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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2014-09-04 16:20 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | コンタクトエピタキシャル法によるCexY(3-x)Fe5O12の膜の方位制御 ○野毛 悟（沼津高専）  CPM2014-81 |
本報告は下地基板の影響を抑えた結晶薄膜形成技術であるコンタクトエピタキシャル法について述べている．対象として磁気光学材料... [more] | CPM2014-81 pp.33-36 |
| CPM | 2013-08-01 14:30 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | Si基板表面炭化によるCubic-SiC膜形成機構の考察 ○渡邉幸宗・上村喜一（信州大） CPM2013-42 |
ワイドバンドギャップ材料のSiCは高耐圧素子向けに開発が盛んになされている．本研究では，比較的低温で形成できる立方晶構造... [more] | CPM2013-42 pp.17-20 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 13:50 |
東京 | 中央大学 | L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 ○板橋 明・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2013-7 |
L10構造を持つエピタキシャルFePd，FePt，および，CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によ... [more] | MR2013-7 pp.7-12 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-03-08 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 | (100)立方晶単結晶基板上にエピタキシャル成長した3d強磁性遷移金属薄膜の構造解析 ○大竹 充・二本正昭（中大） MR2012-51 |
3d強磁性遷移金属（Fe，Co，Ni）およびこれらの合金の薄膜をMgO，SrTiO3，および，GaAsの(100)単結晶... [more] | MR2012-51 pp.39-44 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-12-15 16:30 |
愛媛 | 愛媛大学 | MgO単結晶基板上におけるFePt，FePd，CoPt，およびCoPd合金薄膜のエピタキシャル成長 ○大竹 充・大内翔平（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2011-31 |
超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によりMgO単結晶基板上にエピタキシャルFePt，FePd，CoPt，およびCo... [more] | MR2011-31 pp.41-48 |
| CPM | 2011-08-11 11:20 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法 ○野毛 悟・梅原 猛（沼津高専）・宇野武彦（神奈川工科大） CPM2011-71 |
現在対象としている磁気光学特性に優れたセリウム置換YIG {(CexY3-x)Fe5O12, Ce:YIG}のみならず，... [more] | CPM2011-71 pp.73-78 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-07-15 14:50 |
東京 | 中央大学 後楽園キャンパス | GaAs単結晶基板上に形成した準安定bcc構造をもつエピタキシャルCo，Ni，NiFe薄膜の構造解析 ○野中雄介・大竹 充・二本正昭（中大） MR2011-4 |
超高真空RFマグネトロンスパッタ法によりGaAs(100)，(111)，(110)単結晶基板上に40 nm厚のCo，Ni... [more] | MR2011-4 pp.19-26 |
| CPM | 2010-07-29 13:55 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | ガスフロースパッタ法によるFe3O4のGaAs上へのエピタキシャル成長 ○佐久間洋志・設樂裕紀・鍵 康人・鈴木 涼・石井 清（宇都宮大） CPM2010-31 |
酸化物の半導体基板上へのエピタキシャル成長は一般に困難を伴う．マグネタイト（Fe3O4）はハーフメタルの一種として知られ... [more] | CPM2010-31 pp.1-4 |
| ED | 2010-06-17 13:25 |
石川 | 北陸先端大 | フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 ○滝田隼人・橋本紀彦・工藤昌宏・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） ED2010-34 |
格子不整成長した狭ギャップ化合物半導体のエピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付(van der Waa... [more] | ED2010-34 pp.5-9 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-12-11 09:00 |
愛媛 | 愛媛大学 工学部 | MgO単結晶基板上に形成したエピタキシャルCo薄膜の構造解析 ○額賀友理・大竹 充・藪原 穣（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2009-44 |
超高真空分子線エピタキシー法を用いてMgO単結晶基板上にCo薄膜を形成し，基板結晶方位や基板温度がエピタキシャルCo薄膜... [more] | MR2009-44 pp.51-58 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-12-11 09:30 |
愛媛 | 愛媛大学 工学部 | hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜のエピタキシャル成長 ○大竹 充・田中孝浩（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2009-45 |
分子線エピタキシー法によりAu(100)単結晶下地層上にエピタキシャルNiおよびNiFe薄膜を形成し，構造と磁気特性を調... [more] | MR2009-45 pp.59-66 |
| ITE-MMS, ITE-CE, MRIS (共催) |
2009-01-15 13:00 |
大阪 | パナソニック 松心会館 | SrTiO3(001)基板上に作製したCo薄膜の構造と磁性 ○白土 優・久富和郎・中谷亮一（阪大） MR2008-50 |
遷移金属の磁性は，結晶構造と密接に関連する．我々は，超薄膜のエピタクシアル成長を利用した非平衡結晶相の創出と，その磁性に... [more] | MR2008-50 pp.1-4 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2008-10-09 15:30 |
秋田 | 秋田県産業技術総合センター 秋田県高度技術研究所 | SrTiO3単結晶基板上にエピタキシャルしたFe薄膜の構造と磁気特性 ○田渕健司・田中孝浩・鹿田昂平・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2008-22 |
3種類の異なる結晶方位を持つSrTiO3単結晶基板上でFe薄膜を形成し，Fe薄膜の構造と磁気特性を調べた．SrTiO3(... [more] | MR2008-22 pp.19-24 |
| ED | 2008-06-14 10:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 ○滝田隼人・工藤昌宏・田中成明・鈴木寿一（北陸先端大） ED2008-35 |
InAsの異種材料融合集積に向けて,InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフ(ELO)およびSiO$_2$/Si基板上への... [more] | ED2008-35 pp.73-76 |
| CPM | 2007-11-17 09:50 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性 ○牧野雄一郎・三浦仁嗣・西山 洋・安井寛治・高田雅介・井上泰宣・赤羽正志（長岡技科大） CPM2007-117 |
高温に加熱したメッシュ状タングステンの触媒分解反応によって生成した高密度水素ラジカルを利用したホットメッシュ(HM-)C... [more] | CPM2007-117 pp.65-68 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2007-06-29 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | 熱光学スイッチ／水晶振動子におけるシリコンウェハの重要性 ～ 128×128マトリックス光スイッチ／セラミックPKGシートの置き換え ～ ○渡邊隆彌（FT design Lab.） EMD2007-16 CPM2007-34 OME2007-20 |
導体製造技術を基本に作製される。特に光デバイスや水晶振動子においても 材料面で大口径シリコンウェハを使用することの重要... [more] |
EMD2007-16 CPM2007-34 OME2007-20 pp.21-26 |
| ED | 2007-06-15 14:25 |
富山 | 富山大学 | InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-34 |
分子線エピタキシー法によって成長したInAs トップ層/AlAs 犠牲層/InAs バッファ層/GaAs(001) 格子... [more] | ED2007-34 pp.17-20 |
| EMD | 2006-12-15 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 究極の水晶振動子へのアプローチ ○渡邊隆彌（FT Design Lab.） |
水晶振動子は、エレクトロ・メカニカル部品の代表であり、機械エネルギーで蓄積する系の方が電気エネルギーで蓄積する系より10... [more] | EMD2006-59 pp.9-14 |
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