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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WPT | 2023-11-10 14:50 |
東京 | 八丈町商工会 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］学生手作りストレートラジオによるアナログAM放送受信 ○大平 孝（豊橋技科大）  WPT2023-29 |
ワイヤレス電力伝送はキロヘルツ帯のみならずメガヘルツ帯やギガヘルツ帯へスペクトル範囲が広がりつつある。高周波帯を用いるワ... [more] | WPT2023-29 p.32 |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長 ○角田 功・高倉健一郎（熊本高専） SDM2023-15 OME2023-15 |
本研究室では，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している．金属誘起横方向成長は，金属材料を非... [more] | SDM2023-15 OME2023-15 pp.55-58 |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］ガラス基板上のダブルゲート薄膜トランジスタ ○原 明人・野村海成・永吉輝央・新田誠英・鈴木 翔・伊藤悠人（東北学院大） SDM2023-16 OME2023-16 |
我々は, ガラス基板上に高性能な薄膜トランジスタ(TFT)を実現することを目標に研究を進めている.本報告では多結晶４族系... [more] | SDM2023-16 OME2023-16 pp.59-62 |
| SDM | 2022-11-11 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して ○江藤剛治（阪大）・下ノ村和弘・安藤妙子・松長誠之・廣瀬 裕（立命館大）・志村考功・渡部平司（阪大）・鎌倉良成（阪工大）・武藤秀樹（リンクリサーチ） SDM2022-71 |
シリコン（Si）イメージセンサの理論的限界時間分解能は11.1psである1)．それ以下の時間分解能をスーパー時間分解（S... [more] | SDM2022-71 pp.32-39 |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-23 10:20 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価 ○森本敦己・阿部陸斗・平井杏奈・平井杜和・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） SDM2022-10 OME2022-10 |
近年，IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている．しかし，この手... [more] | SDM2022-10 OME2022-10 pp.47-50 |
| SDM | 2021-06-22 17:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 ○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2021-29 |
化学溶液洗浄したGe(111)上にAlを真空蒸着したAl/Ge(111)において、真空熱処理の温度や時間がAl表面に形成... [more] | SDM2021-29 pp.27-31 |
| SDM, OME (共催) |
2021-04-23 15:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用 ○都甲 薫（筑波大） SDM2021-4 OME2021-4 |
[more] | SDM2021-4 OME2021-4 pp.15-18 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2021-03-01 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］鉛フリー錫系ペロブスカイト太陽電池の研究開発動向 ○早瀬修二（電通大） OME2020-19 |
鉛イオンを含むペロブスカイト層を光吸収層として用いる太陽電池の公認効率は25.5%に達し、単結晶シリコン太陽電池の26.... [more] | OME2020-19 pp.1-3 |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用 ○都甲 薫（筑波大） |
[more] | |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性 ○橘 茉優・園井柊平・石川靖彦（豊橋技科大） ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 |
超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス用近赤外pin受光器を作製し... [more] | ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 pp.5-8 |
| LQE | 2018-02-23 10:35 |
神奈川 | 古河電工横浜事業所 | ［特別招待講演］Si上へのGeのエピタキシャル成長と受光素子応用 ○石川靖彦（豊橋技科大） LQE2017-152 |
Si上へのGe層のエピタキシャル成長および光通信波長域（1.3–1.6 µm）の受光素子への応用について紹介する。Siと... [more] | LQE2017-152 pp.7-10 |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-20 13:00 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | 300℃プロセスによって形成した自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFTの開発 ○内海大樹・佐々木大精・関口竣也・竹内翔弥・原 明人（東北学院大） SDM2017-1 OME2017-1 |
IoTやトリリオンセンサ社会の実現に向けてフレキシブルデバイスやウェアラブルデバイスに対する期待が高まっている. これを... [more] | SDM2017-1 OME2017-1 pp.1-4 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 16:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 ○草野欽太・工藤和樹・塘内功大・坂口大成・茂籐健太（熊本高専）・本山慎一・楠田 豊・古田真浩（サムコ）・中 庸行・沼田朋子（堀場製作所）・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） SDM2016-8 OME2016-8 |
シートコンピュータ等への応用を目指し，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した．非晶質Ge薄膜の熱的固相... [more] | SDM2016-8 OME2016-8 pp.31-34 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 16:25 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製 中谷太一・原田大夢・○東 清一郎（広島大） SDM2016-9 OME2016-9 |
大気圧マイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)を石英基板上のアモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜へ照射し形成した結晶(... [more] | SDM2016-9 OME2016-9 pp.35-38 |
| OPE (共催) OFT, OCS (併催) [詳細] |
2016-02-19 09:00 |
沖縄 | 沖縄大学 | Si上Ge層を用いた近赤外受光器の高性能化 ○石川靖彦・宮坂祐司・伊藤和貴・永友 翔・和田一実（東大） OCS2015-107 OFT2015-62 OPE2015-227 |
超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス 用近赤外受光器を作製した。... [more] | OCS2015-107 OFT2015-62 OPE2015-227 pp.39-42(OCS), pp.39-42(OFT), pp.65-68(OPE) |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| SDM | 2015-06-19 16:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2015-53 |
大気中、窒素雰囲気中、酸素雰囲気中において300ºC-500ºCの温度範囲で熱処理を施したAl2O3... [more] | SDM2015-53 pp.81-86 |
| SDM | 2015-03-02 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大） SDM2014-165 |
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] | SDM2014-165 pp.17-22 |
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