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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-11-19 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］第一原理計算とマテリアルズ・インフォマティクスに基づくペロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル ○野田祐輔（金沢学院大）  SDM2020-25 |
本研究の目的は、マテリアルズデザインの合理的な設計指針を得るために、第一原理計算および多変量回帰分析を用いて、ペロブスカ... [more] | SDM2020-25 pp.15-20 |
| OME | 2017-12-28 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理計算に基づく白金－カーボン担体間相互作用の検討 ○中條雄太（東京理科大）・溝口照康（東大）・菅野康仁・吉武 優・田中優実（東京理科大） OME2017-52 |
固体高分子形燃料電池のカソード触媒として広く用いられているカーボン担持白金触媒において、触媒活性に影響を与えると考えられ... [more] | OME2017-52 pp.15-18 |
| CPM | 2017-07-21 14:57 |
北海道 | 北見工業大学第一総合研究棟２F多目的講義室 | 第一原理計算を用いたCa3Co4O9の電子状態に及ぼす元素置換の影響 ○小林大悟（豊橋技科大）・谷林 慧（一関高専）・中村雄一・内田裕久・井上光輝（豊橋技科大） CPM2017-25 |
層状コバルト酸化物Ca3Co4O9（Co349）は、中高温域の熱電変換材料としての応用が期待されるが、実用化に向けて変換... [more] | CPM2017-25 pp.21-26 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 13:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討 ○森山拓洋・肥田聡太（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2016-18 SDM2016-99 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 金属酸化物(MO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である. 薄膜... [more] | EID2016-18 SDM2016-99 pp.41-44 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-06-04 14:40 |
宮城 | 東北大学 | 遷移金属合金の磁気異方性に与えるスピン揺らぎの影響 ○小林尚史・兵頭一茂・佐久間昭正（東北大） MR2015-3 |
高密度磁気デバイスにおいて，材料の熱的安定性は重要な要素であり，その理解が欠かせない． 本研究では，FePtやCoP... [more] |
MR2015-3 pp.13-16 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:45 |
京都 | 京都大学 | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ ○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-39 SDM2014-134 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] | EID2014-39 SDM2014-134 pp.135-138 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 16:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | [(CaFeO3)m/(LaFeO3)n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較 及川貴大・渡部雄太・稲葉隆哲・大島佳祐・宋 華平・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111 |
本研究の最終目標は、室温で巨大電気磁気効果を示す物質の作製である。今回、我々はCaFeO3及びLaFeO3単相薄膜の結晶... [more] | ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111 pp.49-53 |
| SDM | 2014-11-06 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展 ○影島博之（島根大） SDM2014-101 |
計算物理においては、物質の性質をフィッティングパラメータ無しで精密に計算可能な第一原理計算法がパワフルで魅力的である。高... [more] | SDM2014-101 pp.31-36 |
| SDM | 2014-06-19 10:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討 ○佐々木奨悟・中山隆史（千葉大） SDM2014-46 |
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] | SDM2014-46 pp.17-20 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 15:35 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション ○洗平昌晃（名大）・山本貴博（東京理科大）・白石賢二（名大） ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 |
磁気抵抗メモリは，不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており，次世代のメモリデバ... [more] | ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 pp.47-50 |
| IBISML | 2014-03-06 13:25 |
奈良 | 奈良女子大学 | マルチタスク学習を用いた複数物性値の同時予測 ○岩瀬智亮（東大）・世古敦人（京大）・鹿島久嗣（東大） IBISML2013-68 |
有用な材料を新規に発見することは材料科学分野における主要課題のひとつであるが、この課題に対する計算機科学的アプローチのひ... [more] | IBISML2013-68 pp.9-13 |
| SDM | 2012-06-21 13:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 第一原理計算によるGe表面でのドーパント不純物偏析挙動の解析 ○飯島郁弥・澤野憲太郎（東京都市大）・牛尾二郎（日立）・丸泉琢也・白木靖寛（東京都市大） SDM2012-52 |
Ge(100)及びGe(111)表面上におけるドーパント原子の表面偏析挙動の理解のため、Ge表面5層のクラスタモデルを用... [more] | SDM2012-52 pp.47-51 |
| SDM | 2011-11-11 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2011-121 |
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] | SDM2011-121 pp.33-38 |
| SDM | 2011-07-04 09:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 ○影島博之・日比野浩樹・山口浩司（NTT）・永瀬雅夫（徳島大） SDM2011-51 |
SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェンの成長機構について、第一原理計算を用いて検討した。界面グラフェン1層はバ... [more] | SDM2011-51 pp.7-10 |
| SDM | 2011-07-04 14:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） SDM2011-62 |
金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子... [more] | SDM2011-62 pp.69-73 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 ○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 |
グラファイトは軽量かつ熱伝導性に優れており、窒化物半導体の下地基板に用いると様々なデバイス応用が期待できることから、近年... [more] | ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 pp.67-70 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 ○白石賢二・岩田潤一（筑波大/JST）・小幡輝明（筑波大）・押山 淳（東大/JST） ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 |
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] | ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 pp.47-50 |
| SDM | 2009-06-19 10:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Si酸化における界面反応の第一原理計算 ○秋山 亨（三重大）・影島博之（NTT）・植松真司（慶大）・伊藤智徳（三重大） SDM2009-28 |
Si酸化における界面反応過程の詳細を第一原理計算に基づき解明した。ドライ酸化を想定したO$_2$分子での界面反応では、O... [more] | SDM2009-28 pp.9-13 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 ○前川忠史・山内恒毅・原 孟史・土屋英昭・小川真人（神戸大） SDM2008-183 |
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の... [more] | SDM2008-183 pp.83-88 |
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