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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-10-20
14:35
福岡 九州大学西新プラザ エピタキシャルFe3Si強磁性薄膜における低磁場下でのスピンダイナミクス
横谷有紀山野井一人九大)・山田晋也浜屋宏平阪大)・木村 崇九大
強磁性体の磁化ダイナミクスをデバイスに応用する上で、低磁場でも安定して動作する軟磁性材料が必要不可欠である。この軟磁性材... [more]
US 2015-02-27
15:10
神奈川 IHI横浜事業所 超音波を利用した鉄鋼材の磁気測定および探傷検査への応用
山田尚人渡部 翔生嶋健司東京農工大US2014-100
本稿では超音波を利用した鉄鋼材における磁気ヒステリシスループの測定および磁化分布測定を利用した探傷検査について報告する.... [more] US2014-100
pp.35-39
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-31
14:15
長崎 長崎歴史文化博物館 Otto配置による強磁性金属/誘電体界面へのプラズモンの励起
梅津沙緒里貝原輝則安藤健朗矢後佳貴清水大雅東京農工大OCS2014-78 OPE2014-122 LQE2014-96
光アイソレータは半導体レーザへの戻り光を遮断する必要不可欠な素子であり、一体集積化に向けた研究が行われている。我々は強磁... [more] OCS2014-78 OPE2014-122 LQE2014-96
pp.189-194
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-07-17
13:00
東京 東京工業大学 [Co2MnSi/Pd]n人工格子膜の磁気異方性のMgO基板結晶方位依存性
松下直輝藤野頼信高村陽太東工大)・園部義明サムスン)・中川茂樹東工大MR2014-8
ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金Co2MnSi(CMS)とPdの人工格子を異なる面方位の単結晶MgO基板上に... [more] MR2014-8
pp.1-5
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-25
09:25
福岡 門司港・海峡ロマンホール 一方向発振半導体リングレーザの実現に向けたTEモード半導体光アイソレータの性能評価
阪西祥平坂東敬広清水大雅東京農工大OCS2013-65 OPE2013-111 LQE2013-81
半導体光アイソレータは,強磁性金属の磁化による横磁気光学カー効果を利用した光アイソレータであり,半導体光学素子との一体集... [more] OCS2013-65 OPE2013-111 LQE2013-81
pp.81-84
US 2013-07-29
08:10
福岡 九州大学 筑紫キャンパス 超音波刺激による強磁性金属材料の磁気測定
山田尚人生嶋健司東京農工大US2013-28
本稿では磁気計測のための超音波技術について報告する.我々は,狭帯域アンテナによる高感度RF検出により音響変調された磁化を... [more] US2013-28
pp.31-36
EMCJ, IEE-EMC
(連催)
2013-06-21
14:25
京都 京大 複素透磁率の周波数分散に対する反磁界の影響 ~ Maxwell方程式とLLG方程式の適切な使い分け ~
山口正洋・○室賀 翔浅妻裕己東北大EMCJ2013-21
磁気回路解析および実証実験を通して,反磁界を定量的に評価することにより,強磁性共鳴周波数の高周波側へのシフト量が,Max... [more] EMCJ2013-21
pp.51-56
OPE, LQE, OCS
(共催)
2012-10-25
16:35
宮崎 ホテルメリージュ(宮崎) 半導体光アイソレータを用いたリングレーザの一方向発振化の研究
薄葉哲史阪西祥平坂東敬広岡崎大輔清水大雅東京農工大OCS2012-56 OPE2012-107 LQE2012-73
半導体リングレーザは光フリップフロップメモリの実現に有力なデバイスである.しかしリングレーザは双方向で発振するため,多く... [more] OCS2012-56 OPE2012-107 LQE2012-73
pp.77-80
OPE, LQE, OCS
(共催)
2012-10-25
17:00
宮崎 ホテルメリージュ(宮崎) 非相反双安定半導体レーザの発振状態制御に関する研究
田澤耕明上原啓史石坂大介清水大雅東京農工大OCS2012-57 OPE2012-108 LQE2012-74
半導体光アイソレータは,強磁性金属の横磁気カー効果によって一方向伝搬特性を示す.特に,半導体光増幅器の利得が強磁性金属に... [more] OCS2012-57 OPE2012-108 LQE2012-74
pp.81-85
EMCJ 2009-09-04
09:30
京都 けいはんなプラザ 半導体素子レベル低ノイズ化を目的としたオンチップ伝送線路における磁性薄膜電磁ノイズ抑制体の基礎特性評価
室賀 翔遠藤 恭鈴木 充稲垣孝嘉三束芳央山口正洋東北大EMCJ2009-36
チップ上の電源配線を想定し,SOI-CMOSプロセスにより線幅10 μm程度のコプレーナ伝送線路とマイクロストリップ線路... [more] EMCJ2009-36
pp.7-12
LQE, OPE
(共催)
2005-06-24
15:50
東京 機械振興会館 非相反損失変化に基づく半導体導波路型光アイソレータ
清水大雅東大)・中野義昭東大/JST
ガーネット等の磁気光学効果を用いる光アイソレータは半導体レーザとの集積化が最も難しい素子の一つであるが、半導体レーザの安... [more] OPE2005-24 LQE2005-23
pp.51-54
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