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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| AP | 2023-03-17 10:55 |
富山 | 富山県民会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
計算機シミュレーションによる3.5GHz帯マンホールアンテナのエリア評価 ○中野雅之・國澤良雄・林 高弘（KDDI総合研究所）  AP2022-244 |
移動通信基地局におけるマンホール型のアンテナについて，FDTD法を用いた電磁界シミュレーションを行った．3.5GHz帯の... [more] | AP2022-244 pp.61-66 |
| MW, EMCJ, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2017-10-20 09:20 |
秋田 | あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 | 金属筺体放熱用開口の近傍磁界遮へい特性 ○藤井 渉・山本真一郎・畠山賢一・岩井 通（兵庫県立大） EMCJ2017-42 MW2017-94 EST2017-57 |
電源回路筐体に代表される磁界発生源を内包し，一面を開口面とした金属筐体モデルを考え，開口面をホールアレイ（周期穴あき金属... [more] | EMCJ2017-42 MW2017-94 EST2017-57 pp.89-94 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波帯導波管／マイクロストリップライン変換器の広帯域化 ○鈴木俊達・内海要三・森田 登・平栗健史（日本工大）・横田宗大・亀井利久（防衛大）・千野聖純・青木生朗・鈴木洋介（キーコム） ED2011-123 MW2011-146 |
本論文では，導体板両張り誘電体基板をH面中央で割った分割導波管で挟み込んだ構造（いわゆるフィンライン構造）により，導波管... [more] | ED2011-123 MW2011-146 pp.25-30 |
| SANE | 2011-11-24 13:25 |
奈良 | (独)奈良文化財研究所 | 同軸給電型指向性ボアホールレーダの使用可能な周波数帯の変更とフィールド実験による検討 ○近藤慎平・海老原 聡・和田嘉人（阪電通大） SANE2011-114 |
本論文では、同軸給電型指向性ボアホールレーダの使用可能な周波数帯の変更方法として中心導体円柱の形状変更を検討した。中心導... [more] | SANE2011-114 pp.7-12 |
| OME, OPE (共催) |
2010-11-12 16:05 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | マイクロホールアレイを用いた多チャンネル間波長選択光インターコネクションの検討 ○常盤諭生・仲間健一・三上 修（東海大） OME2010-60 OPE2010-130 |
長選択とマイクロホールアレイ(MHA)によるプラグインを用いたインターコネクション方式を提案する．MHAは光硬化樹脂を用... [more] | OME2010-60 OPE2010-130 pp.27-30 |
| AP | 2009-09-03 10:25 |
青森 | 八戸工大 | エリア自動制御のための指向性制御を実現する実験装置の構築と電波暗室でのスループット評価 ○井上祐樹・長 敬三（NTTドコモ） AP2009-81 |
近年，基地局数が増大する傾向にあり，無線パラメタの設定の複雑化が顕著である．従来から，基地局の無線パラメタを自動的に設定... [more] | AP2009-81 pp.13-16 |
| AP | 2008-09-11 13:00 |
神奈川 | 防衛大学校 | 共振周波数可変型ダイポールアンテナアレーによる指向性ボアホールレーダの広帯域化 ○高山卓也・佐藤源之（東北大） AP2008-81 |
我々が開発したアレー型指向性ボアホールレーダは、円周上に配置した４つの受信ダイポールアンテナにより入射波のアジマス角を推... [more] | AP2008-81 pp.37-42 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 10:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・松尾尚慶（松下電器）・永井秀一・Ming Li（Panasonic Boston Lab）・鶴見直大・石田秀俊・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2008-73 SDM2008-92 |
[more] | ED2008-73 SDM2008-92 pp.177-181 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
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