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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-28
11:05
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) モノリシック4チャンネル直接変調レーザアレイの100Gbit/s動作
小林 亘金澤 慈上田悠太NTT)・藤澤 剛北大)・石井啓之井藤幹隆NTTOCS2016-49 OPE2016-90 LQE2016-65
4チャンネル直接変調レーザとMMIカプラをモノリシック集積した素子を作製した.作製した素子をTOSAモジュールに実装し,... [more] OCS2016-49 OPE2016-90 LQE2016-65
pp.83-86
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-28
09:35
青森 青森県観光物産館アスパム 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価
進藤隆彦小林 亘小木曽義弘藤原直樹伊賀龍三大礒義孝石井啓之NTTR2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45
将来のbeyond 100 GbEに向けた低消費電力・大容量光源として、1.3 μm帯InGaAlAs直接変調レーザが有... [more] R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45
pp.73-76
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-23
16:50
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8 Gb/s 30nm波長範囲動作
小林 亘藤澤 剛都築 健大礒義孝金澤 慈進藤隆彦山中孝之三条広明NTTPN2013-58 OPE2013-172 LQE2013-158 EST2013-107 MWP2013-78
100Gb/sを超える大容量光源の実現を目指し,直接変調レーザのモノリシックアレイ集積の検討を行った.同一基板に作製した... [more] PN2013-58 OPE2013-172 LQE2013-158 EST2013-107 MWP2013-78
pp.129-134
OPE, LQE, CPM, EMD, R
(共催)
2013-08-30
11:30
北海道 サンリフレ函館 1.3um InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作
小林 亘藤澤 剛伊藤敏夫山中孝之田所貴志三条広明NTTR2013-52 EMD2013-58 CPM2013-77 OPE2013-81 LQE2013-51
Beyond 100GbEthernetの光源への適用を目的として、1.3um波長の直接変調レーザ(DML)の50Gb/... [more] R2013-52 EMD2013-58 CPM2013-77 OPE2013-81 LQE2013-51
pp.117-122
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
16:50
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 1.3um帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
深町俊彦塩田貴支日立/光電子融合基盤技研)・北谷 健日立)・坂 卓磨日立/光電子融合基盤技研)・松岡康信三田玲英子日立)・足立光一朗篠田和典日立/光電子融合基盤技研)・菅原俊樹日立)・田中滋久辻 伸二日立/光電子融合基盤技研)・青木雅博日立PN2009-46 OPE2009-184 LQE2009-166
1.3μm帯直接変調レーザについて,95℃までの広範囲25Gbps無温調動作の実現性を検討した.今回,共振器長160μm... [more] PN2009-46 OPE2009-184 LQE2009-166
pp.61-64
LQE, OPE
(共催)
2009-06-19
15:20
東京 機械振興会館6階66号室 10Gb/s,1.55um,EADFBレーザの広温度範囲(-25~100℃)SMF80km伝送
小林 亘荒井昌和山中孝之藤原直樹藤澤 剛都築 健田所貴志狩野文良NTTOPE2009-25 LQE2009-28
低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的... [more] OPE2009-25 LQE2009-28
pp.51-54
LQE, CPM, EMD, OPE
(共催)
2008-08-29
09:50
宮城 東北大学 InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作
篠田和典牧野茂樹北谷 健塩田貴支青木雅博日立EMD2008-47 CPM2008-62 OPE2008-77 LQE2008-46
次世代通信用レーザに求められる極限性能の追求を目的として、InGaAlAs系材料とInGaAsP系材料を基板面内に自由に... [more] EMD2008-47 CPM2008-62 OPE2008-77 LQE2008-46
pp.79-82
LQE 2005-12-09
13:20
東京 機械振興会館 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作
篠田和典北谷 健青木雅博日立)・向久保 優内田憲治魚見和久日本オプネクスト
10Gbit/s伝送用1.3μm帯直接変調レーザの駆動電流低減を目的として、数十μm長の短い活性領域を持つ短共振器型In... [more] LQE2005-117
pp.21-24
LQE, OCS, OPE
(共催)
2004-11-04
16:40
福岡 九州工業大学 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討
有本英生清水淳一郎白井正敬青木雅博日立
光送信器の低コスト化を目指したアンクールド40Gbit/s EA/DFBレーザを実現するための基礎検討として、0℃-85... [more] OCS2004-90 OPE2004-155 LQE2004-99
pp.43-46
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