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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 16:25 |
東京 | 機械振興会館 | X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発 ○西原 信・山本高史（住友電工デバイス・イノベーション）・水野慎也・佐野征吾（住友電工）・長谷川裕一（住友電工デバイス・イノベーション）  ED2011-141 MW2011-164 |
X帯高出力アプリケーション用に200W GaN HEMTデバイスを開発した。そのデバイスはゲート長0.4um、ゲート幅1... [more] | ED2011-141 MW2011-164 pp.121-123 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 |
ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し，評価を... [more] | ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 pp.47-50 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2009-183 MW2009-166 |
ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは... [more] | ED2009-183 MW2009-166 pp.49-53 |
| SDM | 2009-06-19 13:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-33 |
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] | SDM2009-33 pp.39-44 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2008-223 MW2008-188 |
ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは，側面ゲートからの... [more] | ED2008-223 MW2008-188 pp.141-144 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 16:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジス... [more] | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 pp.155-159 |
| ED | 2007-11-27 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 ○小野島紀夫・笠松章史・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-187 |
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] | ED2007-187 pp.1-5 |
| ED | 2007-11-27 17:20 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射 ○半田大幸・細野洋平・津田祐樹・Meziani Yahya Moubarak・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2007-195 |
２重回折格子ゲートを有する高電子移動度トランジスタ構造からなる２次元プラズモン共鳴型テラヘルツ電磁波放射デバイスを試作し... [more] | ED2007-195 pp.45-50 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 14:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 ○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大） R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下... [more] | R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 pp.19-22 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 12:05 |
福井 | 福井大学 | Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発 ○柏原 康・高木重徳・増田和俊・松下景一・小野寺 賢・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 |
AlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)... [more] | ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 pp.81-84 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 13:00 |
京都 | 京都大学 | X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 ○柏原 康・増田和俊・松下景一・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） |
我々はＸ帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN H... [more] | ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56 pp.1-5 |
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