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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討 ○小林正治・チャン キュンミン・上山 望・平本俊郎（東大）  SDM2016-68 ICD2016-36 |
センサーネットワークを構成するIoTデバイスには，エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する... [more] | SDM2016-68 ICD2016-36 pp.127-130 |
| SDM | 2016-06-29 10:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針 ○太田裕之・右田真司・服部淳一・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2016-34 |
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数（SS）を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] | SDM2016-34 pp.9-13 |
| OME | 2011-10-14 15:20 |
東京 | 機械振興会館 B3-2 | (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関 ○花田光聡・酒井正俊・石黒雅人（千葉大）・松原亮介（奈良先端大）・山内 博（千葉大）・中村雅一（奈良先端大）・工藤一浩（千葉大） OME2011-53 |
これまで我々は、有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)を活性層とした電界効果トランジスタ(FET)を作製し、誘... [more] | OME2011-53 pp.27-30 |
| ICD | 2010-12-17 10:20 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ ○畑中輝義・矢島亮児・野田晋司（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） ICD2010-118 |
低書き込み/消去電圧(6V)と高書き換え耐久性(1億回)を持つFe-NANDフラッシュメモリについて、高信頼性化技術を提... [more] | ICD2010-118 pp.113-118 |
| OME | 2010-10-22 16:30 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | 有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)のキャリア伝導特性と結晶構造の解析 ○石黒雅人・伊藤裕哉・高原知樹・花田光聡・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2010-54 |
有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子であるbis(ethylenedithio)-tetra... [more] | OME2010-54 pp.41-45 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 09:25 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 単一セル自己昇圧法による10V動作，書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD ○宮地幸祐・野田晋司・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） SDM2010-139 ICD2010-54 |
強誘電体NANDフラッシュメモリにおける新規書き込み法として単一セル自己昇圧法（SCSB: Single-Cell Se... [more] | SDM2010-139 ICD2010-54 pp.83-88 |
| ICD | 2010-04-22 11:40 |
神奈川 | 湘南工大 | しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM ○田中丸周平・畑中輝義・矢島亮児（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） ICD2010-5 |
強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され，実験的に実証された．提案のSRAMはNMOSの基板... [more] | ICD2010-5 pp.23-28 |
| OME | 2009-09-03 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関 ○石黒雅人・伊藤裕哉・高原知樹・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2009-39 |
有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathi... [more] | OME2009-39 pp.19-22 |
| ED | 2009-04-23 15:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ ○金子幸広・田中浩之・加藤剛久・嶋田恭博（パナソニック） ED2009-5 |
微細化可能な新規不揮発性メモリとして，酸化物材料の積層構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタを開発した．SrTiO3... [more] | ED2009-5 pp.17-22 |
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