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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 09:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定 ○神野翔綺・山口敦史・森 恵人（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・冨谷茂隆・工藤喜弘（ソニーセミコンダクタソリューションズ）  ED2023-25 CPM2023-67 LQE2023-65 |
我々は、InGaN量子井戸発光層の電子構造とキャリアダイナミクスを完全に理解するためには、正確な内部量子効率(IQE)が... [more] | ED2023-25 CPM2023-67 LQE2023-65 pp.52-55 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 10:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定 ○森 恵人・山口敦史（金沢工大）・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ） ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66 |
InGaN量子井戸(QW)を用いた垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)は，通常，c面GaN基板上に作製されるが，c面は... [more] | ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66 pp.56-59 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 10:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［奨励講演］輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究 ○森 恵人・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） ED2022-40 CPM2022-65 LQE2022-73 |
窒化物半導体光デバイスの活性層に用いられるInGaNやAlGaNの量子井戸(QW)における再結合のキャリアダイナミクスは... [more] | ED2022-40 CPM2022-65 LQE2022-73 pp.73-76 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定 ○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大） ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32 |
InGaN量子井戸(QW)のキャリアダイナミクスの理解には，内部量子効率(IQE)を正確に評価する必要がある． 本研究... [more] |
ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32 pp.29-32 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 | Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定 ○小笠原健太（金沢工大）・坂井繁太・奥村忠嗣・難波江宏一（ウシオ電機）・山口敦史（金沢工大） ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 |
InGaNはInNとGaNの混晶であり，In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材... [more] | ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 pp.33-36 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析 ○袴田舜也・藤田貴志・渡邊龍一・山口敦史（金沢工大） ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35 |
InGaN量子井戸は、In組成を変化させることで可視光全域の光を出すことができるが、緑色より長波長側では効率が落ちてしま... [more] | ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35 pp.41-44 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 10:05 |
ONLINE | オンライン開催 | 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定 ○森 恵人・高橋佑知・坂井繁太・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52 |
我々はこれまでにInGaN量子井戸(QW)の内部量子効率(IQE)を正確に測定する手法として，光音響(PA)・発光(PL... [more] | ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52 pp.1-4 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 10:25 |
ONLINE | オンライン開催 | InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性 ○山口拓海・有賀恭介・森 恵人・山口敦史（金沢工大） ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53 |
窒化物半導体発光層の内部量子効率は, 発光強度の温度依存性の実験結果から見積もられることが多い. これは, 極低温におけ... [more] | ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53 pp.5-8 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 14:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討 ○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99 |
InGaN混晶は、組成を変えることで理論上可視光域全域をカバー可能な半導体材料である。InGaN量子井戸における組成揺ら... [more] | ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99 pp.97-100 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 ○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 |
窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには，まず内部量子効率(IQE: Internal Quantum Effi... [more] | ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 pp.101-106 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 13:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 ○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102 |
InGaNはInNとGaNの混晶であり、組成を変えることでバンドギャップの調整ができる。InGaN量子井戸における組成揺... [more] | ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102 pp.75-78 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 ○大島一輝・池田優真・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 |
InGaN量子井戸(QW)では、In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに、この... [more] | ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 pp.79-82 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 14:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 ○池田優真・坂井繁太・大島一輝・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64 |
LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性（S-... [more] | ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64 pp.11-14 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 09:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較 ○森 拓磨・太田美希・原田紘希・加藤慎也・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70 |
有機金属気相成長法によってサファイア基板とAlN/サファイアテンプレート（AlNテンプレート）の2種類の基板上にInGa... [more] | ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70 pp.39-44 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 08:40 |
京都 | 京大桂キャンパス | 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 ○松浦圭吾・坂井繁太・山口敦史（金沢工大） ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 |
我々は、低コスト高性能緑色半導体レーザの実現に向け、へき開面を共振器ミラーとして利用した半極性面上InGaN量子井戸構造... [more] | ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 pp.51-54 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 09:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大） ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 |
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] | ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 pp.55-59 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 16:55 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用 ○岡本晃一・立石和隆・川元 駿・西田知句・玉田 薫（九大）・船戸 充・川上養一（京大） ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112 |
プラズモニクスの利用は，高効率発光ダイオード（LED）の発光効率を改善する有効な方法のひとつである．我々は2004年に，... [more] | ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112 pp.63-68 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 14:35 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 ○加畑智基・堤 達哉・三好実人・江川孝志（名工大） ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 |
InGaN混晶半導体は、そのバンドギャップ制御により太陽光スペクトルの広範囲をカバーできることから、新たな太陽電池用材料... [more] | ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 pp.95-99 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 14:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性 ○光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 |
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] | ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 pp.17-19 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 ○児玉和樹・Hasan Md Tanvir・野村裕之（福井大）・重川直輝（阪市大）・山本暠勇・葛原正明（福井大） ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103 |
本論文では, AlN/Si(111), α-Al2O3(0001), GaN/α-Al2O3(0001)基板上に成長温度... [more] | ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103 pp.9-14 |
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