 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:30 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 ○久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 |
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm～590nm、井戸... [more] | ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 pp.15-18 |
| CPM | 2011-10-26 14:55 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製 ○堀田 徹・杉田憲一・A. G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大） CPM2011-113 |
InGaNとInAlNによるヘテロ構造デバイス作製にむけて、MOVPE法を用いて単層でのInAlN、InGaNの成長条件... [more] | CPM2011-113 pp.23-26 |
| CPM | 2011-10-26 15:20 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOCVD法によるInGaN膜を被覆した高耐食性固体高分子形燃料電池用ステンレス鋼板製セパレータ ○嶋橋政徳（アイテック）・松井和也（福井大）・岡田晃治（アイテック）・杉田憲一（福井大）・佐々木 肇（アイテック）・山本アキ勇（福井大） CPM2011-114 |
固体高分子形燃料電池用金属セパレータとして、InGaN膜を被覆したステンレス鋼（SUS）板の適用を初めて検討した。MOC... [more] | CPM2011-114 pp.27-30 |
| CPM | 2011-10-27 10:20 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長 ○三原章宏・杉田憲一・Ashraful G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）・渡邉則之・重川直輝（NTT） CPM2011-120 |
InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n... [more] | CPM2011-120 pp.55-58 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 ○田畑拓也・白 知鉉・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22 |
従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想され... [more] | ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22 pp.45-48 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 ○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大） ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 |
MOVPE 法により(1-101)GaN/Si 上にInGaN 厚膜の成長を試みた。InGaN を成長するとGaN にみ... [more] | ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 pp.63-66 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 14:30 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 ○山口敦史（金沢工大）・小島一信（京大） ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104 |
非極性InGaN量子井戸の偏光特性の実験データから材料パラメータを逆算的に求める解析手法を開発した。その手法に基づいてこ... [more] | ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104 pp.29-32 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 14:55 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～ ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 |
InGaN 単一量子井戸構造(SQW)のefficiency droop 現象を解明するために, 本研究では, 内部量子... [more] | ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 pp.33-36 |
| LQE | 2010-05-28 16:30 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス 総合研究棟Ｉ 13階会議室 | 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子 ○岡本晃一（京大/JST）・Richard Bardoux・川上養一（京大） LQE2010-15 |
励起子と表面プラズモンの結合を利用することにより，InGaN/GaN量子井戸を始めとする様々な発光材料の発光速度・発光効... [more] | LQE2010-15 pp.63-68 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 14:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 ○谷川智之・本田善央・山口雅史（名大） ED2009-200 SDM2009-197 |
選択MOVPE法により非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の膜厚分布および発光の空間分布について検討を行った。無極性... [more] | ED2009-200 SDM2009-197 pp.23-28 |
| ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD (共催) |
2010-01-28 14:20 |
福岡 | 九州大学(筑紫地区) | InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価 ○山口朋彦・五十嵐航平・福田武司・本多善太郎・鎌田憲彦（埼玉大） |
非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネセンス法を用いて，障壁層と... [more] | EID2009-55 pp.33-36 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 11:15 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 ○山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 |
InN成長のための新しいRF-MBE（radio-frequency plasma-assisted molecular... [more] | ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 pp.25-29 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:05 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 ○金田昭男・上田雅也・船戸 充・川上養一（京大） ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 |
ELO-GaN テンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの... [more] | ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 pp.35-38 |
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